瓷片电容相对正式的称谓是圆片瓷介电容器,是用陶瓷粉模压成型,然后烧结而成。(陶瓷又分I类瓷,II类瓷,III类瓷)单片瓷,单层结构,一般纽扣大小,带两根引脚。正因为单层结构,瓷片电容器,一般容量不大,但电压高。陶瓷电容:用高介电常数的电容器陶瓷(钛酸钡一氧化钛)挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质,并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。它又分高频瓷介和低频瓷介两种。独石电容和瓷片电容都属于陶瓷电容,陶瓷电容是总称。具有小的正电容温度系数电容器,用于高稳定振荡回路中,作为回路电容器及垫整电容器。深圳**瓷片电容价格合理
瓷片电容是电容的一个分类,电容器由于材质,工艺,和使用的不同,分为容量可调堦的可变电容器,和容量固定的固定电容器。固定电容器又有电解电容器,涤纶电容器,云母电容器,瓷片电容器,钽电容器,油浸电容器等很多。瓷片电容器,就是以瓷介质为主要材质制作的电容器。
MLCC(1类)—微型化,高频化,**损耗,低ESR,高稳定,高耐压,高绝缘,高可靠,无极性,低容值,低成本,耐高温,主要应用于高频电路中。MLCC(2类)—微型化,高比容,中高压,无极性,高可靠,耐高温,低ESR,低成本。主要应用于中,低频电路中作隔直,耦合,旁路和滤波等电容器使用。 广东通用瓷片电容推荐企业以金属钽或铌为正极,稀硫酸等溶液为负极,以钽或铌表面形成的氧化膜为电介质。
2.陶瓷电容器按温度特性分类
按温度特性可以分为三类:
1类:高频瓷介电容器,有NP0、SL等;
2类:高介电常数电容器,有Y5P、Y5U、Y5V等。
3类:半导体型陶瓷电容器,原则上有Y5P、Y5U、Y5V。实际上目前Y5V为主。
3.什么是温度特性
是指电容器在规定的温度范围内,相对于常温时电容器电容量的变化率。
如NP0,在-25℃-+85℃的温度区间,相对于25 ℃时,温度每变化1℃,其电容量之允许变化小于60ppm。
如Y5P,在-25℃-+85℃的温度区间,相对于25 ℃时的容量变化率允许±10%。
代 码:Y:-25 ℃;5:+85 ℃
变化率:P:±10%;
U:+22%,-56%;
V:+22%,-82%。
高压陶瓷电容器的制造工艺要点:
(1)原料要精选
影响高压陶瓷电容器质量的因素,除瓷料组成外,优化工艺制造、严格工艺条件是非常重要的。因此,对原料既要考虑成本又要注意纯度,选择工业纯原料时,必须注意原料的适用性。
(2)熔块的制备
熔块的制备质量对瓷料的球磨细度和烧成有很大的影响,如熔块合成温度偏低,则合成不充分。对后续工艺不利。如合成料中残存Ca2+,会阻碍轧膜工艺的进行:如合成温度偏高,使熔块过硬,会影响球磨效率:研磨介质的杂质引入,会降低粉料活性,导致瓷件烧成温度提高。
(3)成型工艺
成型时要防止厚度方向压力不均,坯体闭口气孔过多,若有较大气孔或层裂产生,会影响瓷体的抗电强度。
(4)烧成工艺
应严格控制烧成制度,采取性能优良的控温设备及导热性良好的窑具。
在实际应用中,首先,应根据用途选择不同类型的电容器;
瓷片电容104是多少法拉
瓷片电容104是0.1uF。
计算方法如下:104电容,前面的两位数字,表示有效值,后面的4表示10的幂,那么104电容值为10x10^4pF=10^5pF=10^(-7)F=0.1uF
电路中104瓷片电容起什么作用,
104瓷片用在电路的电源多了,术语称“退耦”、“去耦”,义:“阻止从一电路信号交换或反馈能量到另一电路”。因电解电容高频特性不好,故配合它用,电源干净,电路稳定不易自激。随便拿块电路板都可见大量的104或103瓷片,七八成以上是用于退偶,也可叫高频滤波吧。
将纸介电容器浸入经过特殊处理的油中以增强其耐压性。广东原装瓷片电容的行业须知
瓷片电容相对正式的称谓是圆片瓷介电容器,是用陶瓷粉模压成型,然后烧结而成。深圳**瓷片电容价格合理
接下来就是封装规格问题,瓷片电容的封装有散装,编带等,要根据线路板的设计而进行购买。若以上三点都可以的话,再考虑产品的误差与材质就可以了,瓷片电容的误差有M档(百分之二十误差),K档(百分之十误差),J档(百分之五误差)等进行选购,材质有X7R、NPO、Y5U、Y5V四种进行选购。瓷片电容在确认使用及安装环境时,作为按产品样本设计所规定的额定性能范围内使用的电容器,应当避免在下述情况下使用:。1,高温(温度超过使用温度)。2,过流(电流超过额定纹波电流),施加纹波电流超过额定值后,会导致电容器体过热,容量下降,寿命缩短。深圳**瓷片电容价格合理