晶间腐蚀试验 (intergranular corrosion test),在特定介质条件下检验金属材料晶间腐蚀敏感性的加速金属腐蚀试验方法,目的是为了了解材料的化学成分、热处理和加工工艺是否合理。其原理是采用可使金属的腐蚀电位处在恒电位阳极极化曲线特定区间的各种试验溶液,然后利用金属的晶粒和晶界在该电位区间腐蚀电流的明显的差异加速显示晶间腐蚀,不锈钢、铝合金等的晶间腐蚀试验方法在许多国家均已标准化。各标准对试验细节均有详细规定。电解抛光腐蚀,样品电流-电压的极化曲线。嘉兴电解抛光腐蚀制样设备厂家

晶间腐蚀操作主意事项,冷水机设置操作说明:温度设置:按set件会出现设置的温度值,按向上下键进行增加或减少就能设定运行的温度了,然后按ret键保存。不保存修改无效。温度下限设置:同时按住set和向上键,显示0;按向上键将0改为6,在按set键出现F0;在按向上键将F0改F9在按set键就会出现默认设置的最低温度;在按向上下键修改温度值;修改完成后按ret键保存即可,不保存无。重要提示:控制装置不得放置在通风柜内部,因为使用酸液和水雾可能导致敏感的电子设备受损。放在外部也得与酸蚀槽保持一定距离,避免操作时有酸液飞溅到控制器上。广东钢的检验腐蚀源头厂家晶间腐蚀,有冷凝水传感器检测,无水停机报警。

电解抛光腐蚀后面板上面前面一个为电源总开关;下排左起前面一个为电源输入插座;下排左起第二个:插座的开/关与工作电流输出同步;下排左起第三、四个和电源的总电源同步。注意事项:开机前将电压、电流调节电位器逆时针调到底;空栽或轻负载时输出电压由高处至低端时,动作不宜过快以免失控;面板输出接线柱不可当输入接线柱使用;对稳压电源进行维修时,必须将输入电压断开;输入电源线的保护接地端,必须可靠接地,以确保使用安全。
电解抛光腐蚀,不适用本方法:不能用塑料镶嵌试样,因为塑料不导电容易被电解液浸蚀:极易受电解液浸蚀的金属相和一些夹杂物不能采用电解抛光:需要边、角的试样,不适宜进行电解抛光。
电解浸蚀参考资料
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试验材料 |
浸蚀液配比 |
电解参数 |
时间 |
阴极材料 |
备注 |
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镍和合金 |
铬酸(10%) |
1.5V 24。C |
1~8秒 |
不锈钢 |
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镍和合金 |
浓硝酸/冰醋酸/水 =2:1:17 |
1.5V 24。C |
20~60秒 |
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好的一种浸蚀液 |
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镍和合金 |
草酸(10%) |
1.5~6V ,24。C |
15~30秒 |
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特别适用于因科镶合金 |
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镍和合金 |
硫酸(8%) |
6V 24。C |
5~30秒 |
不锈钢 |
显示碳化物和晶界,因科镍和镍一铬合金 |

晶间腐蚀, GB/T10852-89 铸造铝铜合金晶粒度; GB/T7998-87 铝合金晶间腐蚀测定法 ;GB/T8014-87 铝及铝合金阳极氧化阳极氧化膜厚度的定义和有关测量厚度的规定; GB/T3508-83 内燃机铸造铝活塞金相检验 ; QJ1675-89 变形铝合金过烧金相试验方法 ; JB/T3932-85 汽车、摩托车发动机铸造铝活塞金相标准 ; JB/T/NQ179-88 内燃机稀土共晶铝硅合金金相检验铝合金组织检查可有宏观组织,光学显微镜检查和电子显微镜 版主1 GB/T3246-82 铝及铝合金加工制品显微组织检验方法: GB/T3247-82 铝及铝合金加工制品低倍组织检验方法这两个标准已更新了。低倍加热腐蚀控制单元和酸蚀槽工作分开设计,增加控制单元工作寿命。江西阳极覆膜腐蚀多少钱一台
电解抛光腐蚀,既可用于金相试样的抛光,也可用于金相试样的腐蚀。嘉兴电解抛光腐蚀制样设备厂家
电解抛光腐蚀操作步骤,测量试样抛光的表面积;试样的清洗。磨制完的试样要用洗涤剂彻底清洗,清洗之后再用蒸馏水漂洗,也可用超声波清洗;不锈钢夹子夹住试样,同时用导线将夹子与电源的正极连接;向电解槽中注入电解液;将已经于电源负极连接好的阴极板放入电解液中;把试样放入电解液中,接通电源,调整电压到所要求的数值,记下时间;如果需要,可调整阴阳极间的距离,调整电流密度;达到所要求抛光时间后,取出试样,切断电源。立即用水对试样进行漂洗,再用酒精漂洗,干燥后就得到了抛光好的试样。嘉兴电解抛光腐蚀制样设备厂家
晶间腐蚀,影响试验结果的因素材料因素化学成分:如不锈钢中的碳、铬、镍、钛等元素含量,直接影响晶界析出相(如 Cr₂₃C₆)的形成。显微组织:晶粒大小、晶界形态及析出相的分布状态。热处理状态:敏化处理会明显增加晶间腐蚀倾向。试验条件溶液成分与浓度:不同腐蚀介质的侵蚀性不同。温度与时间:高温和长时间浸泡会加速腐蚀过程。试样表面状态:表面粗糙度、污染物等会影响腐蚀起始点。操作因素试样制备过程中的打磨、清洗是否规范。试验装置的搭建是否符合标准,如铜屑的用量和接触情况。电解抛光腐蚀,电信号低纹波,稳定性高。低倍组织热酸蚀腐蚀厂家晶间腐蚀,晶界能量较高:晶界是不同晶粒之间的交界,由于晶粒有着不同的位向,交...