非隔离BUCK电源芯片基本参数
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非隔离BUCK电源芯片企业商机

芯片内部**小Toff时间固定为32us,同时为了优化系统EMI系统还带有±5%范围的抖频功能。在实际工作中,系统开关频率取决于负载状态以及VDD电压与输出电压基准的高低,所以系统工作在调频模式中。芯片内部差分采样电路采样流经高压MOS电流的压差作为内部过流比较器的输入。当过流比较器翻转时高压MOSFET关断直至下一个周期重新开通。为了避免开通瞬间的干扰,芯片内设计有前沿消隐电路(典型值400ns),在此时间内过流比较器不翻转且高压MOSFET不允许关断。可调输出电压,比较高输出电流限制的特 点,适用于非隔离型AC-DC。安徽AC高压降5V供电MCU非隔离BUCK电源芯片样品

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BUCK降压芯片,小封装输出5V100mA,低功耗、高效率、线路简单,在某些情况下(如重载或者输出短路等),系统的电感电流峰值将上升过于剧烈。为避免电感峰值电流过大对系统元器件造成损坏,芯片内部设计有异常过流检测模块(AOCP,典型阈值为250mA)。当CS电压高于该阈值时,内部功率MOSFET即刻关断并保持关断状态持续2个周期。芯片内部集成的过热保护电路会检测芯片的芯片结温,当芯片结温超过155度(典型值)时系统进入到自动重启模式。安徽AC高压降5V供电MCU非隔离BUCK电源芯片样品芯片采用管脚复用技术,内部差分采样电路采样 VDD 管脚与CS 管脚之间的压差作为内部过流比较 器的输入。

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输出电压可调,高压交流220V非隔离BUCK电路芯片,非常适用于智能照明,智能家电控制产品。KP35064是一款高性能低成本PWM控制功率开关,适用于离线式小功率降压型应用场合,外围电路简单、器件个数少。同时产品内置高耐压MOSFET可提高系统浪涌耐受能力。与传统的PWM控制器不同,KP35064内部无固定时钟驱动MOSFET,系统开关频率随负载变化可实现自动调节。同时芯片采用了多模式PWM控制技术,有效简化了外围电路设计,提升线性调整率和负载调整率并消除系统工作中的可闻噪音。

220V转5V电源芯片高压BUCK电路,给MCU提供稳定的5V电压。高性能、低成本离线式PWM功率开关KP311A是一款非隔离型、高集成度且低成本的PWM功率开关,适用于降压型和升降压型电路。KP311A采用高压单晶圆工艺,在同一片晶圆上集成有500V高压MOSFET和采用开关式峰值电流模式控制的控制器。在全电压输入的范围内可以保证高精度的5V默认输出。在芯片内部,芯片内部**小Toff时间固定为32μs且带有抖频功能,在保证输出功率的条件下优化了EMI效果。同时,芯片设计有轻重载模式,可轻松获得低于50mW的待机功耗。支持使用MLCC 陶瓷电容,且支持低输出电容数量。

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主要特点•集成500V高压MOSFET和高压启动电路•优化轻载噪音、提升系统抗干扰能力•多模式控制、无异音工作•支持降压和升降压拓扑•默认12V输出(FB脚悬空)•待机功耗<50mW•良好的线性调整率和负载调整率•集成软启动电路•内部保护功能:•过载保护(OLP)•逐周期电流限制(OCP)•输出过压保护(OVP)•VDD过压、欠压和电压箝位保护•封装类型SOP-8,可以满足客户不同电压需求:220V交流转12V,220V交流转5V,220V交流转15V,220V交流转24V。这款芯片是一种简单易用、高效集成的同步降压转换器。安徽AC高压降5V供电MCU非隔离BUCK电源芯片样品

芯片采用了多模式 PWM 控 制技术,有效简化了外围电路设计。安徽AC高压降5V供电MCU非隔离BUCK电源芯片样品

另外为了优化芯片的 EMI 性能和保证芯片的可靠稳定运行,在使用陶瓷电容作为输入电容 CIN 外,推荐另外再添加一个 0.1μF 的陶瓷电容(0603/0402 封装) 尽可能近地放置在芯片的VIN 和 GND 引脚旁。需要注意的是,虽然陶瓷电容具有优良的高频性能和稳定的使用寿命,但是在某些输入电压热插拔的使用场景下,实际VIN 引脚上的电压可能会由于陶瓷电容的低ESR 特性出现振荡,**恶劣时甚至会振荡到2 倍的 VIN 电压,从而过压击穿芯片。此时,推荐在输入电压端额外并联加入一颗具有较大ESR 的电解电容或者在输入电压端添加一颗TVS 二极管以限制输入过压的情况。安徽AC高压降5V供电MCU非隔离BUCK电源芯片样品

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