DDR测试
测试软件运行后，示波器会自动设置时基、垂直增益、触发等参数进行测量并汇总成一个测试报告，测试报告中列出了测试的项目、是否通过、spec的要求、实测值、margin等。图5.17是自动测试软件进行DDR4眼图睁开度测量的一个例子。信号质量的测试还可以辅助用户进行内存参数的配置，比如高速的DDR芯片都提供有ODT(OnDieTermination)的功能，用户可以通过软件配置改变内存芯片中的匹配电阻，并分析对信号质量的影响。除了一致性测试以外，DDR测试软件还可以支持调试功能。比如在某个关键参数测试失败后，可以针对这个参数进行Debug。此时，测试软件会捕获、存储一段时间的波形并进行参数统计，根据统计结果可以查找到参数违规时对应的波形位置， DDR协议检查后生成的测试报告；江苏DDR测试系列
对于DDR2和DDR3，时钟信号是以差分的形式传输的，而在DDR2里，DQS信号是以单端或差分方式通讯取决于其工作的速率，当以高度速率工作时则采用差分的方式。显然，在同样的长度下，差分线的切换时延是小于单端线的。根据时序仿真的结果，时钟信号和DQS也许需要比相应的ADDR/CMD/CNTRL和DATA线长一点。另外，必须确保时钟线和DQS布在其相关的ADDR/CMD/CNTRL和DQ线的当中。由于DQ和DM在很高的速度下传输，所以，需要在每一个字节里，它们要有严格的长度匹配，而且不能有过孔。差分信号对阻抗不连续的敏感度比较低，所以换层走线是没多大问题的，在布线时优先考虑布时钟线和DQS。江苏DDR测试系列主流DDR内存标准的比较；
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内存条测试对内存条测试的要求是千差万别的。DDR内存条的制造商假定已经进行过芯片级半导体故障的测试，因而他们的测试也就集中在功能执行和组装错误方面。通过采用DDR双列直插内存条和小型双列直插内存条，可以有三种不同内存条测试仪方案：双循环DDR读取测试。这恐怕是简单的测试仪方案。大多数的测试仪公司一般对他们现有的SDR测试仪作一些很小的改动就将它们作为DDR测试仪推出。SDR测试仪的写方式是将同一数据写在连续排列的二个位上。在读取过程中，SDR测试仪能首先读DDR内存条的奇数位数据。然后，通过将数据锁存平移半个时钟周期，由第二循环读偶数位。这使得测试仪能完全访问DDR内存单元。该方法没有包括真正的突发测试，而且也不是真正的循环周期测试。
7.时序对于时序的计算和分析在一些相关文献里有详细的介绍，下面列出需要设置和分析的8个方面：1）写建立分析：DQvs.DQS2）写保持分析：DQvs.DQS3）读建立分析：DQvs.DQS4）读保持分析：DQvs.DQS5）写建立分析：DQSvs.CLK6）写保持分析：DQSvs.CLK7）写建立分析：ADDR/CMD/CNTRLvs.CLK8）写保持分析：ADDR/CMD/CNTRLvs.CLK
一个针对写建立（WriteSetup）分析的例子。表中的一些数据需要从控制器和存储器厂家获取，段”Interconnect”的数据是取之于SI仿真工具。对于DDR2上面所有的8项都是需要分析的，而对于DDR3，5项和6项不需要考虑。在PCB设计时，长度方面的容差必须要保证totalmargin是正的。 DDR测试USB眼图测试设备？
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主要的DDR相关规范，对发布时间、工作频率、数据 位宽、工作电压、参考电压、内存容量、预取长度、端接、接收机均衡等参数做了从DDR1 到 DDR5的电气特性详细对比。可以看出DDR在向着更低电压、更高性能、更大容量方向演 进，同时也在逐渐采用更先进的工艺和更复杂的技术来实现这些目标。以DDR5为例，相 对于之前的技术做了一系列的技术改进，比如在接收机内部有均衡器补偿高频损耗和码间 干扰影响、支持CA/CS训练优化信号时序、支持总线反转和镜像引脚优化布线、支持片上 ECC/CRC提高数据访问可靠性、支持Loopback(环回)便于IC调测等。 什麽是DDR内存？如何测试？江苏DDR测试系列
DDR4物理层一致性测试；江苏DDR测试系列
2.PCB的叠层（stackup）和阻抗对于一块受PCB层数约束的基板（如4层板）来说，其所有的信号线只能走在TOP和BOTTOM层，中间的两层，其中一层为GND平面层，而另一层为VDD平面层，Vtt和Vref在VDD平面层布线。而当使用6层来走线时，设计一种拓扑结构变得更加容易，同时由于Power层和GND层的间距变小了，从而提高了电源完整性。互联通道的另一参数阻抗，在DDR2的设计时必须是恒定连续的，单端走线的阻抗匹配电阻50Ohms必须被用到所有的单端信号上，且做到阻抗匹配，而对于差分信号，100Ohms的终端阻抗匹配电阻必须被用到所有的差分信号终端，比如CLOCK和DQS信号。另外，所有的匹配电阻必须上拉到VTT，且保持50Ohms，ODT的设置也必须保持在50Ohms。在DDR3的设计时，单端信号的终端匹配电阻在40和60Ohms之间可选择的被设计到ADDR/CMD/CNTRL信号线上，这已经被证明有很多的优点。而且，上拉到VTT的终端匹配电阻根据SI仿真的结果的走线阻抗，电阻值可能需要做出不同的选择，通常其电阻值在30-70Ohms之间。而差分信号的阻抗匹配电阻始终在100Ohms。江苏DDR测试系列
