东莞半导体二极管加工

点接触式二极管，点接触式二极管和下文所述的面接触式二极管工作原理类似，不过构造较为简单。主要结构即为一个由第三主族金属制成的导电的顶端，和一块与其相接触的N型半导体。一些金属会进入半导体，接触面的这一小片区域就成为了P型半导体。长期流行的1N34锗型二极管，目前还在无线电接收器中的检波器中使用，并有时会在一些应用模拟电子的场合使用。整流动作，当二极管两边施加电压时，耗尽区的宽度，PN结势垒高低均会发生变化，导致二极管的电阻发生变化。二极管在电子行业中普遍应用，是现代电子设备不可或缺的组成部分。东莞半导体二极管加工

反向偏置（Reverse Bias），在阳极侧施加相对阴极负的电压，就是反向偏置，所加电压为反向偏置。这种情况下，因为N型区域被注入空穴，P型区域被注入电子，两个区域内的主要载流子都变为不足，因此结合部位的耗尽层变得更宽，内部的静电场也更强，扩散电位也跟着变大。这个扩散电位与外部施加的电压互相抵销，让反向的电流更难以通过。更多的细节请参阅“PN结”条目。实际的元件虽然处于反向偏置状态，也会有微小的反向电流（漏电流、漂移电流）通过。当反向偏置持续增加时，还会发生 隧道击穿 或 雪崩击穿 或 崩溃 ，发生急遽的电流增加。开始产生这种击穿现象的（反向）电压被称为 击穿电压 。超过击穿电压以后反向电流急遽增加的区域被称为 击穿区 （ 崩溃区 ）。在击穿区内，电流在较大的范围内变化而二极管反向压降变化较小。稳压二极管就利用这个区域的动作特性而制成，可以作为电压源使用。惠州平面型二极管规格二极管还可以用于信号放大和频率变换等电路，提高电路的性能。

PIN二极管，PIN二极管英文名称为Pin diode，是一种在光通信中普遍使用的光电二极管。它是在P区和N区之间夹一层本征半导体（或低浓度杂质的半导体）构造出来的一种晶体二极管。PIN中的I是"本征"意义的英文略语。当其工作频率超过100MHz时，由于少数载流子的存贮效应和"本征"层中的渡越时间效应，其二极管失去整流作用而变成阻抗元件，并且，其阻抗值随偏置电压而改变。在零偏置或直流反向偏置时，"本征"区的阻抗很高；在直流正向偏置时，由于载流子注入"本征"区，而使"本征"区呈现出低阻抗状态。因此，可以把PIN二极管作为可变阻抗元件使用。它常被应用于高频开关（即微波开关）、移相、调制、限幅等电路中。

在1884年，爱迪生被授予了此项发明的专业技术。由于当时这种装置实际上并不能看出实用价值，这项专业技术更多地是为了防止别人声称较早发现了这一所谓“爱迪生效应”。20年后，约翰·弗莱明（爱迪生前雇员）发现了这一效应的实用价值，它可以用来制作精确检波器。1904年11月16日，头一个真正的热离子二极管——弗莱明管，由弗莱明在英国申请了专业技术。1874年，德国物理学家卡尔·布劳恩发现了晶体的“单向传导”的能力 ，并在1899年将晶体整流器申请了专业技术 [9] 。氧化亚铜和硒整流器则是在1930年代为了供电应用而发明的。二极管作为电子元器件的重要一员，其发展和应用推动了电子技术的进步。

光电二极管在电路中一般处于反向工作状态，在没有光照时，反向电阻很大，反向电流被称为暗电流，此时暗电流小，相当于断路；当光照射在PN结上时，光子打在PN附近，使PN结附近产生光生电子和光生空穴对，他们在PN结处的内电场作用下做定向运动，形成光电流，光的照射强度越大，光电流就越大。因此，光电二极管在不受光照射时处于截止状态，在受光照射时处于导通状态，在电路中经常做为一个开关器件使用。如果正接了，那就和普通二极管功能一样了。在使用二极管时，需注意其正向电压和反向击穿电压的限制，以免损坏器件。东莞半导体二极管加工

二极管在逆向电压下要避免击穿，以防损坏器件。东莞半导体二极管加工

接面电压，当二极管的P-N结处于正向偏置时，必须有相当的电压被用来贯通耗尽区，导致形成一反向的电压源，此电压源的电压就称为障壁电压，硅二极管的障壁电压约0.6V～0.7V，锗二极管的障壁电压约0.3～0.4V。种类：依照材料及发展年代分类：二极真空管；锗二极管；硒二极管；硅二极管；砷化镓二极管。依照应用及特性分类：PN结二极管（PN Diode），施加正向偏置，利用半导体中PN接合的整流性质，是较基本的半导体二极管，常见应用于整流方面以及与电感并联保护其他元件用。细节请参照PN结的条目。东莞半导体二极管加工