光相干接收机的一个优点是数字信号处理功能。数字相干接收机的解调过程是完全线性的；所有传输光信号的复杂幅度信息包括偏振态在检测后被保存分析，因此可以进行各种信号补偿处理，比如做色度色散补偿和偏振模式色散补偿。这就使得长距离传输的链路设计变得更加简单，因为传统的非相干光通信是要通过光路补偿器件来进行色散补偿等工作的。（传统传输链路的色散问题，即光信号各个组成成分在光纤中传输时，抵达时间不一样。）相干接收机比普通的接收机灵敏度高大约20dB,因此在传输系统中无中继的距离就会越长。得益于接收机的高灵敏度，我们可以减少在长距离传输光路上进行放大的次数。基于以上原因，相干光通信可以减少长距离传输的光纤架设成本，简化光路放大和补偿设计，因此在长距离传输网上成为了主要的应用技术。光生伏特的效应是指光照使不均匀半导体或半导体与金属结合的不同部位之间产生电位差的现象。APD光电探测器解释
光电三级管与光电二极管比较，光电三级管输出电流较大，一般在毫安级，但光照特性较差，多用于要求输出电流较大的场合。光电三极管有pnp和npn型两种结构，常用材料有硅和锗。例如用硅材料制作的npn型结有3DU型，pnp型有3CU型。采用硅npn型光电三极管，其暗电流比锗光电三极管小，且受温度变化影响小，所以得到位广泛应用。下面以3DU型光电三极管为例说明它的结构、工作原理与主要特性。3DU型光电三极管是以p型硅为基极的三极管。3DU管的结构和普通晶体管类似，只是在材料的掺杂情况、结面积的大小和基极引线的设置上和普通晶体管不同。因为光电三极管要响应光辐射，受光面即集电结（bc结）面积比一般晶体管大。另外，它是利用光控制集电极电流的，所以在基极上既可设置引线进行电控制，也可以不设，完全同光一控制。它的工作原理是工作时各电极所加的电压与普通晶体管相同，即要保证集电结反偏置，发射正偏听偏置。由于集电结是反偏压，在结区有很强的内建电场，对3DU管来讲，内建电场方向是由c到b的。和光电二极管工作原理相同。APD光电探测器解释光电流在外部电路作用下形成电信号并输出。
光电二极管的工作原理同光电池一样，都是基于PN结的光伏效应工作的。主要特点是结区面积小，通常工作于反偏置状态。因此内建电场很强，结区较宽，结电容小，因此频率特性爷比光电池好，但光电流较小。PIN光电二极管PN半导体中间夹了一层本征半导体，由于本征半导体近似于介质，相当于增大了NPNj结之间的距离，使结电容变小。PN半导体中耗尽层宽度随反向电压增加而加宽，将P区做得很薄，由于I层的存在，入射光子只能在I层被吸收，因此在I层形成高电场区，I区的光电子在强电场下加速运动，使得载流子渡越时间非常短，因此可以有效减小时间常数，提高工作频率特性。
相干接收：在接收设备中利用载波相位信息去检测并接收信号。非相干接收：在接收设备中不用载波相位信息去检测就接收信号。主要是在于接收端用不用提供同频同相的载波。在相干光通信中主要利用了相干调制和外差检测技术。所谓相干调制，就是利用要传输旳信号来改变光载波旳频率、相位和振幅（而不象强度检测那样只是改变光旳强度），这就需要光信号有确定旳频率和相位（而不象自然光那样没有确定旳频率和相位），即应是相干光。激光就是─种相干光。所谓外差检测，就是利用─束本机振荡产生旳激光与输入旳信号光在光混频器中进行混频，得到与信号光旳频率、位相和振幅按相同规律变化旳中频信号。利用内光电效应制成的光子型探测器是用半导体材料制成的固态电子器件，包括光电导探测器和光伏型探测器等。
PIN光电二极管优点在于响应度高响应速度快，频带也较宽工作电压低，偏置电路简单在反偏压下可承受较高的反向电压，而缺点在于I层电阻很大管子的输出电流小，一般多为零点几微安至数微安。APD雪崩二极管具有功率大、效率高等优点，它是固体微波源，特别是毫米波发射源的主要功率器件，较广地使用于雷达、通信、遥控、遥测、仪器仪表中，其主要缺点是噪声较大。PN结型光电二极管与其他类型的光探测器一样，在诸如光敏电阻、感光耦合元件（Charge-coupledDevice,CCD）以及光电倍增管等设备中有着广泛应用。它们能够根据所受光的照度来输出相应的模拟电信号（例如测量仪器）或者在数字电路的不同状态间切换（例如控制开关、数字信号处理）。光电二极管在消费电子产品，例如CD播放器、烟雾探测器以及控制电视机、空调的红外线遥控设备中也有应用。非相干接收：在接收设备中不用载波相位信息去检测就接收信号。飞博光电双通道平衡光电探测器卖价
PIN缺点在于I层电阻很大管子的输出电流小，一般多为零点几微安至数微安。APD光电探测器解释
当光线照在物体上，使物体的电导率发生变化，或产生光生电动势的现象叫内光电效应。利用这种现象可以制成阴极射线管、光电倍增管和摄像管的光阴极等。半导体材料的价带与导带间有一个带隙，其能量间隔为Eg。一般情况下，价带中的电子不会自发地跃迁到导带，所以半导体材料的导电性远不如导体。但如果通过某种方式给价带中的电子提供能量，就可以将其激发到导带中，形成载流子，增加导电性。光照就是一种激励方式。当入射光的能量hν≥Eg(Eg为带隙间隔)时，价带中的电子就会吸收光子的能量，跃迁到导带，而在价带中下一个空穴，形成一对可以导电的电子——空穴对。这里的电子并未逸出形成光电子，但显然存在着由于光照而产生的电效应。因此,这种光电效应就是一种内光电效应。从理论和实验结果分析,要使价带中的电子跃迁到导带,也存在一个入射光的极限能量,即Eλ=hν0=Eg,其中ν0是低频限(即极限频率ν0=Egh)。这个关系也可以用长波限表示,即λ0=hcEg。入射光的频率大于ν0或波长小于λ0时,才会发生电子的带间跃迁。当入射光能量较小,不能使电子由价带跃迁到导带时,有可能使电子吸收光能后,在一个能带内的亚能级结构间跃迁。APD光电探测器解释
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