输出端为光敏晶体管直接输出的光电耦合器称为晶体管光耦。晶体管光耦输出端一般常用的晶体管有：光电二极管、光敏三极管、光敏型达林顿管。光电二极管线性特性好；光敏三极管有线性特性，在一定范围内具有电流放大能力；光敏型达林顿管具有更高的放大倍数，可以在小电流输入状态下，驱动更大的输出电流。晶体管光耦通常在电源电路中做电压反馈，在控制电路中做信号检测、信号控制等功能。交直流并用的半导体继电器，是一种发光器件和受光器件一体化的器件，是光电耦合器的一种，由一个MOSFET耦合的LED组成。光继电器具有体积小、无机械触点、长寿命、低动作电流、高隔离电压、高速切换、低泄漏电流、支持热开关的优点。光继电器可广泛应用于测试系统、量测仪器仪表、通信设备、保全设备、医疗设备等。光电耦合器可作为线性耦合器使用。ACPL-P343型号光耦国产品牌替代
光电耦合的主要特点如下：1.输入和输出端之间绝缘，其绝缘电阻一般都大于10000MΩ，耐压一般可超过1kV，有的甚至可以达到10kV以上。2.由于光接收器只能接受光源的信息，反之不能，所以信号从光源单向传输到光接收器时不会出现反馈现象，其输出信号也不会影响输入端。3.由于发光器件（砷化镓红外二极管）是阻抗电流驱动性器件，而噪音是一种高内阻微电流电压信号。因此光电耦合器件的共模抑制比很大，所以，光电耦合器件可以很好地抑制干扰并消除噪音。4.容易和逻辑电路配合。5.响应速度快。光电耦合器件的时间常数通常在毫秒甚至微秒级。6.无触点、寿命长、体积小、耐冲击。SFH6345型号光耦国产品牌替代光耦隔离就是采用光耦合器进行隔离，光耦合器的结构相当于把发光二极管和光敏（三极）管封装在一起。
日本光电耦合器的市场虽不太大，但却以40%的年增长率增大，其主要原因是每一个程序控制器里都要用到20～30个甚至更多的光电耦合器。光电耦合器已显示出一种超大容量和高速度方向发展的明显趋势。美、日两国生产的光电耦合器以红外发光二极管和光敏器件管组成的器件为主，该类器件大约占整个美、日两国生产的全部光电耦合器的60%左右。因为这种类型的器件不*电流传输效率高（一般为7～30%），而且响应速度比较快（2～5μs），因而能够满足大多数应用场合要求。日本横河电机公司用GaAsP红外发光二极管作输入端，PIN光电二极管作接收端制成的三种高速光电耦合器的绝缘电压都在3000伏以上，其中5082—43610型超高速数字光电耦合器和5082—4361型高共模抑制型光电耦合器的响应速度均可达到10Mb/s，它们的电流传输效率高达60%以上。美国莫托罗拉公司生产的4N25、4N26、4N27型光电耦合器属于三极管输出型光电耦合器[2]，这种光电耦合器具有很高的输入、输出绝缘性能，其频率响应可达300kHz，而开关时间只有几微秒。
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在动力电池、集成控制器、驱动电机及VCU上，光耦作为数据隔离传输、信号反馈、信号放大、电机驱动等电路上起着关键的作用。常用光耦型号：1.晶体管光耦：QX81x、QX101x、QX35x、QX3Hx、QX85x、QX8801；2.光继电器：QXV258、QXY258、QX2xx、QX17x；3.高速光耦：QX6N13x、QXM6xx、QX772x、QX053x、QX063x；4.栅极驱动光耦：QX314、QX34x、QX350、QX31xx;5.智能栅极驱动光耦：QX316J、QX33xJ；6.光隔离运算放大器：QXC790、QXC78、QX7840；中国国内有关单位投入大量人力物力也研究和开发了各种光电耦合器件。天津达林顿光耦群芯微代理型号
就抗干扰设计而言，很多场合下，既能采用光电耦合器隔离驱动，也能采用继电器隔离驱动。ACPL-P343型号光耦国产品牌替代
光耦合器（opTIcalcouplerequipment，英文缩写为OCEP）又称光电隔离器或光电耦合器，简称光电耦合器。它是一种以光为介质传输电信号的装置，通常是发光器(红外发光二极管)LED）与接收器（光敏半导体管，光敏电阻）密封在同一管壳中。当发光器在输入端发出光时，接收器接收光后产生光电流，从输出端流出“电—光—电”转换。光电耦合器以光为介质将输入端信号耦合到输出端，因其体积小、使用寿命长、无接触、抗干扰能力强、输出与输入之间绝缘、单向传输信号等优点，在数字电路中得到了***的应用。ACPL-P343型号光耦国产品牌替代
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