浙江氧化铪使用注意事项

CAS号:12055-23-1英文名称:HAFNIUMOXIDE英文同义词:HfO2;Hafnia;dioxohafniuM;Hafnia,felt;HAFNIUMOXIDE;Hafniaparalvei;HAFNIUM(+4)OXIDE;Hafniabulkfiber;HAFNIUMChemicalbook(IV)OXIDE;hafniumoxide(hfo2)中文名称:氧化铪中文同义词:氧化铪;氧化铪粉;氧化铪毡;纳米氧化铪;纳米二氧化铪;氧化铪25G;氧化铪布,缎纹;氧化铪纤维散棉;氧化铪(IV);氧化铪(III)CBNumber:CB5737990分子式:HfO2分子量:210.49氧化铪化学性质熔点:2810°C密度:9.68g/mLat25°C(lit.)折射率:2.13(1700nm)形态:powder颜色:Off-white氧化铪的化学性质有哪些？浙江氧化铪使用注意事项

应用领域氧化铪（HfO2）为锆铪分离的产物，目前只有美、法等国家在生产核级锆时产生有氧化铪。中国早期就已经具备生产核级Zr，并生产少量氧化铪的能力。但是产品数量稀少，价格昂贵。作为铪的主要化学产品，通常用作光学镀膜材料，很少量开始试用于高效集成电路，氧化铪在**领域的应用尚待开发。氧化铪在光学镀膜领域的应用HfO2的熔点比较高、同时铪原子的吸收截面较大Chemicalbook，捕获中子的能力强，化学性质特别稳定，因此在原子能工业中具有非常大应用的价值。自上世纪以来，光学镀膜得到了很快的发展，HfO2在光学方面的特性已经越来越适应光学镀膜技术的要求，所以HfO2在镀膜领域的应用也越来越***，特别是它对光有比较宽的透明波段，在光透过氧化铪薄膜时，对光的吸收少，大部分通过折射透过薄膜，因此HfO2在光学镀膜领域的应用越来越被重视。浙江氧化铪使用注意事项氧化铪的海关编码是多少？

氧化铪用途与合成方法物理性质氧化铪（HfO2）是白色晶体粉末。纯氧化铪以三种形式存在，一种是无定型状态，另外两种为晶体。在＜400℃煅烧氢氧化铪、氧氯化铪等不稳定的化合物时，可以得到无定型氧化铪。将其氧化铪继续加热至450~480℃，开始转化为单斜晶体，继续加热至1000~1650℃发生晶格常数逐步增加的趋势，并转化为4个氧化铪分子的单体。当1700~Chemicalbook1865℃时开始转化为四方晶系。向氧化铪中添加少量氧化镁、氧化钙、氧化锰等氧化铪，在1500℃以上可以形成面心立方晶格的固溶体。如向氧化铪中加8%~20%氧化钙，则晶格常数α相应从0.5082nm增加至0.5098nm。若添加的量达到形成CaHfO3时，则晶体结构转化为菱形晶系。单斜晶体氧化铪的密度为9.68g/cm3，熔点3031K，沸点5673K。氧化铪结构1

氧化铪物理化学性质密度9.68熔点2812ºC分子式HfO2分子量210.48900精确质量211.93600PSA34.14000外观性状粉末折射率2.13(1700nm)储存条件常温密闭，阴凉通风干燥稳定性常温常压下稳定避免的物料酸计算化学1、氢键供体数量：12、氢键受体数量：23、可旋转化学键数量：04、拓扑分子极性表面积（TPSA）：34.15、重原子数量：36、表面电荷：07、复杂度：18.38、同位素原子数量：09、确定原子立构中心数量：010、不确定原子立构中心数量：011、确定化学键立构中心数量：012、不确定化学键立构中心数量：013、共价键单元数量：1。氧化铪的生产方法有那些？

常用名氧化铪英文名hafniumoxideCAS号12055-23-1分子量210.48900密度9.68沸点N/A分子式HfO2熔点2812ºCMSDS闪点N/A。

氧化铪用途用于光谱分析及催化剂体系，耐熔材料。储存条件常温密闭，阴凉通风干燥稳定性常温常压下稳定避免的物料酸计算化学1、氢键供体数量：12、氢键受体数量：23、可旋转化学键数量：04、拓扑分子极性表面积（TPSA）：34.15、重原子数量：36、表面电荷：07、复杂度：18.38、同位素原子数量：09、确定原子立构中心数量：010、不确定原子立构中心数量：011、确定化学键立构中心数量：012、不确定化学键立构中心数量：013、共价键单元数量：1 氧化铪的危险性概述？西藏化学试剂氧化铪

氧化铪的销售公司有那些？浙江氧化铪使用注意事项

产品特点：白色粉末，有单斜、四方和立方三种晶体结构。密度分别为10.3，10.1和9.68g/cm3。熔点2780~2920K。沸点5400K。热膨胀系数5.8×10-6/℃。不溶于水、盐酸和硝酸，可溶于浓硫酸和氟氢酸。由硫酸铪、氯氧化铪等化合物热分解或水解制取。为生产金属铪和铪合金的原料。用作耐火材料、抗放射性涂料和催化剂。产品应用：二氧化铪(HfO?)是一种具有宽带隙和高介电常数的陶瓷材料，近来在工业界特别是微电子领域被引起极度的关注，由于它可能替代目前硅基集成电路的**器件金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的栅极绝缘层二氧化硅(SiO?)，以解决目前MOSFET中传统SiO?/Si结构的发展的尺寸极限问题。浙江氧化铪使用注意事项

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