摘要：为了深入了解双向可控硅内部电路和工作原理，以运用简便易懂的三极管为主，依据双向可控硅内部P型半导体和N型半导体的分布，设计一种可以被双向触发导通的电路。并从理论上来对其进行论述，通过实际电路制作对其进行了验证，在实际运用方面达到与双向可控硅具有同样的效果。0引言双向可控硅（TRIAC）在控制交流电源控制领域的运用非常***，如我们的日光灯调光电路、交流电机转速控制电路等都主要是利用双向可控硅可以双向触发导通的特点来控制交流供电电源的导通相位角，从而达到控制供电电流的大小[1]。然而对其工作原理和结构的描述，以我们可以查悉的资料都只是很浅显地提及，大部分都是对它的外围电路的应用和工作方式、参数的选择等等做了比较多的描述，更进一步的--哪怕是内部方框电路--内容也很难找到。由于可控硅所有的电子部件是集成在同一硅源之上，我们根本是不可能通过采用类似机械的拆卸手段来观察其内部结构。为了深入了解和运用可控硅，依据现有可查资料所给P型和N型半导体的分布图，采用分离元器件--三极管、电阻和电容--来设计一款电路，使该电路在PN的连接、分布和履行的功能上完全与双向可控硅类似。调整器是一种以可控硅（电力电子功率器件）为基础，以智能数字控制电路为**的电源功率控制电器。无锡散热可控硅
固态继电器（过零触发电路）MOC3061实物图：电路如图3所示，图中MOC3061为光电耦合双向可控硅驱动器，也属于光电耦合器的一种，用来驱动双向可控硅BCR并且起到隔离的作用，R6为触发限流电阻，R7为BCR门极电阻，防止误触发，提高抗干扰能力。当单片机80C51的，MOC3061导通，触发BCR导通，接通交流负载。另外，若双向可控硅接感**流负载时，由于电源电压超前负载电流一个相位角，因此，当负载电流为零时，电源电压为反向电压，加上感性负载自感电动势el作用，使得双向可控硅承受的电压值远远超过电源电压。虽然双向可控硅反向导通，但容易击穿，故必须使双向可控硅能承受这种反向电压。一般在双向可控硅两极间并联一个RC阻容吸收电路，实现双向可控硅过电压保护，图3中的C2、R8为RC阻容吸收电路。样鉴别测试可控硅的好坏？鉴别可控硅三个极分别是什么？具体的方法和步骤如下：鉴别可控硅三个极的方法很简单，根据P-N结的原理，只要用万用表测量一下三个极之间的电阻值就可以。阳极与阴极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上，阳极和控制极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上（它们之间有两个P-N结，而且方向相反，因此阳极和控制极正反向都不通）。山东逆导可控硅三相恒压|恒流|恒功率晶闸管功率控制器是移相触发型的晶闸管电力控制器。
此时表内电压较高。当用手接触栅极Ｇ时，会发现管的反向电阻值有明显地变化，其变化越大，说明管的跨导值越高；如果被测管的跨导很小，用此法测时，反向阻值变化不大。二、.场效应管的使用注意事项（1）为了安全使用场效应管，在线路的设计中不能超过管的耗散功率，比较大漏源电压、比较大栅源电压和比较大电流等参数的极限值。（2）各类型场效应管在使用时，都要严格按要求的偏置接人电路中，要遵守场效应管偏置的极性。如结型场效应管栅源漏之间是ＰＮ结，Ｎ沟道管栅极不能加正偏压；Ｐ沟道管栅极不能加负偏压，等等。（3）MOS场效应管由于输人阻抗极高，所以在运输、贮藏中必须将引出脚短路，要用金属屏蔽包装，以防止外来感应电势将栅极击穿。尤其要注意，不能将MOS场效应管放人塑料盒子内，保存时比较好放在金属盒内，同时也要注意管的防潮。（4）为了防止场效应管栅极感应击穿，要求一切测试仪器、工作台、电烙铁、线路本身都必须有良好的接地；管脚在焊接时，先焊源极；在连入电路之前，管的全部引线端保持互相短接状态，焊接完后才把短接材料去掉；从元器件架上取下管时，应以适当的方式确保人体接地如采用接地环等；当然，如果能采用先进的气热型电烙铁。
