企业商机
三极管基本参数
  • 品牌
  • 南科功率
  • 型号
  • 齐全
  • 应用范围
  • 功率,复合,差分,放大,振荡,达林顿,高反压,带阻尼,开关,微波,磁敏,光敏
  • 材料
  • 锗(Ge),硅(Si)
三极管企业商机

三极管是一种控制元件,主要用来控制电流的大小,以共发射极接法为例(信号从基极输入,从集电极输出,发射极接地),当基极电压UB有一个微小的变化时,基极电流IB也会随之有一小的变化,受基极电流IB的控制,集电极电流IC会有一个很大的变化,基极电流IB越大,集电极电流IC也越大,反之,基极电流越小,集电极电流也越小,即基极电流控制集电极电流的变化。但是集电极电流的变化比基极电流的变化大得多,这就是三极管的放大作用。IC 的变化量与IB变化量之比叫做三极管的放大倍数β(β=ΔIC/ΔIB, Δ表示变化量),三极管的放大倍数β一般在几十到几百倍。在设计电路时,合理利用三极管的特性,能够实现信号的整形、滤波等复杂功能。广州三极管厂家

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极限参数:a.集电极较大允许电流ICM集电极较大允许电流是指当集电极电流IC增加到某一数值,引起β值下降到额定值的2/3或1/2时的IC值。所以当集电极电流超过集电极较大允许电流时,虽然不致使管子损坏,但β值明显下降,影响放大质量。b.集电极—基极击穿电压U(BR)CBO集电极—基极击穿电压是指当发射极开路时,集电结的反向击穿电压。c.发射极—基极反向击穿电压U(BR)EBO发射极—基极反向击穿电压是指当集电极开路时,发射结的反向击穿电压。d.集电极—发射极击穿电压U(BR)CEO集电极—发射极击穿电压是指当基极开路时,加在集电极和发射极之间的较大允许电压,使用时如果UCE>U(BR)CEO,管子就会被击穿。e.集电极较大允许耗散功率PCM集电极较大允许耗散功率是指管子因受热而引起参数的变化不超过允许值时的较大集电极耗散功率。惠州锗管三极管市场价格三极管的封装形式多样,常见的有TO-92、TO-220等。

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三极管的 3 种工作状态,分别是截止状态、放大状态、饱和状态。接下来分享在其他公众号看到的一种通俗易懂的讲法:1、截止状态,三极管的截止状态,这应该是比较好理解的,当三极管的发射结反偏,集电结反偏时,三极管就会进入截止状态。这就相当于一个关紧了的水龙头,水龙头里的水是流不出来的。截止状态下,三极管各电极的电流几乎为0,集电极和发射极互不相通。2、放大状态,当三极管发射结正偏,集电结反偏,三极管就会进入放大状态。在放大状态下,三极管就相当于是一个受控制的水龙头,水龙头流出水流的大小受开关(基极)控制,开关拧大一点,流出的水就会大一点。也就是放大状态下,基极的电流大一点,集电极的电流也会跟着变大!并且ic与ib存在一定比例关系,ic = β ib,β是直流电流放大系数,表示三极管放大能力的大小。3、饱和状态,当三极管发射结正偏,集电结正偏时,三极管工作在饱和状态。

交流参数:a.交流电流放大系数β(或hFE)交流电流放大系数是指采用共发射极接法时,集电极输出电流的变化量ΔIC与基极输入电流的变化量ΔIB之比。b.截止频率fβ、fα晶体管的频率参数描述晶体管的电流放大系数对高频信号的适应能力。根据fβ的定义,所谓共射截止频率,并非说明此时晶体管已经完全失去放大作用,而只是共射电流放大系数的幅频特性下降了3dB。c.特征频率因为信号频率ƒ上升时,晶体管的β就下降,当β下降到1时,所对应的信号频率称为共发射极特征频率,是表征晶体管高频特性的重要参数。三极的工作速度受到载流子传输时间的影响,需考虑工作频率限制。

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可能朋友们都有一个疑惑,集电结反向偏置了应该截止,怎么导通了?击穿了?这还要从二极管原理说起,上一篇介绍了二极管原理的文章提到了,当给PN结施加反向偏置电压的时候,内部电场强度增强,空间电荷区变宽,空间电荷区的自由电子被电场加速,穿过PN结形成反向饱和电流。当然这些自由电子属于少子,形成的反向电流也很小。如果人为把自由电子注入空间电荷区,这些电子同样被电场加速形成反向电流。因此只需要控制注入的电子数量就能够实现对电流的控制。三极管的工作原理基于PNP或NPN型晶体管的导电性控制。深圳复合三极管生产厂家

三极管还可用作开,通过基极电变化实现集电极与射极间的通或截止。广州三极管厂家

三极管具有三个工作状态,分别为:截止区、放大区、饱和区。在模拟电路中可以用这些特性实现不一样的功能,在数字电路中,只有0和1两个状态,所以数字电路中三极管主要用作电子开关来使用,这时候三极管工作在截止和饱和状态,即要么导通,要么断开,就相当于一个开关。三极管的原理,三极管的工作原理相对比较复杂,这里不做详细讲解,用一个图来意会一下,记住这张图你就会能知道的是怎么工作的了,详细知识可以参考专业资料做进一步了解,有不懂的可以留言或与小编交流。广州三极管厂家

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