非隔离BUCK电源芯片基本参数
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非隔离BUCK电源芯片企业商机

同步降压变换器的输出级主要由电感和电容组成,通过内部集成的功率MOSFET管的开关切换,将能量存储并传递给负载,并形成二阶低通滤波器平滑开关节点电压,得到稳定的输出直流电压。本节基于设计实例主要描述详细的设计过程。芯片可以通过使用外部分压电阻连接到FB引脚来设置不同的输出电压。输出电压与外部分压电阻的公式如下:+×=FB(B)FB(T)REFOUTRR1VV其中VREF=0.768V推荐从分压下电阻RFB(B)开始设计。过大的RFB(B)会导致FB引脚更容易收到外界噪声干扰,而过小的RFB(B)会增大分压电阻的功率损耗。综合考虑二者,推荐选择RFB(B)=10kΩ~50kΩ。则分压上电阻RFB(T)可由如下公式计算得到:−×=1REFOUTFB(B)FB(T)VVRR其中VREF=0.768V集成有完备的带自恢复功能的保护功能: VDD 欠压保护、逐周期电流限制、输出过压保护、 过热保护。江苏非隔离BUCK电源芯片型号

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主要特点•固定12V输出•集成650V高压MOSFET和高压启动电路•多模式控制、无异音工作•支持降压和升降压拓扑•良好的线性调整率和负载调整率•集成软启动电路•内部保护功能:•过载保护(OLP)•逐周期电流限制(OCP)•输出过压保护(OVP)•VDD过压、欠压和电压箝位保护•封装类型SOP-8/DIP-7典型应用•小家电电源•工业控制同时芯片采用了多模式 PWM 控制技术,有效简化了外围电路设计,提升线性调整率和负载调整率并消除系统工作中的可闻噪音。此外,芯片内部峰值电流检测阈值可跟随实际负载情况自动调节,可以有效降低空载情况下的待机功耗。

另外为了优化芯片的 EMI 性能和保证芯片的可靠稳定运行,在使用陶瓷电容作为输入电容 CIN 外,推荐另外再添加一个 0.1μF 的陶瓷电容(0603/0402 封装) 尽可能近地放置在芯片的VIN 和 GND 引脚旁。需要注意的是,虽然陶瓷电容具有优良的高频性能和稳定的使用寿命,但是在某些输入电压热插拔的使用场景下,实际VIN 引脚上的电压可能会由于陶瓷电容的低ESR 特性出现振荡,**恶劣时甚至会振荡到2 倍的 VIN 电压,从而过压击穿芯片。此时,推荐在输入电压端额外并联加入一颗具有较大ESR 的电解电容或者在输入电压端添加一颗TVS 二极管以限制输入过压的情况。我们提供可靠质量的非隔离BUCK电源降压芯片。

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芯片内部**小Toff时间固定为32us,同时为了优化系统EMI系统还带有±5%范围的抖频功能。在实际工作中,系统开关频率取决于负载状态以及VDD电压与输出电压基准的高低,所以系统工作在调频模式中。芯片内部差分采样电路采样流经高压MOS电流的压差作为内部过流比较器的输入。当过流比较器翻转时高压MOSFET关断直至下一个周期重新开通。为了避免开通瞬间的干扰,芯片内设计有前沿消隐电路(典型值400ns),在此时间内过流比较器不翻转且高压MOSFET不允许关断。系列是一款高性能低成本 PWM 控制功 率开关,适用于离线式小功率降压型应用场合,**电路简单、器件个数少。广东低功耗60V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片价格

AC交流输入,输出12V/500mA电流的低成本BUCK降压芯片。江苏非隔离BUCK电源芯片型号

在轻载条件下工作在强制脉宽调制模式(FPWM),以保持开关频率的恒定和维持低的输出电压纹波。当HSF 处于关断状态时,LSF 将在 10ns 后的死区时间后被强制打开,直到在下一个周期HSF 打开前关闭。这种工作模式不检测电感电流过零点,允许电感电流通过LSF 的漏-源极从输出电容流到开关节点,称为反向电流。在这种情况下,开关频率在整个负载电流范围内几乎保持恒定,实现低轻载输出电压波纹。低功耗DCDC降压转换器,低纹波,高效率,电路简洁。江苏非隔离BUCK电源芯片型号

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