智能功率模块（IPM）由高速，低功耗的IGBT芯片和优化的栅极驱动电路及多种保护电路集成在同一模块内。IPM的通态损耗和开关损耗都比较低，散热器的尺寸小，故整个系统的尺寸更小。智能功率模块接口光耦，内置一个砷化镓光电二极管和集成高增益光电探测器，具有较低的传输延迟时间及**小化脉冲失真宽度，从而有利于提升转换电路效率，减少切换的死区时间。智能功率模块接口光耦具有开路集电极输出、反相和同相的图腾柱配置。IPM控制输入会随着dv/dt的大小而变，所以用于直接驱动的光耦要求共模抑制高于10KV/μs。在输入和输出电压间增加屏蔽和将电流接地可改进光耦的共模抑制。群芯可提供高于15KV/μs的共模抑制产品。***用于IGBT/MOSFET驱动、IPM隔离驱动、交流/直流无刷电机驱动、变频器、工业逆变器等。光电耦合器存在着非线性工作区域，直接用来传输模拟量时精度较差。辽宁栅极驱动光耦群芯微代理现货
由于光耦种类繁多，结构独特，优点突出，因而其应用十分***，主要应用以下场合：光纤耦合器⑴在逻辑电路上的应用⑵作为固体开关应用⑶在触发电路上的应用⑷在脉冲放大电路中的应用光电耦合器应用于数字电路，可以将脉冲信号进行放大。⑸在线性电路上的应用⑹特殊场合的应用。线性光耦合器的选取原则在设计光耦反馈式开关电源时必须正确选择线性光耦合器的型号及参数，选取原则如下：①光耦合器的电流传输比（CTR）的允许范围是50%～200%。这是因为当CTR<50%时，光耦中的LED就需要较大的工作电流②推荐采用线性光耦合器，其特点是CTR值能够在一定范围内做线性调整。③由英国埃索柯姆（Isocom）公司、美国摩托罗拉公司生产的4N××系列（如4N25、4N26、4N35）光耦合器，在国内应用地十分普遍。鉴于此类光耦合器呈现开关特性，其线性度差，适宜传输数字信号（高、低电平），因此不推荐用在开关电源中。 辽宁栅极驱动光耦群芯微代理现货开关电源中常用的光耦是线性光耦。
逆变器是在太阳能发电系统中，由直流低电压转换成正弦波220V家用交流电压或并入电网的交流高电压的设备。逆变器上需要用到晶体管光耦、高速光耦、栅极驱动光耦、智能栅极驱动光耦、光隔离运算放大器等隔离器件。常用光耦型号：1.晶体管光耦：QX81x、QX101x、QX35x、QX3Hx、QX85x；2.高速光耦：QX6N13x、QXM6xx、QX772x、QX053x、QX063x；3.栅极驱动光耦：QX314、QX34x、QX350、QX31xx；4.智能栅极驱动光耦：QX316J、QX33xJ；5.光隔离运算放大器：QXC790、QXC78、QX7840；
采用一只光敏三极管的光耦合器，CTR的范围大多为20%～300%（如4N35），而PC817则为80%～160%，达林顿型光耦合器（如4N30）可达100%～5000%。这表明欲获得同样的输出电流，后者只需较小的输入电流。因此，CTR参数与晶体管的hFE有某种相似之处。线性光耦合器与普通光耦合器典型的CTR-IF特性曲线。普通光耦合器的CTR-IF特性曲线呈非线性，在IF较小时的非线性失真尤为严重，因此它不适合传输模拟信号。线性光耦合器的CTR-IF特性曲线具有良好的线性度，特别是在传输小信号时，其交流电流传输比（ΔCTR=ΔIC/ΔIF)很接近于直流电流传输比CTR值。因此，它适合传输模拟电压或电流信号，能使输出与输入之间呈线性关系。这是其重要特性。必须遵循下列原则：所选用的光电耦合器件必须符合国际的有关隔离击穿电压的标准；由英国埃索柯姆（Isocom）公司、美国摩托罗拉公司生产的4N××系列（如4N25、4N26、4N35）光耦合器 在计算机数字通信及实时控制中作为信号隔离的接口器件，可以**提高计算机工作的可靠性。
宁波群芯微电子股份有限公司成立于2018年7月，位于宁波杭州湾新区。群芯微电子的团队成员来自于国内外大型半导体公司，在集成电路芯片设计、工艺制程、封装测试及应用方面拥有丰富的经验。芯片技术**着世界比较高水平的制造加工技术，是全球高科技国力竞争的战略必争制高点，与**专注于某一项芯片技术的企业相比，群芯的光电集成电路产品几乎覆盖了芯片制造的全工艺环节。特别是所拥有的多芯片封装工艺，激光划片工艺，使得我们的产品可以快速迭代，并满足客户个性化的需求。输入信号和输出信号之间存在一定的延迟时间，不同结构的光电耦合器输入、输出延迟时间相差很大。江苏高速光耦群芯微代理国产品牌
线性光耦一般价格比普通光耦高，但是使用方便，设计简单；辽宁栅极驱动光耦群芯微代理现货
栅极驱动光耦包含一个GaAsPLED，LED光耦合到一个集成电路的功率输出级。这些光耦比较适合驱动功率IGBT和Mosfet的栅极，较高的输出电压能达到功率器件的栅级电压驱动要求。电压和电流由这些光耦提供，使他们能直接驱动高达1200V/100A的IGBT。栅极驱动光耦用于在控制电路和高压之间提供增强的电绝缘。其抑制高共模噪声的能力可防止在高频开关期间功率半导体的误动作。其共模瞬态耐久性比较高等级为35kV/μs，可用于逆变器、伺服系统等噪声环境恶劣的工业产品应用。辽宁栅极驱动光耦群芯微代理现货
