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高频电容和瓷片电容一般来说瓷片电容和高频电容是极为相似的两种电容器：

事实上高频电容和瓷片电容是有区别的。高频电容是陶瓷电容器的一种。陶瓷电容器用高介电常数的电容器陶瓷（钛酸钡一氧化钛）挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。它又分高频瓷介和低频瓷介两种。陶瓷电容器具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。 电容器体积小、耐热性好、损耗小、绝缘电阻高，不过容量不大，适用于高频电路。广东专业瓷片电容厂家实力雄厚

瓷片电容容量大的电容其容量值在电容上直接标明，如10 μF/16V容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示字母表示法：1m=1000 μF 1P2=1.2PF 1n=1000PF数字表示法：三位数字的表示法也称电容量的数码表示法。三位数字的前两位数字为标称容量的有效数字，第三位数字表示有效数字后面零的个数，它们的单位都是pF。如：102表示标称容量为1000pF。221表示标称容量为220pF。224表示标称容量为22x10(4)pF。在这种表示法中有一个特殊情况，就是当第三位数字用"9"表示时，是用有效数字乘上10的-1次方来表示容量大小。如：229表示标称容量为22x(10-1)pF=2.2pF。允许误差 ±1% ±2% ±5% ±10% ±15% ±20%如：一瓷片电容为104J表示容量为0.1 μF、误差为±5%深圳库存瓷片电容量大从优具有小的正电容温度系数电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。

瓷片电容分类：

瓷片电容分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。按瓷介电容电介质又分：1.类电介质(NP0,C0G)；2.类电介质(X7R,2X1)；3.类电介质(Y5V,2F4)瓷介电容器EIARS-198。

瓷片电容特点：耐磨直流高压运用：高压旁路和耦合电路使用范围：LED驱动电源，小家电控制板，新能源充电器，开关电源，电视接收机，扫描等电路。产品通过：CQC/KC/UL/VED/ENEC等认证。测试条件：频率与电压：1kHz1.0v测试温度：25℃±2℃静电容量：1000PF静电容量误差：±20%温度特性：Y5V工作电流：《5mA工作温度：-40℃±85℃频率与电压：1kHz1.0v测试温度：25℃±2℃静电容量：1000PF静电容量误差：±20%温度特性：Y5V工作电流：《5mA工作温度：-40℃±85℃更换时事先必须根据备用电容器的记录资料，核对其电容值合绝缘电阻是否合格，并检查有无渗、漏油现象。

旁路是把输入信号中的干扰作为滤除对象，去耦是把输出信号的干扰作为滤除对象，防止干扰信号返回电源。这应该是他们的本质区别。

一方面是集成电路的蓄能电容，另一方面旁路掉该器件的高频噪声。数字电路中典型的去耦电容值是0.1μF。这个电容的分布电感的典型值是5nH。0.1μF的去耦电容有5nH的分布电感，它的并行共振频率大约在7MHz左右，也就是说，对于10MHz以下的噪声有较好的去耦效果，对40MHz以上的噪声几乎不起作用。1μF、10μF的电容，并行共振频率在20MHz以上，去除高频噪声的效果要好一些。每10片左右集成电路要加一片充放电电容，或1个蓄能电容，可选10μF左右。比较好不用电解电容，电解电容是两层薄膜卷起来的，这种卷起来的结构在高频时表现为电感。要使用钽电容或聚碳酸酯电容。去耦电容的选用并不严格，可按C=1/F，即10MHz取0.1μF，100MHz取0.01μF。 油浸纸介电容器电容量大、耐压高、体积大。深圳正规瓷片电容全国发货

容量的消耗随热度频度具有很高的稳定性。广东专业瓷片电容厂家实力雄厚

耦合举个例子来讲，晶体管放大器发射极有一个自给偏压电阻，它同时又使信号产生压降反馈到输入端形成了输入输出信号耦合，这个电阻就是产生了耦合的元件，如果在这个电阻两端并联一个电容，由于适当容量的电容器对交流信号较小的阻抗，这样就减小了电阻产生的耦合效应，故称此电容为去耦电容。3、时间常数这就是常见的R、C串联构成的积分电路。当输入信号电压加在输入端时，电容（C）上的电压逐渐上升。而其充电电流则随着电压的上升而减小。电流通过电阻（R）、电容（C）的特性通过下面的公式描述：i=(V/R)e-(t/CR)广东专业瓷片电容厂家实力雄厚

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