广州差分对管三极管

极限参数：a.集电极较大允许电流ICM集电极较大允许电流是指当集电极电流IC增加到某一数值，引起β值下降到额定值的2/3或1/2时的IC值。所以当集电极电流超过集电极较大允许电流时，虽然不致使管子损坏，但β值明显下降，影响放大质量。b.集电极—基极击穿电压U(BR)CBO集电极—基极击穿电压是指当发射极开路时，集电结的反向击穿电压。c.发射极—基极反向击穿电压U(BR)EBO发射极—基极反向击穿电压是指当集电极开路时，发射结的反向击穿电压。d.集电极—发射极击穿电压U(BR)CEO集电极—发射极击穿电压是指当基极开路时，加在集电极和发射极之间的较大允许电压，使用时如果UCE＞U(BR)CEO，管子就会被击穿。e.集电极较大允许耗散功率PCM集电极较大允许耗散功率是指管子因受热而引起参数的变化不超过允许值时的较大集电极耗散功率。三极管作为电子电路中的基础元件，对于电子爱好者来说，深入了解其原理和使用方法是非常必要的。广州差分对管三极管

半导体三极管的好坏检测：a.先选量程：R﹡100或R﹡1K档位；b.测量PNP型半导体三极管的发射极和集电极的正向电阻值。红表笔接基极，黑表笔接发射极，所测得阻值为发射极正向电阻值，若将黑表笔接集电极（红表笔不动），所测得阻值便是集电极的正向电阻值，正向电阻值愈小愈好。c.测量PNP型半导体三极管的发射极和集电极的反向电阻值。将黑表笔接基极，红表笔分别接发射极与集电极，所测得阻值分别为发射极和集电极的反向电阻，反向电阻愈小愈好。d.测量NPN型半导体三极管的发射极和集电极的正向电阻值的方法和测量PNP型半导体三极管的方法相反。广州差分对管三极管现货直发开关三极管可以用于实现数字逻辑门、计时器和脉冲发生器等电子电路。

三极管的分类：1、按材质分: 硅管（导通压降0.7V）、锗管（导通压降0.3V）。2、按结构分: NPN 、 PNP。3、按功能分: 开关管、功率管、达林顿管、光敏管。达林顿管：又叫复合管，将两个三极管串联，以组成一只等效的新的三极管。接法总共有4种：NPN+NPN、NPN+PNP、PNP+PNP、PNP+NPN。4、按功率分：小功率管（<500mW）、中等功率管（500mW~1W）、大功率管（>1W）。5、按工作频率分：低频管(小于3Mhz)、高频管（3-30Mhz）、超频管（30-500Mhz）。6、按封装分：插件三极管、贴片三极管。

三极管简介，三极管，全称为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种电流控制电流的半导体器件，其作用是把基极电流的微小变化去控制集电极电流的巨大变化， 也用作无触点开关。单片机应用电路中三极管主要的作用就是开关作用。三极管的常用型号，三极管常用的型号有MMBTxxxx（单管）、MMDTxxxx（2合1三极管）、SS/Sxxxx（SS是原装进口，S是国产）、2Nxxxx。单管：MMBT3904或3906（注：3904是NPN管，3906是PNP管）、8050或8550（注：8050是NPN管，8550是PNP管）、9013或9014（都是NPN管）、MMBT5551或5401、MMBT2222A、D882、BCX56。2合1三极管：MMDT5551或5401、MMDT2227。三极管的放大功能实现还要求基极和发射极之间加正向电压（发射结正偏），基极与集电极之间加反向电压（集电结反偏）。三极管是一种半导体器件，常用于放大和开关电路中。

三极管是一种控制元件，主要用来控制电流的大小，以共发射极接法为例（信号从基极输入，从集电极输出，发射极接地），当基极电压UB有一个微小的变化时，基极电流IB也会随之有一小的变化，受基极电流IB的控制，集电极电流IC会有一个很大的变化，基极电流IB越大，集电极电流IC也越大，反之，基极电流越小，集电极电流也越小，即基极电流控制集电极电流的变化。但是集电极电流的变化比基极电流的变化大得多，这就是三极管的放大作用。IC 的变化量与IB变化量之比叫做三极管的放大倍数β（β=ΔIC/ΔIB, Δ表示变化量），三极管的放大倍数β一般在几十到几百倍。三极管通过少量的输入信号控制大功率的输出信号，实现信号放大的功能。东莞锗管三极管尺寸

负载能力是衡量三极管性能的重要指标，影响电路的稳定性和可靠性。广州差分对管三极管

光敏（光电）三极管，光敏三极管的基区面积比普通三极管大，而发射区面积较小。光敏三极管具有对光电信号的放大作用，当光电信号从基极（大多数光窗口即为基极）输入时，激发了基区半导体，产生电子和空穴的运动，从而在发射区有空穴的积累，相等于在发射极施加了正向偏压，使光敏三极管有放大作用。通过光敏三极管就得到了随入射光变化而放大的电信号。使用于光探测、光电传感器、自动控制、光耦合、编码器、译码器、激光接受等方面。广州差分对管三极管