光电三级管与光电二极管比较，光电三级管输出电流较大，一般在毫安级，但光照特性较差，多用于要求输出电流较大的场合。光电三极管有pnp和npn型两种结构，常用材料有硅和锗。例如用硅材料制作的npn型结有3DU型，pnp型有3CU型。采用硅npn型光电三极管，其暗电流比锗光电三极管小，且受温度变化影响小，所以得到位广泛应用。下面以3DU型光电三极管为例说明它的结构、工作原理与主要特性。3DU型光电三极管是以p型硅为基极的三极管。3DU管的结构和普通晶体管类似，只是在材料的掺杂情况、结面积的大小和基极引线的设置上和普通晶体管不同。因为光电三极管要响应光辐射，受光面即集电结（bc结）面积比一般晶体管大。另外，它是利用光控制集电极电流的，所以在基极上既可设置引线进行电控制，也可以不设，完全同光一控制。它的工作原理是工作时各电极所加的电压与普通晶体管相同，即要保证集电结反偏置，发射正偏听偏置。由于集电结是反偏压，在结区有很强的内建电场，对3DU管来讲，内建电场方向是由c到b的。和光电二极管工作原理相同。探测器表面存在一定宽度的接触掺杂区域，其中也会产生光子的消耗。石岩光电探测器定做价格
光电探测器是光接收器的主要器件之一，用来将光功率转换为电流。根据系统的性能目标，可以选用PIN或APD（雪崩光电二极管）光电探测器。误码率（BER）是用于指定通信传输系统可靠性的主要指标，通常与接收机灵敏度值相关，该值定义了必须到达光电探测器的较小平均光功率，以实现所需的BER性能。另外，信道的Q值可以从采样的信号统计中计算出来，并用于估计系统的误码率。光电探测器在定义基本通信系统的较终灵敏度方面起着重要的作用，因为它以散弹噪声和热噪声的形式提供统计扰动，并引入了暗电流及定义响应率来衡量每单位输入功率获得多少电输出。这些特性取决于入射光的波长和传感器的材料特性和物理设计。50GHZ PIN光电探测器优势线性度和灵敏度是衡量PIN型光电探测器性能的两个重要参数。
数字相干接收技术使得光传输系统具有足够的色散容限和偏振模容限，无需考虑线路传输上的色度色散和偏振模色散的影响，这给网络建设和运维带来一系列好处。工作原理在发送端，采用外调制方式将信号调制到光载波上进行传输。当信号光传输到达接收端时，首先与─本振光信号进行相干耦合，然后由平衡接收机进行探测。相干光通信根据本振光频率与信号光频率不等或相等，可分为外差检测和零差检测。前者光信号经光电转换后获得旳是中频信号，还需二次解调才能被转换成基带信号。后者光信号经光电转换后被直接转换成基带信号，不用二次解调，但它要求本振光频率与信号光频率严格匹配，并且要求本振光与信号光旳相位锁定。
光电流指在入射光照射下光电探测器所产生的光生电流，暗电流可以定义为没有光入射的情况下探测器存在的漏电流。其大小影响着光接收机的灵敏度大小，是探测器的主要指标之一。暗电流主要包括以下几种：①耗尽区中边界的少子扩散电流;②载流子的产生-复合电流，通过在加工中消除硅材料的晶格缺陷，可以有效减小载流子的产生-复合电流，通常对于高纯度的单晶硅产生-复合电流可以降低到2*1011A/nm2以下;③表面泄漏电流，在制造工艺结束时，对芯片表面进行钝化处理，可以将表面漏电流降低到1011A/nm2量级。当然，暗电流也受探测器工作温度和偏置电压的影响。探测器的暗电流与噪声是分不开的，通常光电探测器的噪声主要分为暗电流噪声、散粒噪声和热噪声：a暗电流噪声：对于一个光电探测器来讲，可接收的光功率是由探测器的暗电流大小决定的，所以减小探测器的暗电流能提高光接收机的灵敏度;b散粒噪声：当探测器接收入射光时，散粒噪声就产生于光子的产生-复合过程中。由于光生载流子的数量变化规律服从泊松统计分部，所以光生载流子的产生过程存在散粒噪声;c热噪声：由于导体中电子的随机运动会产生导体两端电压的波动，因此就会产生热噪声。可接收的光功率的大小是由探测器的暗电流决定的。
光电二极管的工作原理同光电池一样，都是基于PN结的光伏效应工作的。主要特点是结区面积小，通常工作于反偏置状态。因此内建电场很强，结区较宽，结电容小，因此频率特性爷比光电池好，但光电流较小。PIN光电二极管PN半导体中间夹了一层本征半导体，由于本征半导体近似于介质，相当于增大了NPNj结之间的距离，使结电容变小。PN半导体中耗尽层宽度随反向电压增加而加宽，将P区做得很薄，由于I层的存在，入射光子只能在I层被吸收，因此在I层形成高电场区，I区的光电子在强电场下加速运动，使得载流子渡越时间非常短，因此可以有效减小时间常数，提高工作频率特性。暗电流可以定义为没有光入射的情况下探测器存在的漏电流。石岩光电探测器定做价格
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1873年，英国W.史密斯发现硒的光电导效应，但是这种效应长期处于探索研究阶段，未获实际应用。第二次世界大战以后，随着半导体的发展，各种新的光电导材料不断出现。在可见光波段方面，到50年代中期，性能良好的硫化镉、硒化镉光敏电阻和红外波段的硫化铅光电探测器都已投入使用。60年代初，中远红外波段灵敏的Ge、Si掺杂光电导探测器研制成功，典型的例子是工作在3～5微米和8～14微米波段的Ge:Au（锗掺金）和Ge:Hg光电导探测器。60年代末以后,HgCdTe、PbSnTe等可变禁带宽度的三元系材料的研究取得进展。工作原理和特性光电导效应是内光电效应的一种。当照射的光子能量hv等于或大于半导体的禁带宽度Eg时，光子能够将价带中的电子激发到导带，从而产生导电的电子、空穴对,这就是本征光电导效应。这里h是普朗克常数，v是光子频率,Eg是材料的禁带宽度（单位为电子伏）。因此，本征光电导体的响应长波限λc为λc=hc/Eg=1.24/Eg(μm)式中c为光速。本征光电导材料的长波限受禁带宽度的限制。石岩光电探测器定做价格
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