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导致VT1管进入饱和状态，VT1可能会发烧，严重时会烧坏VT1。如果VD1出现击穿故障，会导致VT1管基极直流偏置电压下降，三极管VT1直流工作电流减小，VT1管放大能力减小或进入截止状态。二极管控制电路及故障处理二极管导通之后，它的正向电阻大小随电流大小变化而有微小改变，正向电流愈大，正向电阻愈小；反之则大。利用二极管正向电流与正向电阻之间的特性，可以构成一些自动控制电路。如图9-43所示是一种由二极管构成的自动控制电路，又称ALC电路（自动电平控制电路），它在磁性录音设备中（如卡座）的录音电路中经常应用。图9-43二极管构成的自动控制电路1．电路分析准备知识说明二极管的单向导电特性只是说明了正向电阻小、反向电阻大，没有说明二极管导通后还有哪些具体的特性。二极管正向导通之后，它的正向电阻大小还与流过二极管的正向电流大小相关。尽管二极管正向导通后的正向电阻比较小（相对反向电阻而言），但是如果增加正向电流，二极管导通后的正向电阻还会进一步下降，即正向电流愈大，正向电阻愈小，反之则大。不熟悉电路功能对电路工作原理很不利，在了解电路功能的背景下能有的放矢地分析电路工作原理或电路中某元器件的作用。二极管有两个电极，由P区引出的电极是正极，又叫阳极；由N区引出的电极是负极，又叫阴极。广西优势二极管模块货源充足

若能运用元器件的某一特性去合理地解释它在电路中的作用，说明电路分析很可能是正确的。例如，在上述电路分析中，只能用二极管的温度特性才能合理解释电路中VD1的作用。2）温度补偿电路的温度补偿是双向的，即能够补偿由于温度升高或降低而引起的电路工作的不稳定性。3）分析温度补偿电路工作原理时，要假设温度的升高或降低变化，然后分析电路中的反应过程，得到正确的电路反馈结果。在实际电路分析中，可以只设温度升高进行电路补偿的分析，不必再分析温度降低时电路补偿的情况，因为温度降低的电路分析思路、过程是相似的，只是电路分析的每一步变化相反。4）在上述电路分析中，VT1基极与发射极之间PN结（发射结）的温度特性与VD1温度特性相似，因为它们都是PN结的结构，所以温度补偿的结果比较好。5）在上述电路中的二极管VD1，对直流工作电压+V的大小波动无稳定作用，所以不能补偿由直流工作电压+V大小波动造成的VT1管基极直流工作电流的不稳定性。5．故障检测方法和电路故障分析这一电路中的二极管VD1故障检测方法比较简单，可以用万用表欧姆档在路测量VD1正向和反向电阻大小的方法。当VD1出现开路故障时，三极管VT1基极直流偏置电压升高许多。浙江国产二极管模块咨询报价发光二极管芯片阵列固定在印刷电路板的一个面上。

光二极管▪红外发光二极管▪红外接收二极管▪激光二极管6主要应用▪电子电路应用▪工业产品应用二极管结构组成编辑二极管就是由一个PN结加上相应的电极引线及管壳封装而成的。[4]采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结。[4]由P区引出的电极称为阳极，N区引出的电极称为阴极。因为PN结的单向导电性，二极管导通时电流方向是由阳极通过管子内部流向阴极。[4]各种二极管的符号二极管的电路符号如图所示。二极管有两个电极，由P区引出的电极是正极，又叫阳极；由N区引出的电极是负极，又叫阴极。三角箭头方向表示正向电流的方向，二极管的文字符号用VD表示。[4]二极管工作原理编辑二极管的主要原理就是利用PN结的单向导电性，在PN结上加上引线和封装就成了一个二极管。晶体二极管为一个由P型半导体和N型半导体形成的PN结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于PN结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。[5]当外界有正向电压偏置时。

二极管的反向饱和电流受温度影响很大。[4]一般硅管的反向电流比锗管小得多，小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级，小功率锗管在μA数量级。温度升高时，半导体受热激发，少数载流子数目增加，反向饱和电流也随之增加。[4]二极管击穿特性外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被长久破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。[5]反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，破坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，不容易产生齐纳击穿。[5]另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时，外加电场使电子漂移速度加快，从而与共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子。平面型二极管在脉冲数字电路中作开关管使用时PN结面积小，用于大功率整流时PN结面积较大。

其中有一条就是温度高低变化时三极管的静态电流不能改变，即VT1基极电流不能随温度变化而改变，否则就是工作稳定性不好。了解放大器的这一温度特性，对理解VD1构成的温度补偿电路工作原理非常重要。2）三极管VT1有一个与温度相关的不良特性，即温度升高时，三极管VT1基极电流会增大，温度愈高基极电流愈大，反之则小，显然三极管VT1的温度稳定性能不好。由此可知，放大器的温度稳定性能不良是由于三极管温度特性造成的。2．三极管偏置电路分析电路中，三极管VT1工作在放大状态时要给它一定的直流偏置电压，这由偏置电路来完成。电路中的R1、VD1和R2构成分压式偏置电路，为三极管VT1基极提供直流工作电压，基极电压的大小决定了VT1基极电流的大小。如果不考虑温度的影响，而且直流工作电压+V的大小不变，那么VT1基极直流电压是稳定的，则三极管VT1的基极直流电流是不变的，三极管可以稳定工作。在分析二极管VD1工作原理时还要搞清楚一点：VT1是NPN型三极管，其基极直流电压高，则基极电流大；反之则小。3．二极管VD1温度补偿电路分析根据二极管VD1在电路中的位置，对它的工作原理分析思路主要说明下列几点：1）VD1的正极通过R1与直流工作电压+V相连。和普通二极管相似，发光二极管也是由一个PN结构成。浙江国产二极管模块咨询报价

防反二极管也叫做防反充二极管，就是防止方阵电流反冲。广西优势二极管模块货源充足

整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二极管的击穿电压高，反向漏电流小，高温性能良好。通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造(掺杂较多时容易反向击穿）。这种器件的结面积较大，能通过较大电流（可达上千安），但工作频率不高，一般在几十千赫以下。整流二极管主要用于各种低频半波整流电路，如需达到全波整流需连成整流桥使用。常用二极管的符号二极管结构整流二极管选用编辑1N4001外形尺寸整流二极管，图上有银色圈一端是负极整流二极管一般为平面型硅二极管，用于各种电源整流电路中。选用整流二极管时，主要应考虑其大整流电流、大反向工作电流、截止频率及反向恢复时间等参数。普通串联稳压电源电路中使用的整流二极管，对截止频率的反向恢复时间要求不高，只要根据电路的要求选择大整流电流和大反向工作电流符合要求的整流二极管即可。例如，1N系列、2CZ系列、RLR系列等。开关稳压电源的整流电路及脉冲整流电路中使用的整流二极管，应选用工作频率较高、反向恢复时间较短的整流二极管（例如RU系列、EU系列、V系列、1SR系列等）或选择快恢复二极管。还有一种肖特基整流二极管。整流二极管特性编辑整流二极管是利用PN结的单向导电特性。广西优势二极管模块货源充足