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可控硅基本参数
  • 产地
  • 上海
  • 品牌
  • 凯月
  • 型号
  • KY
  • 是否定制
可控硅企业商机

双向晶闸管的电极引线不规则,通常G极是在T1极侧引出而不是T2极侧。双向晶闸管的两个主电极T1和T2还是有区别的,双向晶闸管的触发通常是相对与T1与G之间的电流。

可控硅的作用之一就是可控整流,这也是可控硅**基本也**重要的作用。大家所熟知的二极管整流电路只可完成整流的功能,并没有实现可控,而一旦把二极管换做可控硅,便构成了一个可控整流电路。

 在一个**基本的单相半波可控整流电路中,当正弦交流电压处于正半周时,只有在控制极外加触发脉冲时,可控硅才被触发导通,负载上才会有电压输出,因此可以通过改变控制极上触发脉冲到来的时间,来进一步调节负载上输出电压的平均值,达到可控整流的作用。 可控硅调整器能与国内外各种控制仪表、微机的输出信号直接接口。英飞凌可控硅加热

    2具体电路实现电路结构框图如图1所示。该电路选取单向桥式半控整流电路,降低了成本。大功率或大电流的稳压电源,一般采用L-C滤波电路。但是,大电流的滤波电抗器体积大,重量重,价格也较贵,因此,在该稳压电源的设计中仍采用大电容滤波。线性稳压器部分仍采用串联反馈调整型稳压器原理,构成一个闭环反馈系统。主要包括:调整管,取样电路,基准电压源,误差比较放大器。由于该稳压电源输出电流20A,电流很大,所以,为减小调整管功耗,采用并联形式,在本电源中,调整管用两个大功率三极管并联,使每管流过电流为10A左右。这样,每个管子的功耗不大于40W,减小了调整管功耗。调整管集电极电流为10A左右,因此应采用大功率晶体三极管,选取β=40~50,这样,基极电流应达2×0.3A,即600mA。而一般集成运算放大器输出电流只有几十毫安级,不能让比较放大电路的输出端直接来推动调整管,因此在比较放大电路的输出端与调整管的基极之间,加入推动级,此处选择一个小功率三极管,构成复合管的形式。启动电阻Rc取2k。防振电容C取10μF。在稳压电路中,基准源是整个稳压系统工作的参考,稳压的**终效果取决于基准源的水平。因此,该电源中。平板可控硅代理晶闸管也用于各级铁路机车系统中,以实现牵引马达的微调。

    应当G-S极间短路一下。这是因为G-S结电容上会充有少量电荷,建立起VGS电压,造成再进行测量时表针可能不动,只有将G-S极间电荷短路放掉才行。(4)用测电阻法判别无标志的场效应管首先用测量电阻的方法找出两个有电阻值的管脚,也就是源极S和漏极D,余下两个脚为***栅极G1和第二栅极G2。把先用两表笔测的源极S与漏极D之间的电阻值记下来,对调表笔再测量一次,把其测得电阻值记下来,两次测得阻值较大的一次,黑表笔所接的电极为漏极D;红表笔所接的为源极S。用这种方法判别出来的S、D极,还可以用估测其管的放大能力的方法进行验证,即放大能力大的黑表笔所接的是D极;红表笔所接地是8极,两种方法检测结果均应一样。当确定了漏极D、源极S的位置后,按D、S的对应位置装人电路,一般G1、G2也会依次对准位置,这就确定了两个栅极G1、G2的位置,从而就确定了D、S、G1、G2管脚的顺序。(5)用测反向电阻值的变化判断跨导的大小对VMOSN沟道增强型场效应管测量跨导性能时,可用红表笔接源极S、黑表笔接漏极D,这就相当于在源、漏极之间加了一个反向电压。此时栅极是开路的,管的反向电阻值是很不稳定的。将万用表的欧姆档选在R×10kΩ的高阻档。

