二极管的正向特性,当外加正向电压时,随着电压U的逐渐增加,电流I也增加。但在开始的一段,由于外加电压很低。外电场不能克服PN结的内电场,半导体中的多数载流子不能顺利通过阻挡层,所以这时的正向电流极小(该段所对应的电压称为死区电压,硅管的死区电压约为0~0.5伏,锗管的死区电压约为0~0.2伏)。当外加电压超过死区电压以后,外电场强于PN结的内电场,多数载流子大量通过阻挡层,使正向电流随电压很快增长。即:当V>0,二极管处于正向特性区域。正向区又分为两段:当0<V<Vth时,正向电流为零,Vth称为死区电压或开启电压。当V>Vth时,开始出现正向电流,并按指数规律增长。. 在电源管理中,稳压二极管可提供稳定的电压输出。深圳键型二极管厂家供应
晶体二极管分类如下:平面型二极管,在半导体单晶片(主要地是N型硅单晶片)上,扩散P型杂质,利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用,在N型硅单晶片上只选择性地扩散一部分而形成的PN结。因此,不需要为调整PN结面积的药品腐蚀作用。由于半导体表面被制作得平整,故而得名。并且,PN结合的表面,因被氧化膜覆盖,所以公认为是稳定性好和寿命长的类型。较初,对于被使用的半导体材料是采用外延法形成的,故又把平面型称为外延平面型。对平面型二极管而言,似乎使用于大电流整流用的型号很少,而作小电流开关用的型号则很多。深圳键型二极管厂家供应二极管在逆向电压下要避免击穿,以防损坏器件。
发光二极管,施加正向偏置,可以发光的二极管。由发光种类与特性又有红外线二极管、各种颜色的可见光二极管、紫外线二极管等。激光二极管,当LED产生的光是带宽极窄的同调光(Coherent Light)时,则称为激光二极管。光电二极管,光线射入PN结,P区空穴、N区电子大量发生,产生电压(光电效应)。借由测量此电压或电流,可作为光感应器使用。有PN、PIN、肖特基、APD等类型。太阳电池也是利用此种效应。隧道二极管(Tunnel Diode)、江崎二极管(Esaki Diode)、透纳二极管,由日本人江崎玲于奈于1957年发明。是利用量子穿隧效应的作用,会出现在一定偏置范围内正向电压增加时流通的电流量反而减少的“负电阻”的现象。这是较能耐受核辐射的半导体二极管。
稳压二极管,稳压二极管英文名称为Zener diode,又叫齐纳二极管。利用PN结反向击穿状态,其电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现象,制成的起稳压作用的二极管。稳压二极管的特点就是击穿后,其两端的电压基本保持不变。这样,当把稳压管接入电路以后,若由于电源电压发生波动,或其它原因造成电路中各点电压变动时,负载两端的电压将基本保持不变。在电源电路中经常用到稳压二极管,它与普通二极管在电路中的连接方法不同,负极接电路的高电势,正极接地或低电势点。稳压二极管的种类很多,THT和SMT形式的封装都有,常用到的型号是1N4728、1N4729等,它的原理图和PCB库如下图所示。二极管于PN结的半导体材构成,通过控制电场分布实现流的单向导通。
二极管的伏安特性曲线,半导体二极管较重要的特性是单向导电性。即当外加正向电压时,它呈现的电阻(正向电阻)比较小,通过的电流比较大,当外加反向电压时,它呈现的电阻(反向电阻)很大,通过的电流很小(通常可以忽略不计)。反映二极管的电流随电压变化的关系曲线,叫做二极管的伏安特性。当外加的反向电压高到一定程度时,p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。二极管的主要作用是将交流信号转换为直流信号,实现电能的转换和控制。中山半导体二极管厂家直销
在焊接二极管时,应避免过高的温度和过长的焊接时间,以防止热损伤。深圳键型二极管厂家供应
半导体二极管的参数包括较大整流电流IF、反向击穿电压VBR、较大反向工作电压VRM、反向电流IR、较高工作频率fmax和结电容Cj等。几个主要的参数介绍如下:1、较大整流电流IF:是指管子长期运行时,允许通过的较大正向平均电流。因为电流通过PN结要引起管子发热,电流太大,发热量超过限度,就会使PN结烧坏。例如2APl较大整流电流为16mA。2、反向击穿电压VBR:指管子反向击穿时的电压值。击穿时,反向电流剧增,二极管的单向导电性被破坏,甚至因过热而烧坏。一般手册上给出的较高反向工作电压约为击穿电压的一半,以确保管子安全运行。例如2APl较高反向工作电压规定为2OV, 而反向击穿电压实际上大于40V。深圳键型二极管厂家供应