只要控制极G和***阳极A1间加有正负极性不同的触发电压，就可触发导通呈低阻状态。此时A1、A2间压降也约为1V。双向可控硅一旦导通，即使失去触发电压，也能继续保持导通状态。只有当***阳极A1、第二阳极A2电流减小，小于维持电流或A1、A2间当电压极性改变且没有触发电压时，双向可控硅才截断，此时只有重新加触发电压方可导通。2.单向可控硅的检测。万用表选电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚，此时黑表笔的引脚为控制极G，红表笔的引脚为阴极K，另一空脚为阳极A。此时将黑表笔接已判断了的阳极A，红表笔仍接阴极K。此时万用表指针应不动。用短线瞬间短接阳极A和控制极G，此时万用表电阻挡指针应向右偏转，阻值读数为10欧姆左右。如阳极A接黑表笔，阴极K接红表笔时，万用表指针发生偏转，说明该单向可控硅已击穿损坏。3.双向可控硅的检测。用万用表电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻，结果其中两组读数为无穷大。若一组为数十欧姆时，该组红、黑表所接的两引脚为***阳极A1和控制极G，另一空脚即为第二阳极A2。确定A1、G极后，再仔细测量A1、G极间正、反向电阻。通常把电流容量在1安以下的器件称为整流二极管，1安以上的称为整流器。南通单相整流可控硅
?调节输出分辨率：调相°；?移相范围：0～180°；?驱动输出：宽度脉冲：8°~120°触发可控硅模块：驱动电流800mA?手动方式：外接10KΩ电位器调整?软启动软关断时间：相角控制时，VR2电位器调整。调整范围?电压限制：板内P1电位器或外接10KΩ电位器调整。调整范围0~***?电流限制：内置电流变换器，板内VR4电位器调整。调整范围20%~***?过流报警：内置电流变换器，板内VR9电位器调整。调整范围10%~200%?散热器超温保护:75℃温度开关，常闭接点动作时间：<10ms?起动/停止开关:外接开关?恒压控制：电源电压波动±15%，负载阻抗变化10倍时，负荷电压保持恒定，输出电压与控制信号成线性关系?恒流控制：电源电压波动±15%，负载阻抗变化10倍时，负荷电流保持恒定，输出电流与控制信号成线性关系?工作环境:温度范围：-30~+60℃湿度范围：90%RH比较大无结露海拔高度2000m以下三相晶闸管闭环技术可控硅调压器是移相触发型的晶闸管电力控制器。触发板具有过流、缺相、相序、晶闸管过热等多种保护功能；可***应用于工业各领域的电压、电流、功率的调节，适用于电阻性负载、电感性负载、变压器一次侧等。南通单相整流可控硅常用的半导体整流器有硅整流器和硒整流器，产品规格很多，电压从几十伏到几千伏，电流从几安到几千安。
只要阳极A和阴极K之间仍保持正向电压，单向可控硅继续处于低阻导通状态。只有把阳极A电压拆除或阳极A、阴极K间电压极性发生改变（交流过零）时，单向可控硅才由低阻导通状态转换为高阻截止状态。单向可控硅一旦截止，即使阳极A和阴极K间又重新加上正向电压，仍需在控制极G和阴极K间有重新加上正向触发电压方可导通。单向可控硅的导通与截止状态相当于开关的闭合与断开状态，用它可制成无触点开关。双向可控硅***阳极A1与第二阳极A2间，无论所加电压极性是正向还是反向，只要控制极G和***阳极A1间加有正负极性不同的触发电压，就可触发导通呈低阻状态。此时A1、A2间压降也约为1V。双向可控硅一旦导通，即使失去触发电压，也能继续保持导通状态。只有当***阳极A1、第二阳极A2电流减小，小于维持电流或A1、A2间当电压极性改变且没有触发电压时，双向可控硅才截断，此时只有重新加触发电压方可导通。单向可控硅的检测。万用表选电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚，此时黑表笔的引脚为控制极G，红表笔的引脚为阴极K，另一空脚为阳极A。此时将黑表笔接已判断了的阳极A，红表笔仍接阴极K。此时万用表指针应不动。
