目前大功率充电桩输入输出端都是处在不同的高电压环境，在实现所有功能时首先要考虑其各个装置都能达到安全隔离的要求，防止电路间的器件受到高电压击穿损伤，所以在各电路间使用到光电耦合器作为电路间信号隔离和功率器件驱动隔离。1.充电模块常用高速光耦–高速信号通讯用，如QX6N135、QX6N137、QX074L等；2.驱动模块常用(智能)栅极驱动光耦和IPM接口光耦：(智能)栅极驱动光耦–驱动高压MOS或者高压IGBT，如QX341、QX3120、QX33xJ系列等；IPM接口驱动光耦–驱动IPM隔离模块或其他隔离芯片，如QX4504、QX480等。IPM的通态损耗和开关损耗都比较低，散热器的尺寸小，故整个系统的尺寸更小，IPM具有较低的传输延迟时间及**小化脉冲失真宽度，有利于提升转换电路效率，减少切换的死区时间。当采用光耦隔离数字信号进行控制系统设计时，光电耦合器的传输，往往成为系统比较大数据传输速率的决定因素。福建贴片817光耦群芯微代理国产品牌
空调是利用液体汽化时的吸热、冷凝时的放热效应来实现制冷的。对建筑或构筑物内环境空气的温度、湿度、流速等参数进行调节和控制的设备。光耦用于楼宇自动化中从恒温器到供暖、通风（VAV中的阻尼电机）和空调控制设备间的信号隔离传输和控制。常用光耦型号：1.晶体管光耦：QX81x、QX35x、QX3Hx、QX85x；2.可控硅光耦：QX30xx、QXx223、QXx213;3.高速光耦：QX6N13x、QXM6xx、QX772x、QX053x、QX063x；4.栅极驱动光耦：QX314、QX34x、QX350、QX31xx；5.IPM接口光耦：QX48x、QX450x、QXM48x；湖北高速光耦群芯微代理原厂这种接口电路一般具有带负载能力强、输出电流大、工作电压高的特点。
光耦合器的电流传输比（CTR）的允许范围是50%～200%。这是因为当CTR<50%时，光耦中的LED就光纤耦合器需要较大的工作电流（IF>5.0mA），才能正常控制单片开关电源IC的占空比，这会增大光耦的功耗。若CTR>200%，在启动电路或者当负载发生突变时，有可能将单片开关电源误触发，影响正常输出。2、若用放大器电路去驱动光电耦合器，必须精心设计，保证它能够补偿耦合器的温度不稳定性和漂移。2、推荐采用线性光耦合器，其特点是CTR值能够在一定范围内做线性调整。
在动力电池、集成控制器、驱动电机及VCU上，光耦作为数据隔离传输、信号反馈、信号放大、电机驱动等电路上起着关键的作用。常用光耦型号：1.晶体管光耦：QX81x、QX101x、QX35x、QX3Hx、QX85x、QX8801；2.光继电器：QXV258、QXY258、QX2xx、QX17x；3.高速光耦：QX6N13x、QXM6xx、QX772x、QX053x、QX063x；4.栅极驱动光耦：QX314、QX34x、QX350、QX31xx;5.智能栅极驱动光耦：QX316J、QX33xJ；6.光隔离运算放大器：QXC790、QXC78、QX7840；线性光耦一般价格比普通光耦高，但是使用方便，设计简单；
输入特性光耦合器的输入特性实际也就是其内部发光二极管的特性。常见的参数有：1.正向工作电压Vf（ForwardVoltage）Vf是指在给定的工作电流下，LED本身的压降。常见的小功率LED通常以If=20mA来测试正向工作电压，当然不同的LED，测试条件和测试结果也会不一样。2.反向电压Vr（ReverseVoltage）是指LED所能承受的比较大反向电压，超过此反向电压，可能会损坏LED。在使用交流脉冲驱动LED时，要特别注意不要超过反向电压。3.反向电流Ir（ReverseCurrent）通常指在比较大反向电压情况***过LED的反向电流。4.允许功耗Pd（MaximumPowerDissipation）LED所能承受的最大功耗值。超过此功耗，可能会损坏LED。5.中心波长λp（PeakWaveLength）是指LED所发出光的中心波长值。波长直接决定光的颜色，对于双色或多色LED，会有几个不同的中心波长值。6.正向工作电流If（ForwardCurrent）If是指LED正常发光时所流过的正向电流值。不同的LED，其允许流过的最大电流也会不一样。7.正向脉冲工作电流Ifp（PeakForwardCurrent）Ifp是指流过LED的正向脉冲电流值。为保证寿命，通常会采用脉冲形式来驱动LED，通常LED规格书中给中的Ifp是以0.1ms脉冲宽度,占空比为1/10的脉冲电流来计算的。 又由于光耦合器的输入端属于电流型工作的低阻元件，因而具有很强的共模抑制能力。山东插件817光耦群芯微代理国产品牌
光电耦合器存在着非线性工作区域，直接用来传输模拟量时精度较差。福建贴片817光耦群芯微代理国产品牌
栅极驱动光耦包含一个GaAsPLED，LED光耦合到一个集成电路的功率输出级。这些光耦比较适合驱动功率IGBT和Mosfet的栅极，较高的输出电压能达到功率器件的栅级电压驱动要求。电压和电流由这些光耦提供，使他们能直接驱动高达1200V/100A的IGBT。栅极驱动光耦用于在控制电路和高压之间提供增强的电绝缘。其抑制高共模噪声的能力可防止在高频开关期间功率半导体的误动作。其共模瞬态耐久性比较高等级为35kV/μs，可用于逆变器、伺服系统等噪声环境恶劣的工业产品应用。福建贴片817光耦群芯微代理国产品牌
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