半导体二极管的参数包括较大整流电流IF、反向击穿电压VBR、较大反向工作电压VRM、反向电流IR、较高工作频率fmax和结电容Cj等。几个主要的参数介绍如下:1、较大整流电流IF:是指管子长期运行时,允许通过的较大正向平均电流。因为电流通过PN结要引起管子发热,电流太大,发热量超过限度,就会使PN结烧坏。例如2APl较大整流电流为16mA。2、反向击穿电压VBR:指管子反向击穿时的电压值。击穿时,反向电流剧增,二极管的单向导电性被破坏,甚至因过热而烧坏。一般手册上给出的较高反向工作电压约为击穿电压的一半,以确保管子安全运行。例如2APl较高反向工作电压规定为2OV, 而反向击穿电压实际上大于40V。高频二极管可以用于射频电路中,具有快速开关特性和低噪声。东莞续流二极管作用
大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流(Rectifying)”功能。二极管较普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过(称为顺向偏压),反向时阻断 (称为逆向偏压)。因此,二极管可以想成电子版的逆止阀。然而实际上二极管并不会表现出如此完美的开与关的方向性,而是较为复杂的非线性电子特征——这是由特定类型的二极管技术决定的。二极管使用上除了用做开关的方式之外还有很多其他的功能。早期的二极管包含“猫须晶体("Cat's Whisker"Crystals)”以及真空管(英国称为“热游离阀(Thermionic Valves)”)。现今较普遍的二极管大多是使用半导体材料(如硅或锗)制作而成。江门有机发光二极管市场价格部分二极管还具有光电转换功能,用于光电器件和光通信。
光电二极管在电路中一般处于反向工作状态,在没有光照时,反向电阻很大,反向电流被称为暗电流,此时暗电流小,相当于断路;当光照射在PN结上时,光子打在PN附近,使PN结附近产生光生电子和光生空穴对,他们在PN结处的内电场作用下做定向运动,形成光电流,光的照射强度越大,光电流就越大。因此,光电二极管在不受光照射时处于截止状态,在受光照射时处于导通状态,在电路中经常做为一个开关器件使用。如果正接了,那就和普通二极管功能一样了。
频率倍增用二极管,频率倍增用二极管英文名称为Frequency doubled diode,对二极管的频率倍增作用而言,有依靠变容二极管的频率倍增和依靠阶跃(即急变)二极管的频率倍增。频率倍增用的变容二极管称为可变电抗器,可变电抗器虽然和自动频率控制用的变容二极管的工作原理相同,但电抗器的构造却能承受大功率。阶跃二极管又被称为阶跃恢复二极管,从导通切换到关闭时的反向恢复时间TRR短,因此,其特长是急速地变成关闭的转移时间明显的短。如果对阶跃二极管施加正弦波,那么,因TT(转移时间)短,所以输出波形急骤地被夹断,故能产生很多高频谐波。通过合理配置二极管,可以优化电路的功耗和效率。
二极管是否损坏如何判断:(1)极性的判别,将万用表置于R×100档或R×1k档,两表笔分别接二极管的两个电极,测出一个结果后,对调两表笔,再测出一个结果。两次测量的结果中,有一次测量出的阻值较大(为反向电阻),一次测量出的阻值较小(为正向电阻)。在阻值较小的一次测量中,黑表笔接的是二极管的正极,红表笔接的是二极管的负极。温度对二极管的性能有较大的影响,温度升高时,反向电流将呈指数规律增加,如硅二极管温度每增加8℃,反向电流将约增加一倍;锗二极管温度每增加12℃,反向电流大约增加一倍。另外,温度升高时,二极管的正向压降将减小,每增加1℃,正向压降VD大约减小2 mV,即具有负的温度系数。二极管还可用作信号调节、保护电路中的开关元件。东莞续流二极管作用
二极管的整流作用可将交流转化为直流。东莞续流二极管作用
快恢复二极管英文名称为Fast Recovery Diodes,简称FRD,是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管,主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中,作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同,它属于PIN结型二极管,即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I,构成PIN硅片。因基区很薄,反向恢复电荷很小,所以快恢复二极管的反向恢复时间较短,正向压降较低,反向击穿电压(耐压值)较高。快恢复二极管的外形和普通二极管相同,原理图和PCB库的参照整流二极管。东莞续流二极管作用