企业商机
可控硅模块基本参数
  • 品牌
  • IXYS 艾赛斯,SEMIKRON赛米控,英飞凌
  • 型号
  • 全系列
可控硅模块企业商机

可控硅,又叫晶闸管,可控硅相当于可以控制的二极管,当控制极加一定的电压时,阴极和阳极就导通了。可控硅和其它半导体器件一样,其有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等优点。它的出现,使半导体技术从弱电领域进入了强电领域,成为工业、农业、交通运输、科研以至商业、民用电器等方面争相采用的元件。下面贤集网小编要具体为大家介绍一下可控硅的型号、特性、分类、使用规则、用途、主要参数、可控硅的不同几个极的判别方法、双向可控硅和单向可控硅的区别。可控硅的型号1、优派克EUPECT系列可控硅、D系列二极管、DxS系列快速二极管;2、东芝TOSHIBASF系列可控硅、SG系列GTO;3、西门康SEMIKRONSKT系列可控硅,SKN、SKR系列二极管,SKNxF、SKRxF系列快速二极管;4、西码WESTCODEN系列相控可控硅、R系列快速可控硅、SM系列快速二极管、SW系列普通二极管;5、美国IRST系列可控硅、SD系列二极管;6、意大利POSEICOAT系列相控可控硅;7、瑞士ABB5STP可控硅、5SDD二极管、5SGA系列GTO、5SDF快速二极管。可控硅的特性1、额定通态平均电流IT在一定条件下,阳极---阴极间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流的平均值。2、正向阻断峰值电压VPF在控制极开路未加触发信号。可控硅从外形上分类主要有:螺栓形、平板形和平底形。北京优势可控硅模块商家

可控硅模块

一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅,50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。我们可以把从阴极向上数的、二、三层看面是一只NPN型号晶体管,而二、三、四层组成另一只PNP型晶体管。其中第二、第三层为两管交迭共用。可画出图1的等效电路图。当在阳极和阴极之间加上一个正向电压E,又在控制极G和阴极C之间(相当BG2的基一射间)输入一个正的触发信号,BG2将产生基极电流Ib2,经放大,BG2将有一个放大了β2倍的集电极电流IC2。因为BG2集电极与BG1基极相连,IC2又是BG1的基极电流Ib1。BG1又把Ib1(Ib2)放大了β1的集电极电流IC1送回BG2的基极放大。如此循环放大,直到BG1、BG2完全导通。事实上这一过程是“一触即发”的,对可控硅来说,触发信号加到控制极,可控硅立即导通。导通的时间主要决定于可控硅的性能。可控硅一经触发导通后,由于循环反馈的原因,流入BG2基极的电流已不只是初始的Ib2,而是经过BG1、BG2放大后的电流(β1*β2*Ib2),这一电流远大于Ib2,足以保持BG2的持续导通。此时触发信号即使消失,可控硅仍保持导通状态,只有断开电源E或降低E的输出电压,使BG1、BG2的集电极电流小于维持导通的小值时,可控硅方可关断。当然,如果E极性反接。北京优势可控硅模块商家电流容量达几百安培以至上千安培的可控硅元件。

北京优势可控硅模块商家,可控硅模块

3、地板要平整有光泽,花样多吉祥如意的图案比较好。4、玄关的灯光是很重要的一项内容,它可以调节家人的健康及财运,光线不能太过于明亮,否则一进门来会刺眼也影响神经。不能太暗,一会招阴灵,二则使运气衰败。灯比较好选择方圆的,不能用三角灯型。5、玄关处比较好不要放植物。6、如果在玄关处安放镜子,不能对着大门,会使从大门进来吉气、财气反射出去。玄关顶上切不可贴镜片,会使人有头重脚轻的感觉。玄关中有四项基本原则,掌握好了这些原则,玄关便能够化煞、防泄,是家庭一帆风顺哦。玄关原则之一是玄关的设计要透明8家庭用的照明开关是常开触点对吗有什么区别四开单控开关和四开双控开关的功能区别:双控开关是指,两个开关控制一个灯。单控开关是指,一个开关控制一个灯。四开开关也就是四位开关,就是有四个开关按钮。单控开关在家庭电路中是常见的,也就是一个开关控制一件或多件电器,根据所联电器的数量又可以分为单控单联、单控双联、单控三联、单控四联等多种形式。如:厨房使用单控单联的开关,一个开关控制一组照明灯光在客厅可能会安装三个射灯,那么可以用一个单控三联的开关来控制。双控开关就是一个开关同时带常开、常闭两个触点(即为一对)。