门极关断晶闸管的检测1)判别各电极：门极关断晶闸管三个电极的判别方法与普通晶闸管相同，即用万用表的R×100档，找出具有二极管特性的两个电极，其中一次为低阻值(几百欧姆)，另一次阻值较大。在阻值小的那一次测量中，红表笔接的是阴极K，黑表笔接的是门极G，剩下的一只引脚即为阳极A。触发能力和关断能力的检测：可关断晶闸管触发能力的检测方法与普通晶闸管相同。检测门极关断晶闸管的关断能力时，可先按检测触发能力的方法使晶闸管处于导通状态，即用万用表R×1档，黑表笔接阳极A，红表笔接阴极K，测得电阻值为无穷大。再将A极与门极G短路，给G极加上正向触发信号时，晶闸管被触发导通，其A、K极间电阻值由无穷大变为低阻状态。断开A极与G极的短路点后，晶闸管维持低阻导通状态，说明其触发能力正常。再在晶闸管的门极G与阳极A之间加上反向触发信号，若此时A极与K极间电阻值由低阻值变为无穷大，则说明晶闸管的关断能力正常，图7是关断能力的检测示意图。也可以电路来检测门极关断晶闸管的触发能力和关断能力。电路中，EL为6．3V指示灯(小电珠)，S为转换开关，VT为被测晶闸管。当开关S关断时，晶闸管不导通，指示灯不亮。将开关S的K1触点接通时。 可控硅触发板用于单相、三相电焊机控制、电解电镀控制等。
塑封(TO—220)双向晶闸管的中间引脚为主电极T2，该极通常与自带小散热片相连。图5是几种双向晶闸管的引脚排列。(2)判别其好坏：用万用表R×1或R×10档测量双向晶闸管的主电极T1与主电极T2之间、主电极T2与门极G之间的正、反向电阻值，正常时均应接近无穷大。若测得电阻值均很小，则说明该晶闸管电极问已击穿或漏电短路。测量主电极T1与门极G之问的正、反向电阻值，正常时均应在几十欧姆(Ω)至一百欧姆(Ω)之间(黑表笔接T1极，红表笔接G极时，测得的正向电阻值较反向电阻值略小一些)。若测得T1极与G极之间的正、反向电阻值均为无穷大，则说明该晶闸管已开路损坏。(3)触发能力检测：对于工作电流为8A以下的小功率双向晶闸管，可用万用表R×1档直接测量。测量时先将黑表笔接主电极T2，红表笔接主电极T1，然后用镊子将T2极与门极G短路，给G极加上正极性触发信号，若此时测得的电阻值由无穷大变为十几欧姆(Ω)，则说明该晶闸管已被触发导通，导通方向为T2→T1。再将黑表笔接主电极T1，红表笔接主电极T2，用镊子将T2极与门极G之间短路，给G极加上负极性触发信号时，测得的电阻值应由无穷大变为十几欧姆，则说明该晶闸管已被触发导通，导通方向为T1→T2。严格控制贮存时间ts并恰当调整整机电路，就可以降低对hFE参数的依赖程度。无锡散热可控硅
隔离开关应能同时提供满足负载的电流和蓄电池的再充电电流，并能承受较大的短路电流。无锡散热可控硅
自由调节输出负载的能力较好。附图说明图1是本实用新型实施例相交流固态调压器的电路示意图。具体实施方式下面结合附图并通过实施例对本实用新型作进一步的详细说明，以下实施例是对本实用新型的解释而本实用新型并不局限于以下实施例。参见图1，本实施例一种单相交流固态调压器，其电路结构如下：整流桥的其中两个脚连接交流电源的两端，整流桥的其余两脚分别连接电阻R4的一端和稳压二极管的正极，稳压二极管的正极连接电容C4的一端和变压器B2输入端2，稳压二极管的负极连接电阻R4的另一端、光耦OC的脚4、NPN三极管T1的集电极、单结晶体管T2的发射极b2、单向可控硅SCR1的A极、单向可控硅SCR2的K极以及电源输出端1，所述光耦OC的脚1连接输入控制端的正极，光耦OC的脚2经由电阻R5连接输入控制端的负极，光耦OC的脚3连接NPN三极管T1的基极，NPN三极管T1的发射极连接电阻R6的一端，电阻R6的另一端连接电容C4的另一端以及单结晶体管T2的发射极b1，单结晶体管T2的发射极b1连接变压器B1的输入端1，变压器B1的输入端2连接变压器B2输入端1，变压器B1的输出端1连接电源输出端1，变压器B2的输出端2连接电源输出端2，所述单向可控硅SCR1的G极连接变压器B2的输出端1。无锡散热可控硅
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