主要特点•固定12V输出•集成650V高压MOSFET和高压启动电路•多模式控制、无异音工作•支持降压和升降压拓扑•良好的线性调整率和负载调整率•集成软启动电路•内部保护功能：•过载保护(OLP)•逐周期电流限制(OCP)•输出过压保护(OVP)•VDD过压、欠压和电压箝位保护•封装类型SOP-8/DIP-7典型应用•小家电电源•工业控制同时芯片采用了多模式 PWM 控制技术，有效简化了外围电路设计，提升线性调整率和负载调整率并消除系统工作中的可闻噪音。此外，芯片内部峰值电流检测阈值可跟随实际负载情况自动调节，可以有效降低空载情况下的待机功耗。芯片静态工作电流典型值为 200uA。如此 低的工作电流降低了对于 VDD 电容大小的要求， 同时也可以提高系统效率。辽宁交流高压220V转12V供电继电器非隔离BUCK电源芯片资料
在轻载条件下，系统工作在断续模式下。故实际输入功率取决于电感电流峰值大小。为了降低系统损耗，随着负载的降低会自动降低峰值电流基准以满足**待机的要求。内集成有4ms(典型值)周期的软启动功能，当芯片***次启动时过流保护阈值逐渐增加，而且每次系统的重新启动都会伴随着一次软启动过程。当过流或短路情况发生时，输出电压和VDD将降低，如果在128ms(典型值)的时间内每次振荡器的周期里高压MOSFET都被开通，则芯片识别此情况为过流或短路故障已发生，并停止开关动作之后进入自动重启模式(如下描述)。上海低功耗150V降压DCDC非隔离BUCK电源芯片定制芯片采用准谐 振开关技术，可获得优越的EMI 性能和较高的系统 效率。
如果输出电容在芯片启动时已经处于预偏置电压状态，芯片*在内部参考电压SS 大于反馈电压VFB 后才启动开关，VOUT 开始上升。该预偏置软启动方案保证了芯片输出电压平稳地上升进入稳定状态。集成了输出欠压打嗝保护(UVP) 功能，通过不断监测反馈电压VFB 防止芯片输出过载或短路。如果VFB 低于输出欠压保护阈值(VUVP) (典型值为内部反馈参考电压的65%)，欠压比较器的输出将会置高，以关闭内部高侧和低侧MOSFET 开关管，阻止芯片继续开关工作。
40V降压DCDC低功耗电源芯片，主要特点•用于条件严苛的工业应用•输入电压范围：6V~40V•1A持续输出电流•100%比较大占空比可实现**压降•支持预偏置输出软启动•输出过压/欠压保护•输入过压保护/欠压锁定•过温保护•±1%输出电压精度•方案小巧且易于使用•集成270mΩP型高侧MOSFET•集成135mΩN型低侧MOSFET•内置补偿电路•内置软启动电路•固定5V输出(KP521405,KP521405A)•固定3.3V输出(KP521403,KP521403A)•为家电应用优化设计•可实现单层PCB布局•低开关速率减轻EMI问题典型应用•白电，小家电•电动工具•智能照明•通用宽输入电压轨芯片供电管脚，用于能量存储，串接一电容到地后将输入能 量传递至LDO 输出级。
WIFI供电**芯片，精度高，动态优，功耗低，**精简。KP35026是一款高性能低成本PWM控制功率开关，适用于3.3V供电的应用场合，外围电路简单、器件个数少。同时IC内置高耐压MOSFET可提高系统浪涌耐受能力。与传统的PWM控制器不同，KP35026内部无固定时钟驱动MOSFET，系统开关频率随负载变化可实现自动调节。芯片采用了多模式PWM控制技术和动态响应优化电路，有效提升了动态响应能力，优化了线性调整率和负载调整率，同时明显降低了系统工作中的可闻噪音。可给蓝牙芯片提供稳定客户的电压。辽宁交流高压220V转12V供电继电器非隔离BUCK电源芯片资料
优化轻载噪音、提升系统抗干扰能力。辽宁交流高压220V转12V供电继电器非隔离BUCK电源芯片资料
KP52220XA采用内置电压误差积分器的恒定导通时间控制(COT)策略。COT控制利用输出电压谷底纹波基于比较器和导通时间定时器实现输出电压调控的目的。在每个周期的开始，每当反馈引脚FB上的电压低于内部参考电压时，芯片内置高侧MOSFET(HSF)被打开，并且持续开通固定的导通时间后关闭，此开通时间由导通时间定时器确定。该导通时间定时器由输出电压和输入电压共同决定，以使开关频率在全输入电压范围内保持接近恒定。当导通时间定时器定时完毕后，HSF将会保持关闭至少200ns(**小关断时间)。**小关断时间后，如果反馈引脚FB上的电压低于内部参考电压，则HSF将再次打开一个固定导通时间。辽宁交流高压220V转12V供电继电器非隔离BUCK电源芯片资料
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