杭州开关二极管

反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，破坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，不容易产生齐纳击穿。雪崩击穿，另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时，外加电场使电子漂移速度加快，从而与共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子，载流子雪崩式地增加，致使电流急剧增加，这种击穿称为雪崩击穿。无论哪种击穿，若对其电流不加限制，都可能造成PN结长久性损坏。二极管采用PN结构，正向偏置时电子和空穴结合，反向偏置时形成势垒，导致电流很小。杭州开关二极管

二极管是一种具有单向导电的二端器件，有电子二极管和晶体二极管之分，电子二极管现已很少见到，比较常见和常用的多是晶体二极管。二极管的单向导电特性，几乎在所有的电子电路中，都要用到半导体二极管，它在许多的电路中起着重要的作用，它是诞生较早的半导体器件之一，其应用也非常普遍。二极管的管压降：硅二极管（不发光类型）正向管压降0.7V，锗管正向管压降为0.3V，发光二极管正向管压降会随不同发光颜色而不同。主要有三种颜色，具体压降参考值如下：红色发光二极管的压降为2.0--2.2V，黄色发光二极管的压降为1.8—2.0V，绿色发光二极管的压降为3.0—3.2V，正常发光时的额定电流约为20mA。广州收音机二极管哪家好正确连接二极管时，应注意极性避免反接。

二极管的参数是正确使用二极管的依据，一般半导体器件手册中都给出不同型号管子参数。使用时，应特别注意不要超过较大整流电流和较高反向工作电压，否则将容易损坏管子。用数字表示同类型器件的不同型号用字母表示器件的类型，P表示普通管用字母表示器件的材料，A表示N型Ge.B表示P型Ge，C表示N型Si，D表示P型Si 2表示二极管，3表示三极管。普通二极管（包括检波二极管、整流二极管、阻尼二极管、开关二极管、续流二极管）是由一个PN结构成的半导体器件，具有单向导电特性。通过用万用表检测其正、反向电阻值，可以判别出二极管的电极，还可估测出二极管是否损坏。

触发二极管，触发二极管又称双向触发二极管，英文名称为Diode AC switch,简写为DIAC，触发二极管实际上是一种电压控制元件，一般的它们都有一个触发电压，当两端电压低于这个触发电压的时候，二极管是开路状态，当电压达到触发电压的时候，二极管瞬间导通，将电压输出。双向二极管的正反两个方向都有稳压作用，就如同两个稳压二极管反向串连，它的两端不论正反哪个反向达到了稳定电压（既其中一个稳压极管）的反向击穿电压都可以使得其两端的电压基本保持不变（在其允许的电流范围内），因此正常情况下触发二极管是双向都不导通的。触发二极管的引脚没有正负极性的区分，原理图的种类比较多，一般都是两个二极管集成在一起的，触发二极管的原理图和PCB库如下图所示。正向偏置时，二极管内部的PN结被击穿，形成低电阻通道。

稳压二极管和普通二极管结构区别，稳压二极管和普通二极管在结构上也有所不同。稳压二极管一般由三层不同类型的半导体材料组成，即P型半导体、N型半导体和Intrinsic型半导体。这种特殊结构使得稳压二极管在反向电压超过其工作电压时，能够迅速将反向电流增大，同时保持电压恒定。这种特性使得稳压二极管能够在电路中发挥稳定的电压支撑作用。而普通二极管则只有两层半导体材料，即P型半导体和N型半导体。这种简单结构使得普通二极管在正向电压下能够导通，而在反向电压下则截止。这种结构使得普通二极管在开关电路和整流电路中能够发挥良好的性能。二极管是电子电路中的基础元件，具有单向导电性，常用于整流、开关等电路中。徐州二极管参数

二极管在电路中的位置和方向对电路功能有重要影响。杭州开关二极管

在高电压或大电流的情况下,如果手头没有承受高电压或整定大电滤的整流元件,可以把二极管串联或并联起来使用，二极管并联的情况:两只二极管并联、每只分担电路总电流的一半口三只二极管并联,每只分担电路总电流的三分之一。总之,有几只二极管并联,"流经每只二极管的电流就等于总电流的几分之一。但是,在实际并联运用时",由于各二极管特性不完全一致,不能均分所通过的电流,会使有的管子困负担过重而烧毁。因此需在每只二极管上串联一只阻值相同的小电阻器,使各并联二极管流过的电流接近一致。这种均流电阻R一般选用零点几欧至几十欧的电阻器。电流越大,R应选得越小。杭州开关二极管

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