宁波阻尼二极管

二极管串联的情况。显然在理想条件下,有几只管子串联,每只管子承受的反向电压就应等于总电压的几分之一。但因为每只二极管的反向电阻不尽相同,会造成电压分配不均:内阻大的二极管,有可能由于电压过高而被击穿,并由此引起连锁反应,逐个把二极管击穿。在二极管上并联的电阻R,可以使电压分配均匀。均压电阻要取阻值比二极管反向电阻值小的电阻器,各个电阻器的阻值要相等。ESD二极管和TVS二极管都是电路保护器件，工作原理是一样的，但功率和封装是不一样的，ESD二极管主要是用来防静电，防静电就要求电容值低，一般是1-3.5PF之间为较好；而TVS二极管就做不到这一点，TVS二极管的电容值比较高。静电放电二极管常用的是3个引脚的，ESD二极管的正负接在电源引脚，公共端接在被保护引脚上起到释放静电的作用。二极管的反向电压应小于其击穿电压，以防止击穿现象的发生。宁波阻尼二极管

半导体二极管的参数包括较大整流电流IF、反向击穿电压VBR、较大反向工作电压VRM、反向电流IR、较高工作频率fmax和结电容Cj等。几个主要的参数介绍如下：1、较大整流电流IF：是指管子长期运行时，允许通过的较大正向平均电流。因为电流通过PN结要引起管子发热，电流太大，发热量超过限度，就会使PN结烧坏。例如2APl较大整流电流为16mA。2、反向击穿电压VBR：指管子反向击穿时的电压值。击穿时，反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至因过热而烧坏。一般手册上给出的较高反向工作电压约为击穿电压的一半，以确保管子安全运行。例如2APl较高反向工作电压规定为2OV， 而反向击穿电压实际上大于40V。开关二极管厂家精选二极管的导通特性与P-N结有关。

二极管（Diode）具有单向导电性，即只允许电流沿着一个方向流动，而阻挡反向电流流动。二极管是电子电路中较基本的元件之一，普遍应用于各种电子设备中。单向导通性的实验说明：当输入电源电压Vi比稳压二极管的稳定电压VZ低时，稳压二极管没有击穿而处于反向截止区，此时电路回路中只有比较小的反向漏电电流IR（reverse leakage current），这种工作状态不是稳压二极管的正常工作状态，因为输出电压Vo是随输入电压Vi变化的，没有达到输出稳定电压的目的，如下图所示：当输入电源电压Vi比稳压二极管稳定电压ZT高时，稳压二极管被反向电压击穿，此时回路电流急剧增加。

下面对二极管伏安特性曲线加以说明：正向特性，二极管两端加正向电压时，就产生正向电流，当正向电压较小时，正向电流极小（几乎为零），这一部分称为死区，相应的A（A′）点的电压称为死区电压或门槛电压（也称阈值电压），硅管约为0.5V，锗管约为0.1V，如图中OA（OA′）段。当正向电压超过门槛电压时，正向电流就会急剧地增大，二极管呈现很小电阻而处于导通状态。这时硅管的正向导通压降约为0.6~0.7V，锗管约为0.2~0.3V，如图中AB（A′B′）段。二极管正向导通时，要特别注意它的正向电流不能超过较大值，否则将烧坏PN结。二极管的工作稳定性和可靠性受到制工艺和材料质量的影响。

触发二极管，触发二极管又称双向触发二极管，英文名称为Diode AC switch,简写为DIAC，触发二极管实际上是一种电压控制元件，一般的它们都有一个触发电压，当两端电压低于这个触发电压的时候，二极管是开路状态，当电压达到触发电压的时候，二极管瞬间导通，将电压输出。双向二极管的正反两个方向都有稳压作用，就如同两个稳压二极管反向串连，它的两端不论正反哪个反向达到了稳定电压（既其中一个稳压极管）的反向击穿电压都可以使得其两端的电压基本保持不变（在其允许的电流范围内），因此正常情况下触发二极管是双向都不导通的。触发二极管的引脚没有正负极性的区分，原理图的种类比较多，一般都是两个二极管集成在一起的，触发二极管的原理图和PCB库如下图所示。硅二极管和锗二极管的工作温度范围和耐压能力不同，需要根据具体要求选择。宁波二极管供应商

在调试电路时，可以通过测量二极管的电压和电流来判断其工作状态。宁波阻尼二极管

二极管概述，二极管，（英语：Diode），电子元件当中，一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过，许多的使用是应用其整流的功能。晶体二极管的主要是PN结，关于PN结首先要了解三个概念。本征半导体：指不含任何掺杂元素的半导体，如纯硅晶片或纯锗晶片。P型半导体：掺杂了产生空穴的含较低电价杂质的半导体，如在本征半导体中Si(4+)中掺入Al(3+)的半导体。N型半导体：掺杂了产生空穴的含较低电价杂质的半导体，如在本征半导体中硅Si(4+)中掺入磷P(5+)的半导体。由P型半导体和N型半导体相接触时，就产生一个独特的PN结界面，在界面的两侧形成空间电荷层，构成自建电场。宁波阻尼二极管