如果输出电容在芯片启动时已经处于预偏置电压状态，芯片*在内部参考电压SS 大于反馈电压VFB 后才启动开关，VOUT 开始上升。该预偏置软启动方案保证了芯片输出电压平稳地上升进入稳定状态。集成了输出欠压打嗝保护(UVP) 功能，通过不断监测反馈电压VFB 防止芯片输出过载或短路。如果VFB 低于输出欠压保护阈值(VUVP) (典型值为内部反馈参考电压的65%)，欠压比较器的输出将会置高，以关闭内部高侧和低侧MOSFET 开关管，阻止芯片继续开关工作。这款芯片是一种简单易用、高效集成的同步降压转换器。江苏低功耗18V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片技术支持
在轻载条件下工作在强制脉宽调制模式(FPWM)，以保持开关频率的恒定和维持低的输出电压纹波。当HSF 处于关断状态时，LSF 将在 10ns 后的死区时间后被强制打开，直到在下一个周期HSF 打开前关闭。这种工作模式不检测电感电流过零点，允许电感电流通过LSF 的漏-源极从输出电容流到开关节点，称为反向电流。在这种情况下，开关频率在整个负载电流范围内几乎保持恒定，实现低轻载输出电压波纹。低功耗DCDC降压转换器，低纹波，高效率，电路简洁。江苏低功耗18V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片技术支持为了避免开通瞬间的 干扰， 芯片内设计有前沿消隐电路（ 典型值 300ns）。
30V降压DCDC电源转换芯片，低待机功耗。提供一个芯片外部使能控制引脚(EN) 以使能或禁止芯片工作。当EN 引脚电压高于EN 上升阈值电压(VEN(R)) 且 VIN 电压高于VIN 欠压锁定阈值(VUVLO(R)) 时，芯片使能开始正常工作。如果EN 引脚电压被拉低到阈值电压(VEN(F)) 以下，则芯片停止开关动作并进入关机模式，即使VIN 电压高于VIN 欠压锁定阈值(VUVLO(R))，芯片也被禁用，开关动作停止。在关机模式下，芯片的输入电流降低到比较低的关断电流(典型值为2.5μA)。
另外为了优化芯片的 EMI 性能和保证芯片的可靠稳定运行，在使用陶瓷电容作为输入电容 CIN 外，推荐另外再添加一个 0.1μF 的陶瓷电容(0603/0402 封装) 尽可能近地放置在芯片的VIN 和 GND 引脚旁。需要注意的是，虽然陶瓷电容具有优良的高频性能和稳定的使用寿命，但是在某些输入电压热插拔的使用场景下，实际VIN 引脚上的电压可能会由于陶瓷电容的低ESR 特性出现振荡，**恶劣时甚至会振荡到2 倍的 VIN 电压，从而过压击穿芯片。此时，推荐在输入电压端额外并联加入一颗具有较大ESR 的电解电容或者在输入电压端添加一颗TVS 二极管以限制输入过压的情况。内部功率MOSFET 漏极，当输入电压下降至充电窗口区间 时向后级提供能量。
40V降压DCDC低功耗电源芯片，主要特点•用于条件严苛的工业应用•输入电压范围：6V~40V•1A持续输出电流•100%比较大占空比可实现**压降•支持预偏置输出软启动•输出过压/欠压保护•输入过压保护/欠压锁定•过温保护•±1%输出电压精度•方案小巧且易于使用•集成270mΩP型高侧MOSFET•集成135mΩN型低侧MOSFET•内置补偿电路•内置软启动电路•固定5V输出(KP521405,KP521405A)•固定3.3V输出(KP521403,KP521403A)•为家电应用优化设计•可实现单层PCB布局•低开关速率减轻EMI问题典型应用•白电，小家电•电动工具•智能照明•通用宽输入电压轨良好的线性调整率和负载调整率，集成软启动电路。吉林AC高压降15V供电非隔离BUCK电源芯片代理
芯片采用管脚复用技术，内部差分采样电路采样 VDD 管脚与CS 管脚之间的压差作为内部过流比较 器的输入。江苏低功耗18V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片技术支持
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