多路输出式电源变换器电路如图2所示。其输入电压为36V到90V的准方波电压，三路输出分别为：UO1=+5V(2A），UO2=+15V(0.17A），UO3=－15V(0.17A）。现将UO1定为主输出，其电压调整率SV=±0.4%；UO2和UO3为辅输出，总电源效率可达75%～80%。电路中采用一片***04Y型三端单片开关电源集成电路。主输出绕组电压经过VD2、C2、L1和C3整流滤波后，得到+5V电压。VD2采用MBR735型35V/7.5A肖特基二极管。两个辅输出绕组及输出电路完全呈对称结构。因为±15V输出电流较小，故整流管VD4和VD5均采用UF4002型100V/1A的超快恢复二极管。由线性光耦CNY17-2和可调式精密并联稳压器TL431C构成光耦反馈式精密开关电源，可以对+5V电压进行精密调整。反馈绕组电压通过VD3、C4整流滤波后，得到12V反馈电压。由P6KE120型瞬态电压抑制器和UF4002型超快恢复二极管构成的漏极钳位保护电路，能吸收由高频变压器漏感形成的尖峰电压，保护芯片内部的功率场效应管MOSFET不受损坏。受光器接收光线之后就产生光电流，从输出端流出，从而实现了“电—光—电”控制。隔离运算放大器群芯微代理现货
以下为光电耦合器的常用参数：反向电流IR：在被测管两端加规定反向工作电压VR时，二极管中流过的电流。反向击穿电压VBR：被测管通过的反向电流IR为规定值时，在两极间所产生的电压降。正向压降VF：二极管通过的正向电流为规定值时，正负极之间所产生的电压降。正向电流IF：在被测管两端加一定的正向电压时二极管中流过的电流。结电容CJ：在规定偏压下，被测管两端的电容值。反向击穿电压V(BR)CEO：发光二极管开路，集电极电流IC为规定值，集电极与发射集间的电压降。输出饱和压降VCE(sat)：发光二极管工作电流IF和集电极电流IC为规定值时，并保持IC/IF≤CTRmin时（CTRmin在被测管技术条件中规定）集电极与发射极之间的电压降。反向截止电流ICEO：发光二极管开路，集电极至发射极间的电压为规定值时，流过集电极的电流为反向截止电流。电流传输比CTR：输出管的工作电压为规定值时，输出电流和发光二极管正向电流之比为电流传输比CTR。 隔离运算放大器群芯微代理现货而如果选用光电耦合器来代替音频变压器就可以克服上述这些缺点。
常说的高频开关电源是一种高频电能转换装置。开关电源就是利用电子开关器件通过控制电路，使电子开关器件不停地“开通”和“关断”，让电子开关器件对输入电压进行脉冲调制，从而实现AC-DC、DC-DC、DC-AC电压变换。在开关电源上，晶体管光耦用来稳压、电流反馈等功能应用上。开关电源应用领域非常***，大部分电子产品上都会用到。如：手机数码充电器、工业设备电源、计算机电源、通讯电源、医疗设备电源、LED电源、航天设备电源等。
采用一只光敏三极管的光耦合器，CTR的范围大多为20%～300%（如4N35），而PC817则为80%～160%，达林顿型光耦合器（如4N30）可达100%～5000%。这表明欲获得同样的输出电流，后者只需较小的输入电流。因此，CTR参数与晶体管的hFE有某种相似之处。线性光耦合器与普通光耦合器典型的CTR-IF特性曲线。普通光耦合器的CTR-IF特性曲线呈非线性，在IF较小时的非线性失真尤为严重，因此它不适合传输模拟信号。线性光耦合器的CTR-IF特性曲线具有良好的线性度，特别是在传输小信号时，其交流电流传输比（ΔCTR=ΔIC/ΔIF)很接近于直流电流传输比CTR值。因此，它适合传输模拟电压或电流信号，能使输出与输入之间呈线性关系。这是其重要特性。必须遵循下列原则：所选用的光电耦合器件必须符合国际的有关隔离击穿电压的标准；由英国埃索柯姆（Isocom）公司、美国摩托罗拉公司生产的4N××系列（如4N25、4N26、4N35）光耦合器 耦合器以光为媒介传输电信号。它对输入、输出电信号有良好的隔离作用。
智能电表是智能电网数据采集的基本设备之一，承担着原始电能数据采集、计量和传输的任务，是实现信息集成、分析优化和信息展现的基础。智能电表除了具备传统电能表基本用电量的计量功能以外，为了适应智能电网和新能源的使用，它还具有双向多种费率计量功能、用户端控制功能、多种数据传输模式的双向数据通信功能、防窃电功能等智能化的功能。使用光耦型号：1.晶体管光耦：QX816、QX817；2.光继电器：QX21x、QX22x、QX17x；3.高速光耦：QX6N13x、QX6N437。光电耦合器在多种电子设备中的应用非常常见。天津TRIAC光耦群芯微代理库存
中国国内有关单位投入大量人力物力也研究和开发了各种光电耦合器件。隔离运算放大器群芯微代理现货
•晶体管光耦：将从晶体管光耦拓展至高放大倍数光耦，并根据客户的具体需求定制化光耦产品；•高速光耦：不断提升传输速率，将从10M以下逐步提升至15，25MHZ，并向百兆级通讯光耦迈进；•高压光耦：不断提升电压，将从400V/800V逐步提升至1200V，并在2023-2024年达到1500V及以上；•门驱动光耦：电流将从0.6A-2.5A提升至4A，并逐步升级为智能门驱动光耦与高隔离门驱动光耦；•光继电器：优化灵敏度,提高电压值及开关速度等性能指标。隔离运算放大器群芯微代理现货