其闸流特性表现为当可控硅加上正向阳极电压的同时又加上适当的正向控制电压时,可控硅就导通;这一导通即使在撤去门极控制电压后仍将维持,一直到加上反向阳极电压或阳极电流小于可控硅自身的维持电流后才关断。普通的可控硅调光器就是利用可控硅的这一特性实现前沿触发相控调压的。在正弦波交流电过零后的某一时刻t1(或某一相位角wt1),在可控硅控制极上加一触发脉冲,使可控硅导通,根据前面介绍过的可控硅开关特性,这一导通将维持到正弦波正半周结束。因此在正弦波的正半周(即0~p区间)中,0~wt1范围可控硅不导通,这一范围称为控制角,常用a表示;而在wt1~p间可控硅导通,这一范围称为导通角,常用j表示。同理在正弦波交流电的负半周,对处于反向联接的另一个可控硅(对两个单向可控硅反并联或双向可控硅而言)在t2时刻(即相位角wt2)施加触发脉冲,使其导通。如此周而复始,对正弦波每半个周期控制其导通,获得相同的导通角。如改变触发脉冲的施加时间(或相位),即改变了导通角j(或控制角a)的大小。导通角越大调光器输出的电压越高,灯就越亮。从上述可控硅调光原理可知,调光器输出的电压波形已经不再是正弦波了,除非调光器处在全导通状态。控制极触发电流(IGT),俗称触发电流。常用可控硅的IGT一般为几微安到几十毫安。

北京优势可控硅模块商家,可控硅模块

图1所示为一个N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构,N+区称为源区,附于其上的电极称为源极。N+区称为漏区。器件的控制区为栅区,附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P型区(包括P+和P一区)(沟道在该区域形成),称为亚沟道区(Subchannelregion)。而在漏区另一侧的P+区称为漏注入区(Draininjector),它是IGBT特有的功能区,与漏区和亚沟道区一起形成PNP双极晶体管,起发射极的作用,向漏极注入空穴,进行导电调制,以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道,给PNP晶体管提供基极电流,使IGBT导通。反之,加反向门极电压消除沟道,切断基极电流,使IGBT关断。IGBT的驱动方法和MOSFET基本相同,只需控制输入极N一沟道MOSFET,所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET的沟道形成后,从P+基极注入到N一层的空穴(少子),对N一层进行电导调制,减小N一层的电阻,使IGBT在高电压时,也具有低的通态电压。IGBT和可控硅区别IGBT与晶闸管1.整流元件(晶闸管)简单地说:整流器是把单相或三相正弦交流电流通过整流元件变成平稳的可调的单方向的直流电流。其实现条件主要是依靠整流管。双向可控硅的特性曲线是由一、三两个象限内的曲线组合成的。广东哪里有可控硅模块代理商

按关断速度分类:可控硅按其关断速度可分为普通可控硅和高频(快速)可控硅。北京优势可控硅模块商家

阳极正向电压还未超过导能电压时,可以重复加在可控硅两端的正向峰值电压。可控硅承受的正向电压峰值,不能超过手册给出的这个参数值。3、反向阻断峰值电压VPR当可控硅加反向电压,处于反向关断状态时,可以重复加在可控硅两端的反向峰值电压。使用时,不能超过手册给出的这个参数值。4、控制极触发电流Ig1、触发电压VGT在规定的环境温度下,阳极---阴极间加有一定电压时,可控硅从关断状态转为导通状态所需要的小控制极电流和电压。5、维持电流IH在规定温度下,控制极断路,维持可控硅导通所必需的小阳极正向电流。许多新型可控硅元件相继问世,如适于高频应用的快速可控硅,可以用正或负的触发信号控制两个方向导通的双向可控硅,可以用正触发信号使其导通,用负触发信号使其关断的可控硅等等。可控硅的分类一、按关断、导通及控制方式分类:可控硅按其关断、导通及控制方式可分为普通可控硅、双向可控硅、逆导可控硅、门极关断可控硅(GTO)、BTG可控硅、温控可控硅和光控可控硅等多种。二、按引脚和极性分类:可控硅按其引脚和极性可分为二极可控硅、三极可控硅和四极可控硅。北京优势可控硅模块商家

可控硅模块产品展示
  • 北京优势可控硅模块商家,可控硅模块
  • 北京优势可控硅模块商家,可控硅模块
  • 北京优势可控硅模块商家,可控硅模块
与可控硅模块相关的**
信息来源于互联网 本站不为信息真实性负责