光耦合器的输出特性实际也就是其内部光敏三极管的特性，与普通的三极管类似。常见的参数有：1.集电极电流Ic（CollectorCurrent）光敏三极管集电极所流过的电流，通常表示其最大值。2.集电极-发射极电压Vceo（C-EVoltage）集电极-发射极所能承受的电压。3.发射极-集电极电压Veco（E-CVoltage）发射极-集电极所能承受的电压4.反向截止电流Iceo5.C-E饱和电压Vce(sat)（C-ESaturationVoltage）四、传输特性：1．电流传输比CTR（CurrentTransferRadio）2．上升时间Tr（RiseTime）&下降时间Tf（FallTime）其它参数诸如工作温度、耗散功率等不再一一敷述。三、隔离特性1．入出间隔离电压Vio（IsolationVoltage）光耦合器输入端和输出端之间绝缘耐压值。2．入出间隔离电容Cio（IsolationCapacitance）：光耦合器件输入端和输出端之间的电容值3．入出间隔离电阻Rio：（IsolationResistance） 光电耦合器构成各种逻辑电路，光电耦合器的抗干扰性能和隔离性能比晶体管好，由它构成的逻辑电路更可靠。辽宁高电压可控硅光耦群芯微代理替代
BMS，英文全称是BatteryManagementSystem，指的就是电池管理系统。BMS可以说是新能源汽车的“电池管家”，它能够实时监管电池状态、管理车载动力电池、增强电池使用效率、防止电池出现过充过放以及提高电池的使用寿命。常用光耦型号：1.晶体管光耦：QX81x、QX101x、QX35x、QX3Hx、QX85x、QX8801；2.光继电器：QXV158、QX258、QX2xx、QX17x；3.高速光耦：QX6N13x、QXM6xx、QX772x、QX053x、QX063x；4.栅极驱动光耦：QX314、QX34x、QX350、QX31xx;5.智能栅极驱动光耦：QX316J、QX33xJ；6.光隔离运算放大器：QXC790、QXC78、QX7840.辽宁高电压可控硅光耦群芯微代理替代中国国内有关单位投入大量人力物力也研究和开发了各种光电耦合器件。
1.汽车电驱部分常应用到智能栅极驱动光耦QX33xJ，智能栅极驱动光耦为**型光耦，在强弱电隔离、通信、过程控制等传统领域都会用到，如汽车电子领域就有应用智能栅极驱动光耦的需求。QX33xJ峰值电流更高、抗扰能力更强，具有可编程故障检测、欠压锁定的特点。2.汽车电控系统由传感器、控制器和执行器组成。传感器主要是收集控制器所需要的各部分的信号，为控制器指挥执行器提供数据支持。电控系统运用到的光耦类型较***，如晶体管光耦(QX8801)、高速光耦(QX6N137,QX074L,QX0631)、(智能)栅极驱动光耦(QX343,QX33xJ)、IPM接口光耦(QX480)、光隔运放(QXC87,QXC790)。3.QX174、QX224、QXV258、QXS258常应用于汽车电池管理系统，由系统控制和驱动。光继电器由小电压小电流控制大电压大电流，内部分为线圈控制端和负荷端，当给线圈控制端施加一个驱动电压时，负荷端就能发生闭合或者断开的动作，QX品牌的常开型光继电器在没有施加驱动电压时保持负荷端开路，施加驱动电压时负荷端立刻闭合，接通主回路。
日本光电耦合器的市场虽不太大，但却以40%的年增长率增大，其主要原因是每一个程序控制器里都要用到20～30个甚至更多的光电耦合器。光电耦合器已显示出一种超大容量和高速度方向发展的明显趋势。美、日两国生产的光电耦合器以红外发光二极管和光敏器件管组成的器件为主，该类器件大约占整个美、日两国生产的全部光电耦合器的60%左右。因为这种类型的器件不仅电流传输效率高（一般为7～30%），而且响应速度比较快（2～5μs），因而能够满足大多数应用场合要求。日本横河电机公司用GaAsP红外发光二极管作输入端，PIN光电二极管作接收端制成的三种高速光电耦合器的绝缘电压都在3000伏以上，其中5082—43610型超高速数字光电耦合器和5082—4361型高共模抑制型光电耦合器的响应速度均可达到10Mb/s，它们的电流传输效率高达60%以上。美国莫托罗拉公司生产的4N25、4N26、4N27型光电耦合器属于三极管输出型光电耦合器[2]，这种光电耦合器具有很高的输入、输出绝缘性能，其频率响应可达300kHz，而开关时间只有几微秒。 当采用光耦隔离数字信号进行控制系统设计时，光电耦合器的传输，往往成为系统比较大数据传输速率的决定因素。
新一代的移动通信网--5G网络已成为广大社会**的关注焦点，由于5G的多天线阵列技术，发射接受通道从原来的**多8路变成了32或64路，导致功耗明显增加，因此，电源功率密度和效率提升成为首要问题，5G电源包含站点电源（AC-DC）和基站电源（AAU或BBU内部的二次电源部分DC-DC）两个部分；AC-DC电源通常为两级拓扑结构，即PFC+LLC，两级拓扑分别需要闭环控制，所以通常采用两颗主控芯片，原边的主控负责PFC电路，副边主控负责LLC电路，LLC的驱动可通过栅极驱动光耦QX343来实现，PSU对外接口一般选择CAN通信，可以通过双通道高速光耦QX0631或QX075L实现；其次,备用电源（刀片电源）的电池包需要配备一套具有针对性的锂电管理系统BMS,从而对电池组进行有效的监控、保护、能量均衡和故障报警，进而提高备用电源的工作效率和使用寿命,基站备用电源的电芯一般为16串，所以需要两颗AFE芯片，其中一颗AFE芯片通过高速光耦QX343来连接,QX172用于电池电压监测。利用线性光耦合器可构成光耦反馈，通过调节控制端电流来改变占空比，达到精密稳压目的，实现信号接收转移。HCPL-063L型号光耦国产品牌替代
实现信号的完全电气隔离。在信号采集系统中***采用。辽宁高电压可控硅光耦群芯微代理替代
⑶按封装形式分，可分为同轴型，双列直插型，TO封装型，扁平封装型，贴片封装型，以及光纤传输型光耦等。⑷按传输信号分，可分为数字型光电耦合器（OC门输出型，图腾柱输出型及三态门电路输出型等）和线性光电耦合器（可分为低漂移型，高线性型，宽带型，单电源型，双电源型等）。⑸按速度分，可分为低速光电耦合器（光敏三极管、光电池等输出型）和高速光电耦合器（光敏二极管带信号处理电路或者光敏集成电路输出型）。⑹按通道分，可分为单通道，双通道和多通道光电耦合器。⑺按隔离特性分，可分为普通隔离光电耦合器（一般光学胶灌封低于5000V，空封低于2000V）和高压隔离光电耦合器（可分为10kV，20kV，30kV等）。⑻按工作电压分，可分为低电源电压型光电耦合器（一般5～15V）和高电源电压型光电耦合器（一般大于30V）。 辽宁高电压可控硅光耦群芯微代理替代
