必易微经过多年持续的创新和积累，在电源管理芯片领域掌握了诸多**技术并持续更新升级的，包括高压集成工艺开发技术、芯片保护技术、低功耗控制技术、交流电机无级调速技术、多功能管脚复用技术、高效率线性驱动控制技术、高压半桥自适应电流模式栅极驱动技术、高精度锂电池监控及保护技术等。基于这些研究的的技术，公司推出了一系列电源管理芯片产品，广泛应用于消费电子、工业控制、通讯、计算机等领域，并被国内头部厂商所采用。那么如何解决这个问题？江苏KP1054A必易非隔离恒流驱动
第一种情况是电源线干扰可以使用电源线滤波器滤除。一个合理有效的开关电源EMI滤波器应该对电源线上差模和共模干扰都有较强的抑制作用。改善PCB板的电磁兼容性设计PCB是LED电源系统中电路元件和器件的支撑件，它提供电路元件和器件之间的电气连接。随着电子技术的飞速发展，PCB的密度越来越高。PCB设计的好坏对LED电源系统的电磁兼容性影响很大。实践证实，即使电路原理图设计正确，印刷电路板设计不当，也会对LED电源系统的可靠性产生不利影响。PCB抗干扰设计主要包括PCB布局、布线及接地，其目的是减小PCB的电磁辐射和PCB上电路之间的串扰。还有，一般变压器电磁干扰引发的交流声频率一般为50HZ左右，而地线布线不当导致的交流声，由于整流电路的倍频作用频率约为100HZ，仔细区分还是可以察觉的。因此，在设计印刷电路板的时候，应留意采用正确的方法，遵守PCB设计的一般原则，并应符合抗干扰的设计要求。上海KP1075A必易非隔离恒流驱动型号为什么需要OVP调节功能？
KP107XL非隔离、降压型准谐振LED功率开关KP107XL系列是高度集成的恒流LED功率开关，芯片采用了准谐振的工作模式，无需辅助绕组检测消磁。同时内部集成有高压500V功率MOSFET和高压自供电电路，简化了系统的设计和生产成本。芯片集成高精度的电感电流采样技术，可以获得高精度的恒流输出，且输出的线电压和负载调整率表现优异。KP107XL集成有完备的保护功能以保障系统安全可靠的运行，如：VDD欠压保护功能(UVLO)、逐周期电流限制(OCP)、过热保护(OTP)、输出过压保护(OVP)、CS采样电阻短路保护，LED开路和短路保护等。主要特点•集成高压500VMOSFET•集成高压自供电电路•无VDD电容设计•±5%恒流精度•准谐振模式高效率工作•**工作电流•优异的线电压和负载调整率•内部保护功能：•输出过压保护(OVP)•逐周期电流限制(OCP)•前沿消隐(LEB)•LED开路和短路保护•过热保护(OTP)•封装类型SOP-7和DIP-7可选
KP1054A是一款内部高度集成的降压型准谐振式LED恒流功率开关。KP1054A集成有高压功率MOSFET、续流二极管和控制器。此外，芯片还集成有高压启动电路和无需辅助绕组的电感电流过零检测电路，利用此功能系统工作在准谐振模式下并且很大程度地简化系统的设计。KP1054A集成有完备的保护功能以保障系统安全可靠的运行，如HVDD欠压保护功能、逐周期电流限制、过热保护、LED短路保护等。主要特点•内部集成高压500VMOSFET•集成600V超快恢复二极管•集成式高压稳压器•无辅助绕组、无VDD电容设计•准谐振工作模式提高系统效率•±4%恒流精度•**工作电流•集成式线电压补偿优化调整率•集成式过热功率补偿•内部保护功能:•LED短路保护•芯片过热保护•逐周期电流限制•前沿消隐•HVDD脚欠压保护•封装类型SOP-4我们可以提供更快的响应速度。
LED电源的电磁兼容出现问题一般是开关电路的电源中。而开关电路是开关电源的主要干扰源之一。开关电路是LED驱动电源的**，开关电路主要由开关管和高频变压器组成。它产生的du/dt具有较大幅度的脉冲，频带较宽且谐波丰富。这种高频脉冲干扰产生的主要原因是：开关管负载为高频变压器初级线圈，是感性负载。导通瞬间，初级线圈产生很大的涌流，并在初级线圈的两端出现较高的浪涌尖峰电压；断开瞬间，由于初级线圈的漏磁通，致使部分能量没有从一次线圈传输到二次线圈，电路中形成带有尖峰的衰减振荡，叠加在关断电压上，形成关断电压尖峰。高频脉冲产生更多的发射，周期性信号产生更多的发射。在LED电源系统中，开关电路产生电流尖峰信号，而当负载电流变化时也会产生电流尖峰信号。这就电磁干扰根源之一。非隔离芯片如何选型，需要主要什么？上海KP1075A必易非隔离恒流驱动型号
如何设计性价比高的LED驱动电源？江苏KP1054A必易非隔离恒流驱动
KP1079XWP系列是一款高度集成的恒流LED功率开关，芯片采用了准谐振的工作模式，无需辅助绕组检测消磁，芯片同时集成500V功率开关、600V超快恢复二极管、800V整流桥和高压自供电电路，只需极少的**器件即可达到优异的恒流特性，系统成本极低。HVDD供电KP1079XWP集成650V高压供电电路，功率MOSFET的栅极驱动直接通过高压供电电路供电，无需外置VDD电容。KP1079XWP利用内部集成消磁检测电路，无需辅助绕组，极大减小了系统成本。**长和**短关断时间当功率MOSFET关断后，在KP1079XWP内部设计有典型值1us的**短关断时间限制以避免干扰。同时，芯片内部典型的**长关断时间设计为270us。江苏KP1054A必易非隔离恒流驱动
