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氧化铪MSDS1.1产品标识符:Hafnium(IV)oxide化学品俗名或商品名1.2鉴别的其他方法无数据资料1.3有关的确定了的物质或混合物的用途和建议不适合的用途*供科研用途，不作为药物、家庭备用药或其它用途。模块2.危险性概述2.1GHS分类根据全球协调系统(GHS)的规定，不是危险物质或混合物。2.3其它危害物-无模块3.成分/组成信息3.1物质:HfO2分子式:210.49g/mol分子量成分浓度Hafniumdioxide-化学文摘编号(CASNo.)12055-23-1EC-编号235-013-2模块4.急救措施4.1必要的急救措施描述如果吸入如果吸入,请将患者移到新鲜空气处。如果停止了呼吸,给于人工呼吸。在皮肤接触的情况下用肥皂和大量的水冲洗。在眼睛接触的情况下用水冲洗眼睛作为预防措施。如果误服切勿给失去知觉者从嘴里喂食任何东西。用水漱口。4.2**重要的症状和影响，急性的和滞后的据我们所知，此化学，物理和毒性性质尚未经完整的研究。4.3及时的医疗处理和所需的特殊处理的说明和指示无数据资料模块5.消防措施5.1灭火介质灭火方法及灭火剂用水雾,耐醇泡沫,干粉或二氧化碳灭火。5.2源于此物质或混合物的特别的危害二氧化铪5.3救火人员的预防如必要的话,戴自给式呼吸器去救火。5.4进一步的信息氧化铪的MSDS。。。。湖北氧化铪市面价

氧化铪（HfO2）为锆铪分离的产物，目前只有美、法等国家在生产核级锆时产生有氧化铪。中国早期就已经具备生产核级Zr，并生产少量氧化铪的能力。但是产品数量稀少，价格昂贵。作为铪的主要化学产品，通常用作光学镀膜材料，很少量开始试用于高效集成电路，氧化铪在**领域的应用尚待开发。氧化铪在光学镀膜领域的应用HfO2的熔点比较高、同时铪原子的吸收截面较大，捕Chemicalbook获中子的能力强，化学性质特别稳定，因此在原子能工业中具有非常大应用的价值。自上世纪以来，光学镀膜得到了很快的发展，HfO2在光学方面的特性已经越来越适应光学镀膜技术的要求，所以HfO2在镀膜领域的应用也越来越***，特别是它对光有比较宽的透明波段，在光透过氧化铪薄膜时，对光的吸收少，大部分通过折射透过薄膜，因此HfO2在光学镀膜领域的应用越来越被重视。湖北氧化铪市面价氧化铪的分子式是多少？

外观和描述：氧化铪是铪的主要氧化物，通常状况下为白色无臭无味晶体。英文名称:hafniumdioxide中文名:二氧化铪CASNo.:12055-23-1化学式:HfO2分子量:210.6密度:9.68克/立方厘米熔点:约2850℃沸点:约沸点5400℃2、性质：氧化铪是一种、无味的白色固体，不溶于水、盐酸和硝酸，可溶于浓硫酸和氟氢酸；化学性质不活泼，具有薄膜特性：透光范围～220～12000nm；折射率（250nm）～2.15（500nm）～2，且高熔点，所以用途***。3、用途：1）金属铪及其化合物的原料；2）耐火材料、抗放射性涂料和特殊的催化剂；3）度玻璃涂层。

在碳化过程中可有Hf2O3与HfO形成，但是对此研究较少。性质氧化铪为白色立方晶体，比重9.68。熔点2，758±25℃。沸点约5，400℃。单斜晶系的二氧化铪在1，475～1，600℃足量氧气氛中转化为四方晶系。不溶于水和一般无Chemicalbook机酸，但在氢氟酸中缓慢溶解。化学反应与热的浓硫酸或酸式硫酸盐作用形成硫酸铪[Hf(SO4)2]，与碳混合后加热通氯生成四氯化铪(HfCl4)，与氟硅酸钾作用生成氟铪酸钾(K2HfF6)，与碳在1，500℃以上作用形成碳化铪HfC。氧化铪薄膜的特性与应用？

氧化铪是一种化学物质，分子式是HfO₂。中文名氧化铪，外文名:Hafnium(IV)oxide，中文别名氧化铪(IV)，CAS:12055-23-1，EINECS:235-013-2，分子量:210.4888，毒理学数据主要的刺激性影响在皮肤上面：刺激皮肤和粘膜在眼睛上面：刺激的影响致敏作用：没有已知的敏化现象。性质与稳定性常温常压下稳定避免的物料酸。合成方法当加热到高温时铪与氧直接化合生成氧化铪。也可通过其硫酸盐或草酸盐经灼烧而得。用途用于光谱分析及催化剂体系，耐熔材料。氧化铪是什么形状的？浙江口碑好的氧化铪

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性质白色粉末，有单斜、四方和立方三种晶体结构。密度分别为10.3，10.1和10.43g/cm3。熔点2780～2920K。沸点5400K。热膨胀系数5.8×10-6/℃。不溶于水、盐酸和硝酸，可溶于浓硫酸和氟氢酸。由硫酸铪、氯氧化铪等化合物热分解或水解制取。为生产金属铪和铪合金的原料。用作耐火材料、抗放射性涂料和催化剂。应用二氧化铪(HfO₂)是一种具有宽带隙和高介电常数的陶瓷材料，近来在工业界特别是微电子领域被引起极度的关注，由于它**可能替代硅基集成电路的**器件金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的栅极绝缘层二氧化硅(SiO₂)，以解决MOSFET中传统SiO₂/Si结构的发展的尺寸极限问题。湖北氧化铪市面价