    5.光控晶闸管检测用万用表检测小功率光控晶闸管时,可将万用表置于R×1档,在黑表笔上串接1~3节1.5V干电池,测量两引脚之间的正、反向电阻值,正常时均应为无穷大。然后再用小手电筒或激光笔照射光控晶闸管的受光窗口,此时应能测出一个较小的正向电阻值,但反向电阻值仍为无穷大。在较小电阻值的一次测量中,黑表笔接的是阳极A,红表笔接的是阴极K。也可用图lO中电路对光控晶闸管进行测量。接通电源开关S,用手电筒照射晶闸管VT的受光窗口。为其加上触发光源(大功率光控晶闸管自带光源,只要将其光缆中的发光二极管或半导体激光器加上工作电压即可,不用外加光源)后,指示灯EL应点亮,撤离光源后指示灯EL应维持发光。若接通电源开关S后(尚未加光源),指示灯FL即点亮,则说明被测晶闸管已击穿短路。若接通电源开关、并加上触发光源后,指示灯EL仍不亮,在被测晶闸管电极连接正确的情况下,则是该晶闸管内部损坏。若加上触发光源后,指示灯发光,但取消光源后指示灯即熄灭,则说明该晶闸管触发性能不良。(1)判别各电极:根据BTG晶闸管的内部结构可知,其阳极A、阴极K之间和门极G、阴极K之间均包含有多个正、反向串联的PN结,而阳极A与门极G之问却只有一个PN结。因此。以镍铬、铁铬铝、远红外发热元件及硅钼棒、硅碳棒等为加热元件的温度控制。

    也可以用图4中的测试电路测试普通晶闸管的触发能力。电路中,vT为被测晶闸管,HL为6.3V指示灯(手电筒中的小电珠),GB为6V电源(可使用4节1.5V干电池或6V稳压电源),S为按钮,R为限流电阻。当按钮S未接通时,晶闸管VT处于阻断状态,指示灯HL不亮(若此时HL亮,则是vT击穿或漏电损坏)。按动一下按钮S后(使S接通一下,为晶闸管VT的门极G提供触发电压),若指示灯HL一直点亮,则说明晶闸管的触发能力良好。若指示灯亮度偏低,则表明晶闸管性能不良、导通压降大(正常时导通压降应为1v左右)。若按钮S接通时,指示灯亮,而按钮S断开时,指示灯熄灭,则说明晶闸管已损坏,触发性能不良。2.双向晶闸管的检测(1)判别各电极:用万用表R×1或R×10档分别测量双向晶闸管三个引脚间的正、反向电阻值,若测得某一管脚与其他两脚均不通,则此脚便是主电极T2。找出T2极之后,剩下的两脚便是主电极Tl和门极G3。测量这两脚之间的正、反向电阻值,会测得两个均较小的电阻值。在电阻值较小(约几十欧姆)的一次测量中,黑表笔接的是主电极T1,红表笔接的是门极G。螺栓形双向晶闸管的螺栓一端为主电极T2,较细的引线端为门极G,较粗的引线端为主电极T1。金属封装(To—3)双向晶闸管的外壳为主电极T2。普通可控硅**基本的用途就是可控整流。平板可控硅代理

整流器***用于各种形式的整流电源中。英飞凌可控硅加热

    控制极与阴极之间是一个P-N结,因此它的正向电阻大约在几欧-几百欧的范围,反向电阻比正向电阻要大。可是控制极二极管特性是不太理想的,反向不是完全呈阻断状态的,可以有比较大的电流通过,因此,有时测得控制极反向电阻比较小,并不能说明控制极特性不好。另外,在测量控制极正反向电阻时,万用表应放在R*10或R*1挡,防止电压过高控制极反向击穿。若测得元件阴阳极正反向已短路,或阳极与控制极短路,或控制极与阴极反向短路,或控制极与阴极断路,说明元件已损坏。可控硅一经触发导通后,由于循环反馈的原因,流入BG1基极的电流已不只是初始的Ib1,而是经过BG1、BG2放大后的电流(β1*β2*Ib1)这一电流远大于Ib1,足以保持BG1的持续导通。此时触发信号即使消失,可控硅仍保持导通状态只有断开电源Ea或降低Ea,使BG1、BG2中的集电极电流小于维持导通的**小值时,可控硅方可关断。当然,如果Ea极性反接,BG1、BG2由于受到反向电压作用将处于截止状态。这时,即使输入触发信号,可控硅也不能工作。反过来,Ea接成正向,而触动发信号是负的,可控硅也不能导通。另外,如果不加触发信号,而正向阳极电压大到超过一定值时,可控硅也会导通。英飞凌可控硅加热

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