企业商机
二极管基本参数
  • 品牌
  • 南科功率
  • 型号
  • 齐全
  • 半导体材料
  • 硅Si,磷化镓GaP,磷铟砷化镓GaAsInP,锗Ge,砷As,磷砷化镓GaAsP,铝Al,砷铝化镓GaAlAs,铟In,氮N,磷化铝镓铟AlGaInP,镓Ga,磷P,氮化镓GaN,砷化镓GaAs
  • 封装方式
  • 塑料封装,玻璃封装,厚膜封装,金属外壳封装
二极管企业商机

在操作中,一个单独的电流通过由镍铬合金制成的高电阻灯丝(加热器),将阴极加热到红热状态(800-1000℃)后可导致它释放电子到真空。这一过程即热发射。阴极通常涂有碱土金属氧化物,如钡或锶的氧化物。因为它们具有较低的功函数,可使发射的电子数量增加。有些真空管则直接加热钨丝,钨丝则既作为加热器也是阴极本身。交流电会在负极及与其同心的阳极板之间整流,当板子带正电时,静电会从负极处吸引电子。所以电子即从阴极连通到阳极成为了电流。然而当极性反转阳极板带有负电时,阳极板不会发射电子,而阴极也并不会吸引电子,因而没有电流会产生。如此则保证了电流的单向流通,即从阴极流向阳极板。二极管的快速开关特性可用于电子开关、振荡电路等。珠海激光二极管

珠海激光二极管,二极管

接面电压,当二极管的P-N结处于正向偏置时,必须有相当的电压被用来贯通耗尽区,导致形成一反向的电压源,此电压源的电压就称为障壁电压,硅二极管的障壁电压约0.6V~0.7V,锗二极管的障壁电压约0.3~0.4V。种类:依照材料及发展年代分类:二极真空管;锗二极管;硒二极管;硅二极管;砷化镓二极管。依照应用及特性分类:PN结二极管(PN Diode),施加正向偏置,利用半导体中PN接合的整流性质,是较基本的半导体二极管,常见应用于整流方面以及与电感并联保护其他元件用。细节请参照PN结的条目。珠海激光二极管二极管有正向导通和反向截止的特性,用于整流、限流、保护和变频等电路中。

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光电二极管在电路中一般处于反向工作状态,在没有光照时,反向电阻很大,反向电流被称为暗电流,此时暗电流小,相当于断路;当光照射在PN结上时,光子打在PN附近,使PN结附近产生光生电子和光生空穴对,他们在PN结处的内电场作用下做定向运动,形成光电流,光的照射强度越大,光电流就越大。因此,光电二极管在不受光照射时处于截止状态,在受光照射时处于导通状态,在电路中经常做为一个开关器件使用。如果正接了,那就和普通二极管功能一样了。

稳压二极管,稳压二极管英文名称为Zener diode,又叫齐纳二极管。利用PN结反向击穿状态,其电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现象,制成的起稳压作用的二极管。稳压二极管的特点就是击穿后,其两端的电压基本保持不变。这样,当把稳压管接入电路以后,若由于电源电压发生波动,或其它原因造成电路中各点电压变动时,负载两端的电压将基本保持不变。在电源电路中经常用到稳压二极管,它与普通二极管在电路中的连接方法不同,负极接电路的高电势,正极接地或低电势点。稳压二极管的种类很多,THT和SMT形式的封装都有,常用到的型号是1N4728、1N4729等,它的原理图和PCB库如下图所示。二极管的正向压降较小,有助于减少能量损耗。

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肖特基二极管,利用金属和半导体二者的接合面的'肖特基效应'的整流作用。由于正向的切入电压较低,导通回复时间也短,适合用于高频率的整流。一般而言漏电流较多,突波耐受度较低。也有针对此缺点做改善的品种推出。稳压二极管(Reference Diode)(常用称法:齐纳二极管),施加反向偏置,超过特定电压时发生的反向击穿电压随反向电流变化很小,具有一定的电压稳定能力。利用此性质做成的元件被用于电压基准。借由掺杂物的种类、浓度,决定击穿电压(破坏电压)。其正向偏置与一般的二极管相同。二极管能够实现信号放大、信号检测和波形整形等功能。深圳硅管二极管加工

二极管作为电子元器件的重要一员,其发展和应用推动了电子技术的进步。珠海激光二极管

雪崩二极管,雪崩二极管的英文名称为Avalanche diode,它是利用半导体结构中载流子的碰撞电离和渡越时间两种物理效应而产生负阻的固体微波器件。当反向电压增大到一定数值时,PN结被反向击穿,载流子倍增就像雪崩一样,反向电流突然快速增加。雪崩二极管用于在特定反向偏置电压下经历雪崩击穿,从而阻止电流集中到某一点,通常做为安全阀使用,用于控制系统压力和保护电路系统。雪崩二极管通常在高压电路中使用,对安装的空间要求不高,因此多数是插针的封装形式,原理图、PCB封装和普通二极管相同。珠海激光二极管

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