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光电探测器基本参数
  • 品牌
  • 飞博光电
  • 型号
  • 光电探测器
  • 制作工艺
  • 薄膜
  • 输出信号
  • 开关型
  • 材料物理性质
  • 磁性材料
光电探测器企业商机

PN结加正向电压时,产生多子电流,与光生电流方向相反,并且电流比光生电流大得多,此时无法作为光探测器。PN结处于反向偏压状态时,产生的光电子会被反向偏压迅速通过电场与电极收集,产生反向光电流,通过检测光电流大小即可得到光功率强度。处于零偏压的PN结可作为光电池使用。一个大面积的PN结,做好上下极的接触引线便构成一个光电池。一般光敏面做成梳齿状,可以减小光生载流子的复合以提高能量转换效率,减小串联电阻。对于光电池,负载电阻较大时,输出线性较差,可获得较大的输出电压,对于不同的入射光强,也会具有不同的最大输入功率,往往采用多个光电池的串-并联组合运用。光电探测器的性能指标主要由量子效率、响应度、响应速度和本征带宽、光电流,暗电流和噪声等指标组成。深圳10G多模 PIN光电探测器要求

为了提高传输效率并且无畸变地变换光电信号,光电探测器不仅要和被测信号、光学系统相匹配,而且要和后续的电子线路在特性和工作参数上相匹配,使每个相互连接的器件都处于比较好的工作状态。现将光电探测器件的应用选择要点归纳如下:光电探测器必须和辐射信号源及光学系统在光谱特性上相匹配。如果测量波长是紫外波段,则选用光电倍增管或专门的紫外光电半导体器件;如果信号是可见光,则可选用光电倍增管、光敏电阻和Si光电器件;如果是红外信号,则选用光敏电阻,近红外选用Si光电器件或光电倍增管。高带宽光电探测器列表光生伏特的效应是指光照使不均匀半导体或半导体与金属结合的不同部位之间产生电位差的现象。

当光线照在物体上,使物体的电导率发生变化,或产生光生电动势的现象叫内光电效应。利用这种现象可以制成阴极射线管、光电倍增管和摄像管的光阴极等。半导体材料的价带与导带间有一个带隙,其能量间隔为Eg。一般情况下,价带中的电子不会自发地跃迁到导带,所以半导体材料的导电性远不如导体。但如果通过某种方式给价带中的电子提供能量,就可以将其激发到导带中,形成载流子,增加导电性。光照就是一种激励方式。当入射光的能量hν≥Eg(Eg为带隙间隔)时,价带中的电子就会吸收光子的能量,跃迁到导带,而在价带中下一个空穴,形成一对可以导电的电子——空穴对。这里的电子并未逸出形成光电子,但显然存在着由于光照而产生的电效应。因此,这种光电效应就是一种内光电效应。从理论和实验结果分析,要使价带中的电子跃迁到导带,也存在一个入射光的极限能量,即Eλ=hν0=Eg,其中ν0是低频限(即极限频率ν0=Egh)。这个关系也可以用长波限表示,即λ0=hcEg。入射光的频率大于ν0或波长小于λ0时,才会发生电子的带间跃迁。当入射光能量较小,不能使电子由价带跃迁到导带时,有可能使电子吸收光能后,在一个能带内的亚能级结构间跃迁。

光电三级管与光电二极管比较,光电三级管输出电流较大,一般在毫安级,但光照特性较差,多用于要求输出电流较大的场合。光电三极管有pnp和npn型两种结构,常用材料有硅和锗。例如用硅材料制作的npn型结有3DU型,pnp型有3CU型。采用硅npn型光电三极管,其暗电流比锗光电三极管小,且受温度变化影响小,所以得到位广泛应用。下面以3DU型光电三极管为例说明它的结构、工作原理与主要特性。3DU型光电三极管是以p型硅为基极的三极管。3DU管的结构和普通晶体管类似,只是在材料的掺杂情况、结面积的大小和基极引线的设置上和普通晶体管不同。因为光电三极管要响应光辐射,受光面即集电结(bc结)面积比一般晶体管大。另外,它是利用光控制集电极电流的,所以在基极上既可设置引线进行电控制,也可以不设,完全同光一控制。它的工作原理是工作时各电极所加的电压与普通晶体管相同,即要保证集电结反偏置,发射正偏听偏置。由于集电结是反偏压,在结区有很强的内建电场,对3DU管来讲,内建电场方向是由c到b的。和光电二极管工作原理相同。当光线照在物体上,使物体的电导率发生变化,或产生光生电动势的现象叫内光电效应。

在光照射下,半导体PN结中的原子因吸收光子而受到激发。光子能量大于禁带时会产生电子-空穴对的非平衡载流子,在内建电场的作用下空穴移向P区,电子移向N区,形成与内建电场方向相反的光生电场,于是在P区和N区间建立了光生电动势。这种光照无偏置的PN结所产生的光生电动势的现象称为光生伏特的效应,相当于在PN结两端施加正向电压。与光电导效应相反,光伏效应是一种少数载流子过程,少数载流子寿命通常短于多数载流子,也因此光伏效应的光电探测器通常比用相同材料制成的光电导探测器响应更快。光电探测器是光接收器的主要器件之一,用来将光功率转换为电流。高带宽光电探测器列表

APD适用于接收灵敏度要求高的长距离传输和高速率通信系统。深圳10G多模 PIN光电探测器要求

相干光通信系统的基本结构如下图所示。在发送端,采用外调制方式将信号调制到光载波上进行传输。当信号光传输到达接收端时,首先与一本振光信号进行相干耦合,然后由平衡接收机进行探测。相干光通信根据本振光频率与信号光频率不等或相等,可分为外差检测和零差检测。前者光信号经光电转换后获得的是中频信号,还需二次解调才能被转换成基带信号。后者光信号经光电转换后被直接转换成基带信号,不用二次解调,但它要求本振光频率与信号光频率严格匹配,并且要求本振光与信号光的相位锁定。深圳10G多模 PIN光电探测器要求

深圳市飞博光电,2018-09-30正式启动,成立了激光光源,光放大器,射频放大器,光电探测器等几大市场布局,应对行业变化,顺应市场趋势发展,在创新中寻求突破,进而提升飞博光电的市场竞争力,把握市场机遇,推动通信产品产业的进步。深圳市飞博光电经营业绩遍布国内诸多地区地区,业务布局涵盖激光光源,光放大器,射频放大器,光电探测器等板块。同时,企业针对用户,在激光光源,光放大器,射频放大器,光电探测器等几大领域,提供更多、更丰富的通信产品产品,进一步为全国更多单位和企业提供更具针对性的通信产品服务。深圳市飞博光电始终保持在通信产品领域优先的前提下,不断优化业务结构。在激光光源,光放大器,射频放大器,光电探测器等领域承揽了一大批高精尖项目,积极为更多通信产品企业提供服务。

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