晶间腐蚀操作主意事项,温度:如果测量加热器温度时应主意溶液的沸点温度,不能将温度设置大于溶液的沸点温度。如果有条件应先将温度传感器进行校准再使用,这样在设置温度的时候4个工位偏差不会很大,不然会有几度的偏差,主意原因是温度传感器线太长、温度传感器测量的位置有误差(测量的时候一定要将传感器塞入测量管底部,用塞子固定避免传感器移动,特别主意,如果传感器移动了,测量温度会一直达不到设定温度,这样长时间工作会烧坏加热器,因为加热器会长时间内满功率工作达到比较高的温度。所以要实时观察各通道温度和溶液沸腾状态,)低倍加热腐蚀有排液阀门,方便排放腐蚀废液。苏州低倍组织热酸蚀腐蚀经济实用

电解抛光腐蚀,电源前面板“工作”:当电压、电流、时间都调试设定完毕后,将“功能选择”开关旋至“工作”位置,按下“启动”按钮,时间控制器(设定方法付后)开始计时,输出电流/电压;在“设定电压”工作状态时,如工作电压在工作过程中发生变化,达不到设定值,请将电流调到比较大;在“设定电流”工作状态时,如工作电流在工作过程中发生变化,达不到设定值,请将电压调到比较大;待设定时间结束后,自动切断负载,蜂鸣器告知,此时后面板的交流插座也被切断。按时间控制器上的黄色“RESET”按钮,为下一次时间控制作好准备。昆山电解抛光腐蚀价格多少电解抛光腐蚀,工作电压、电流可输入计算机,以便于进一步数据分析和研究。

电解抛光腐蚀操作步骤,测量试样抛光的表面积;试样的清洗。磨制完的试样要用洗涤剂彻底清洗,清洗之后再用蒸馏水漂洗,也可用超声波清洗;不锈钢夹子夹住试样,同时用导线将夹子与电源的正极连接;向电解槽中注入电解液;将已经于电源负极连接好的阴极板放入电解液中;把试样放入电解液中,接通电源,调整电压到所要求的数值,记下时间;如果需要,可调整阴阳极间的距离,调整电流密度;达到所要求抛光时间后,取出试样,切断电源。立即用水对试样进行漂洗,再用酒精漂洗,干燥后就得到了抛光好的试样。
电解抛光腐蚀,贵金属及其合金电解浸蚀剂和电解抛光液表
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浸蚀剂名称及成分 |
使用方法 |
适用范围 |
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氯化钾过饱和 过溶液 400亳升 盐酸 几滴 |
直流电电流密度0.07~0.09安/厘米2 阳极:不锈钢 电解+机械联合抛光法, 时间2~3分钟 |
纯金的电解抛光和电解浸蚀。 |
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硫脲 8~10克 硫酸 12亳升 乙酸 40亳升 |
直流电: 10~15伏 温度: 常温 时间: 10~60秒 |
金基合金的电解浸蚀。
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硫代硫酸钠 20克 水 400亳升 |
直流电:0.8~1安/厘米2 阳极:不锈钢 电解+机械抛光法,时间0.5~1.5分钟 |
银及其合金的电解抛光。调节电流密度可用于银基合金的电解浸蚀 |

晶间腐蚀操作主意事项,冷水机设置操作说明:温度设置:按set件会出现设置的温度值,按向上下键进行增加或减少就能设定运行的温度了,然后按ret键保存。不保存修改无效。温度下限设置:同时按住set和向上键,显示0;按向上键将0改为6,在按set键出现F0;在按向上键将F0改F9在按set键就会出现默认设置的最低温度;在按向上下键修改温度值;修改完成后按ret键保存即可,不保存无。重要提示:控制装置不得放置在通风柜内部,因为使用酸液和水雾可能导致敏感的电子设备受损。放在外部也得与酸蚀槽保持一定距离,避免操作时有酸液飞溅到控制器上。低倍加热腐蚀采用计算机及可控硅控制低倍组织热酸蚀过程,独特的PID温度控制计算方法。苏州低倍组织热酸蚀腐蚀经济实用
电解抛光腐蚀,实时测量。苏州低倍组织热酸蚀腐蚀经济实用
低倍组织热腐蚀,缺陷检验低倍组织检验是用肉眼或放大适当的倍数来观察试样浸蚀面的宏观组织缺陷及断口形貌的一种检测方法。低倍检验常用的方法有酸蚀、断口形貌、硫印、塔形发纹等,其中酸蚀又包括热酸腐蚀法、冷酸腐蚀法及电解腐蚀法,如需仲裁是推荐使用热酸腐蚀法。低倍检验所需设备简单,操作简便迅速结果直观,易于掌握。它是鉴定制品品质的一种重要方法,也是研究工艺制造以及对制品进行品质分析时普遍采用的一种手段。低倍检验时试样的粗糙度要保证,不得有油污和加工伤痕;酸洗时的温度和时间要适宜;清洗时试样表面的腐蚀产物要刷干净,并及时吹干;酸洗后需立即评定。苏州低倍组织热酸蚀腐蚀经济实用
晶间腐蚀,影响试验结果的因素材料因素化学成分:如不锈钢中的碳、铬、镍、钛等元素含量,直接影响晶界析出相(如 Cr₂₃C₆)的形成。显微组织:晶粒大小、晶界形态及析出相的分布状态。热处理状态:敏化处理会明显增加晶间腐蚀倾向。试验条件溶液成分与浓度:不同腐蚀介质的侵蚀性不同。温度与时间:高温和长时间浸泡会加速腐蚀过程。试样表面状态:表面粗糙度、污染物等会影响腐蚀起始点。操作因素试样制备过程中的打磨、清洗是否规范。试验装置的搭建是否符合标准,如铜屑的用量和接触情况。电解抛光腐蚀,电信号低纹波,稳定性高。低倍组织热酸蚀腐蚀厂家晶间腐蚀,晶界能量较高:晶界是不同晶粒之间的交界,由于晶粒有着不同的位向,交...