设备DDR3测试修理

单击Next按钮，出现Setup Trace Check Wizard窗口，确保网络组的所有网络都被选中, 单击Finish按钮。

  单击Save File with Error Check保存文件，保存结束后，单击Start Simulation开始仿 真。仿真完成后，仿真结果包括Workflow中Results and Report的所有内容。如果在Setup Trace Check Parameters 的步骤 net selection 时选的是 check all signal nets 或者 check all enabled signal nets 模式，那么仿真结果只有 Net Impedance Summary 和 Net Co叩ling Summaryo

  单击Net Impedance Summary,出现阻抗总结表格，包括网络序号、网络名称、无参 考平面的走线数目、回流不连续的走线数目、过孔数目、比较大阻抗值、小阻抗值、主导阻 抗值、主导阻抗走线长度百分比、走线总长度、走线延时。 DDR3一致性测试是否需要经常进行？设备DDR3测试修理

DDR4： DDR4釆用POD12接口，I/O 口工作电压为1.2V；时钟信号频率为800〜1600MHz； 数据信号速率为1600〜3200Mbps；数据命令和控制信号速率为800〜1600Mbps。DDR4的时 钟、地址、命令和控制信号使用Fly-by拓扑走线；数据和选通信号依旧使用点对点或树形拓 扑，并支持动态ODT功能；也支持Write Leveling功能。

综上所述，DDR1和DDR2的数据和地址等信号都釆用对称的树形拓扑；DDR3和DDR4的数据信号也延用点对点或树形拓扑。升级到DDR2后，为了改进信号质量，在芯片内为所有数据和选通信号设计了片上终端电阻ODT(OnDieTermination)，并为优化时序提供了差分的选通信号。DDR3速率更快，时序裕量更小，选通信号只釆用差分信号。 设备DDR3测试修理是否可以在运行操作系统时执行DDR3一致性测试？

DDR3： DDR3釆用SSTL_15接口，I/O 口工作电压为1.5V；时钟信号频率为400〜 800MHz；数据信号速率为800〜1600Mbps,通过差分选通信号双沿釆样；地址/命令/控制信 号在1T模式下速率为400〜800Mbps,在2T模式下速率为200〜400Mbps；数据和选通信号 仍然使用点对点或树形拓扑，时钟/地址/命令/控制信号则改用Fly-by的拓扑布线；数据和选 通信号有动态ODT功能；使用Write Leveling功能调整时钟和选通信号间因不同拓扑引起的 延时偏移，以满足时序要求。

那么在下面的仿真分析过程中，我们是不是可以就以这两个图中的时序要求作为衡量标准来进行系统设计呢?答案是否定的，因为虽然这个时序是规范中定义的标准，但是在系统实现中，我们所使用的是Micron的产品，而后面系统是否能够正常工作要取决干我们对Micron芯片的时序控制程度。所以虽然我们通过阅读DDR规范文件了解到基本设计要求，但是具体实现的参数指标要以Micron芯片的数据手册为准。换句话说，DDR的工业规范是芯片制造商Micron所依据的标准，而我们设计系统时，既然使用了Micron的产品，那么系统的性能指标分析就要以Micron的产品为准。所以，接下来的任务就是我们要在Micron的DDR芯片手册和作为控制器的FPGA数据手册中，找到类似的DDR规范的设计要求和具体的设计参数。是否可以在已通过一致性测试的DDR3内存模块之间混搭？

· 相关器件的应用手册，ApplicationNote：在这个文档中，厂家一般会提出一些设计建议，甚至参考设计，有时该文档也会作为器件手册的一部分出现在器件手册文档中。但是在资料的搜集和准备中，要注意这些信息是否齐备。

· 参考设计，ReferenceDesign：对于比较复杂的器件，厂商一般会提供一些参考设计，以帮助使用者尽快实现解决方案。有些厂商甚至会直接提供原理图，用户可以根据自己的需求进行更改。

· IBIS 文件：这个对高速设计而言是必需的，获得的方法前面已经讲过。 DDR3内存的一致性测试是否会降低内存模块的寿命？甘肃HDMI测试DDR3测试

DDR3一致性测试可以帮助识别哪些问题？设备DDR3测试修理

从DDR1、DDR2、DDR3至U DDR4,数据率成倍增加，位宽成倍减小，工作电压持续降 低，而电压裕量从200mV减小到了几十毫伏。总的来说，随着数据传输速率的增加和电压裕 量的降低，DDRx内存子系统对信号完整性、电源完整性及时序的要求越来越高，这也给系 统设计带来了更多、更大的挑战。

Bank> Rank及内存模块

1.BankBank是SDRAM颗粒内部的一种结构，它通过Bank信号BA(BankAddress)控制，可以把它看成是对地址信号的扩展，主要目的是提高DRAM颗粒容量。对应于有4个Bank的内存颗粒，其Bank信号为BA[1:O],而高容量DDR2和DDR3颗粒有8个Bank,对应Bank信号为BA[2:0],在DDR4内存颗粒内部有8个或16个Bank，通过BA信号和BG(BankGroup)信号控制。2GB容量的DDR3SDRAM功能框图，可以从中看到芯片内部由8个Bank组成(BankO,Bankl,…，Bank7),它们通过BA[2:0]这三条信号进行控制。 设备DDR3测试修理