新型跟.踪式可控硅直流稳压电源信息时代里，BP机已成为常用的通信工具。目前，我国BP机总台的发射设备都采用进口设备，其输出电压为13．8V，电流为15～20A。进口电源不带可控硅部分，而我国电网波动较大，为此设计了这种低成本稳压电源。该设计在串联反馈调整型稳压电源的基础上加装了可控硅相位控制装置，用调整管两端压降来控制可控硅触发的导通角，维持调整管压降不变，从而设计出跟.踪式大功率直流稳压电源。该稳压电源限制了调整管功耗，实现了大功率。该稳压电源主要由单相半控桥整流滤波、线性稳压器及可控硅相位控制等环节组成，并加装了过流保护、短路保护、过热保护装置及显示部分。在220V电网电压波动±15％情况下，输出电压13．8V，输出电流可达20A。由于采用了可控硅相位控制技术，能将调整管两端压降限制在3V左右，功耗不大于40W，提高了电源效率。当输出电流超过20A时，限流保护可减小输出电流。若输出短路，短路保护输出***信号关断可控硅。调整管温度高于60℃时启动电扇，温度低于40℃时关断电扇，温度高于80℃时关断可控硅。该电源采用集成可控硅触发器，双运算放大器及具有温度补偿的稳压管作基准源，并配有三端稳压器作为辅助电源，实现了高精度。以镍铬、铁铬铝、远红外发热元件及硅钼棒、硅碳棒等为加热元件的温度控制。
控制交流负载回路的通断，通常会用到继电器。继电器是机械式触点的电磁元器件，可以实现弱电控制强电的目的。但是在带电流分断负载回路时，会产生电弧腐蚀触点，降低了继电器的使用寿命，并且继电器触点的响应时间在ms级别，不适合用于高速通断的回路中。题目不想用继电器来控制交流回路的通断，那么可以考虑使用可控硅来实现。1什么是可控硅可控硅是具有四层结构的PNPN型半导体器件，可以看作是由两个三极管所构成的元器件，可控硅的半导体结构如下图所示。可控硅从导通方向可以分为单向可控硅SCR和双向可控硅Triac。单向可控硅的三个电极分别是阳极A、阴极K和控制极G；双向可控硅的三个电极分别为T1，T2以及控制G。可控硅的在导通后，及时将控制信号去掉，可控硅仍然处于导通状态。在交流负载回路中，一般使用双向可控硅。2可控硅控制回路的设计单片机控制可控硅回路的通断时，比较好使用光耦做隔离。所设计的可控硅控制电路如下图所示。单片机的输出端接三极管的基极，通过三极管来控制光耦的通断，图中以灯泡作为负载。当单片机输出高电平时，光耦导通，此时可控硅的控制极有触发信号，并且T1和T2上的交流电源满足导通条件。单片机输出低电平时，光耦截止。普通可控硅**基本的用途就是可控整流。苏州灵敏可控硅
触发板应用于工业各领域的电压电流调节，用于电阻性负载、电感性负载、变压器一次侧及各种整流装置等。南通单相整流可控硅
从而通过该电路来达到深入解析可控硅和设计实际运用电路的目的。1双向可控硅工作原理与特点从理论上来讲，双向可控硅可以说是有两个反向并列的单向可控硅组成，理解单向可控硅的工作原理是理解双向可控硅工作原理的基础[2-5]。单向可控硅也叫晶闸管，其组成结构图如图1-a所示，可以分割成四个硅区P、N、P、N和A、K、G三个接线极。把图一按图1-b所示切成两半，就很容易理解成如图1-c所示由一个PNP三极管和一个NPN三极管为主组成一个单向可控硅管。在图1-c的基础上接通电源控制电路如图2所示，当阳极-阴极（A-K）接上正向电压V后，只要栅极G接通触发电源Vg，三极管Q2就会正向导通，开通瞬间Q1只是类似于接在Q1集电极的一个负载与电源正极接通，随后Q1也在Q2的拉电流下导通，此时由于C被充电，即便断开G极的触发电源Vg，Q1和Q2在相互作用下仍能维持导通状态，只有当电源电压V变得相当小之后Q1和Q2才会再次截止。相比于单向可控硅，双向可控硅在原理上比较大的区别就是能双向导通，不再有阳极阴极之分，取而代之以T1和T2，其结构示意图如图3-a所示，如果不考虑G级的不同，把它分割成图3-b所示，可以看出相当于两个单向可控硅反向并联而成[1-2]，如图3-c所示连接。南通单相整流可控硅
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