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光电探测器基本参数
  • 品牌
  • 飞博光电
  • 型号
  • 光电探测器
  • 制作工艺
  • 薄膜
  • 输出信号
  • 开关型
  • 材料物理性质
  • 磁性材料
光电探测器企业商机

在数字传输系统中,DPSK和DQPSK的使用已经非常普遍,这就标志着采用相位敏感的编码和传输技术将成为一种趋势。而检测灵敏度和频谱效率是这种趋势的关键所在。其他影响选择检测方案的因素还包括物理层的安全可靠性和网络的自适应性,两者都可得益于采用相干光技术的幅度,频率和偏振编码。相干模拟传输与非相干传输相比,也同样具有很大的优势,其中在动态范围方面较为很大。虽然模拟通信不及数字通信应用较广,但是模拟传输在很多特殊环境应用上有很重要的作用。光电探测器在国际和国民经济的各个领域有很多用途。石岩30G PIN光电探测器联系人

为了提高传输效率并且无畸变地变换光电信号,光电探测器不仅要和被测信号、光学系统相匹配,而且要和后续的电子线路在特性和工作参数上相匹配,使每个相互连接的器件都处于比较好的工作状态。现将光电探测器件的应用选择要点归纳如下:光电探测器必须和辐射信号源及光学系统在光谱特性上相匹配。如果测量波长是紫外波段,则选用光电倍增管或专门的紫外光电半导体器件;如果信号是可见光,则可选用光电倍增管、光敏电阻和Si光电器件;如果是红外信号,则选用光敏电阻,近红外选用Si光电器件或光电倍增管。深圳7GHZ APD光电探测器值多少钱通常光电探测器的噪声主要分为暗电流噪声、散粒噪声和热噪声。

光电三级管与光电二极管比较,光电三级管输出电流较大,一般在毫安级,但光照特性较差,多用于要求输出电流较大的场合。光电三极管有pnp和npn型两种结构,常用材料有硅和锗。例如用硅材料制作的npn型结有3DU型,pnp型有3CU型。采用硅npn型光电三极管,其暗电流比锗光电三极管小,且受温度变化影响小,所以得到位广泛应用。下面以3DU型光电三极管为例说明它的结构、工作原理与主要特性。3DU型光电三极管是以p型硅为基极的三极管。3DU管的结构和普通晶体管类似,只是在材料的掺杂情况、结面积的大小和基极引线的设置上和普通晶体管不同。因为光电三极管要响应光辐射,受光面即集电结(bc结)面积比一般晶体管大。另外,它是利用光控制集电极电流的,所以在基极上既可设置引线进行电控制,也可以不设,完全同光一控制。它的工作原理是工作时各电极所加的电压与普通晶体管相同,即要保证集电结反偏置,发射正偏听偏置。由于集电结是反偏压,在结区有很强的内建电场,对3DU管来讲,内建电场方向是由c到b的。和光电二极管工作原理相同。

响应速度可以用光生载流子的渡越时间表示,载流子的渡越时间外在的频率响应的表现就是探测器的带宽。光生载流子的渡越时间在光生电流变化中表现为两部分:上升时间和下降时间。通常取上升时间和下降时间中的较大者衡量探测器的响应速度。决定探测器响应速度的因素主要有:⑴、耗尽区载流子渡越时间:载流子的渡越时间是影响探测器响应速度的很重要因素,当耗尽区电场强度达到比较大时,Wd表示载流子的比较大漂移速度,W表示耗尽区宽度,那么载流子的渡越时间为:t=W/Vd⑵耗尽区外载流子扩散时间:载流子扩散的速度较慢,同时大多数产生于耗尽区之外的载流子的寿命非常短,复合发生速度快。所以扩散运动只对距离耗尽区范围较近的载流子才能通过扩散运动达到耗尽区中,并在电场中漂移产生光电流。APD雪崩二极管其主要缺点是噪声较大。

光电探测器的光电转换特性必须和入射辐射能量相匹配。其中首先要注意器件的感光面要和照射光匹配好,因光源必须照到器件的有效位置,如光照位置发生变化,则光电灵敏度将发生变化。如光敏电阻是一个可变电阻,有光照的部分电阻就降低,必须使光线照在两电极间的全部电阻体上,以便有效地利用全部感光面。光电二极管、光电三极管的感光面只是结附近的一个极小的面积,故一般把透镜作为光的入射窗,要把透镜的焦点与感光的灵敏点对准。一定要使入射通量的变化中心处于检测器件光电特性的线性范围内,以确保获得良好的线性输出。对微弱的光信号,器件必须有合适的灵敏度,以确保一定的信噪比和输出足够强的电信号。在相干光通信中主要利用了相干调制和外差检测技术。石岩30G PIN光电探测器联系人

在可见光或近红外波段主要用于射线测量和探测、工业自动控制、光度计量等。石岩30G PIN光电探测器联系人

固体光电探测器用途非常广。CdS光敏电阻因其成本低而在光亮度控制(如照相自动曝光)中得到采用;光电池是固体光电器件中具有比较大光敏面积的器件,它除用做探测器件外,还可作太阳能变换器;硅光电二极管体积小、响应快、可靠性高,而且在可见光与近红外波段内有较高的量子效率,因而在各种工业控制中获得应用。硅雪崩管由于增益高、响应快、噪声小,因而在激光测距与光纤通信中普遍采用。photoconductivedetector利用半导体材料的光电导效应制成的一种光探测器件。所谓光电导效应,是指由辐射引起被照射材料电导率改变的一种物理现象。光电导探测器在国民经济的各个领域有较广用途。在可见光或近红外波段主要用于射线测量和探测、工业自动控制、光度计量等;在红外波段主要用于导弹制导、红外热成像、红外遥感等方面。光电导体的另一应用是用它做摄像管靶面。为了避免光生载流子扩散引起图像模糊,连续薄膜靶面都用高阻多晶材料,如PbS-PbO、Sb2S3等。其他材料可采取镶嵌靶面的方法,整个靶面由约10万个单独探测器组成。石岩30G PIN光电探测器联系人

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