电动机端电压波形为正弦波,即全导通状态;(图示两种状态)当可控硅导通角α1《180°时,电动机端电压波形如图实线所示,即非全导通状态,有效值减小;α1越小,导通状态越少,则电压有效值越小,所产生的磁场越小,则电机的转速越低。但这时电动机电压和电流波形不连续,波形差,故电动机的噪音大,甚至有明显的抖动,并带来干扰。这些现象一般是在微风或低风速时出现,属正常。由以上的分析可知,采用可控硅调速其电机转速可连续调节。3.各元器件作用及注意事项D15、R28、R29、E9、Z1、R30、C1组成降压、整流、虑波稳压电路,获得相对直流电压12V,通过光电偶合器PC817给双向可控硅BT131提供门极电压;R25、C15组成RC阻容吸收网络,解决可控硅导通与截止对电网的干扰,使其符合EMI测试标准;同时防止可控硅两端电压突变,造成无门极信号误导通。TR1选用1A/400V双向可控硅,TR1有方向性,T1、T2不可接反,否则电路不能正常工作。L2为扼流线圈,防止可控硅回路中电流突变,保护TR1,由于它是储能元件,在TR1关断和导通过程中,尖峰电压接近50V,R24容易受冲击损坏。 大功率高频可控硅通常用作工业中;高频熔炼炉等。黑龙江西门康SEMIKRON可控硅服务电话
晶闸管等元件通过整流来实现。除此之外整流器件还有很多,如:可关断晶闸管GTO,逆导晶闸管,双向晶闸管,整流模块,功率模块IGBT,SIT,MOSFET等等,这里只探讨晶闸管。晶闸管又名可控硅,通常人们都叫可控硅。是一种功率半导体器件,由于它效率高,控制特性好,寿命长,体积小等优点,自上个世纪六十长代以来,获得了迅猛发展,并已形成了一门单独的学科。“晶闸管交流技术”。晶闸管发展到,在工艺上已经非常成熟,品质更好,成品率大幅提高,并向高压大电流发展。目前国内晶闸管大额定电流可达5000A,国外更大。我国的韶山电力机车上装载的都是我国自行研制的大功率晶闸管。晶闸管的应用:一、可控整流如同二极管整流一样,可以把交流整流为直流,并且在交流电压不变的情况下,方便地控制直流输出电压的大小即可控整流,实现交流——可变直流二、交流调压与调功利用晶闸管的开关特性代替老式的接触调压器、感应调压器和饱和电抗器调压。为了消除晶闸管交流调压产生的高次谐波,出现了一种过零触发,实现负载交流功率的无级调节即晶闸管调功器。交流——可变交流。三、逆变与变频直流输电:将三相高压交流整流为高压直流,由高压直流远距离输送以减少损耗。 福建进口西门康SEMIKRON可控硅代理商采用模块封装形式,具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。
指针指示还要比上一次稍大十几至几十欧,则表明可控硅良好,且触发电压(或电流)小。若保持接通A极或T2极时断开G极,指针立即退回∞位置,则说明可控硅触发电流太大或损坏。可按图2方法进一步测量,对于单向可控硅,闭合开关K,灯应发亮,断开K灯仍不息灭,否则说明可控硅损坏。对于双向可控硅,闭合开关K,灯应发亮,断开K,灯应不息灭。然后将电池反接,重复上述步骤,均应是同一结果,才说明是好的。否则说明该器件已损坏。左手665收藏时间:2016年2月6日18:40如何鉴别可控硅的三个极关键字:可控硅检测方法鉴别可控硅三个极的方法很简单,根据P-N结的原理,只要用万用表测量一下三个极之间的电阻值就可以。阳极与阴极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上,阳极和控制极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上(它们之间有两个P-N结,而且方向相反,因此阳极和控制极正反向都不通)。控制极与阴极之间是一个P-N结,因此它的正向电阻大约在几欧-几百欧的范围,反向电阻比正向电阻要大。可是控制极二极管特性是不太理想的,反向不是完全呈阻断状态的,可以有比较大的电流通过,因此,有时测得控制极反向电阻比较小,并不能说明控制极特性不好。
只有可控硅模块能够满足上述条件,才能说明可控硅模块是质量的。当然,判断起来也非常简单,只需要使用万用表的欧姆档测量可控硅的极间电阻。具体的做法就是:用R×1k或R×10k挡测阴极与阳极之间的正反向电阻(控制极不接电压),此两个阻值均应很大。电阻值越大,表明正反向漏电电流愈小。如果测得的阻值很低,或近于无穷大,说明可控硅已经击穿短路或已经开路,此可控硅不能使用了。接着就是检测可控硅模块的三个PN结是否完好或者损坏,可以用万用表的R×1k或R×10k挡测阳极与控制极之间的电阻,正反向测量阻值均应几百千欧以上,若电阻值很小表明可控硅击穿短路。用R×1k或R×100挡,测控制极和阴极之间的PN结的正反向电阻在几千欧左右,如出现正向阻值接近于零值或为无穷大,表明控制极与阴极之间的PN结已经损坏。反向阻值应很大,但不能为无穷大。正常情况是反向阻值明显大于正向阻值。基本上来说,通过以上方法就能够判断出可控硅模块的好坏了。 体积小、重量轻、结构紧凑、可靠性高、外接线简单、互换性好、便于维修和安装。
答;可控硅有两种叫法,精细一点叫晶闸管。常用的电力半导体器件有;普通可控硅(SCR)、门极(GTO)关断可控硅、电力可控硅(GTR)、电力MoS场效应晶体管(MosFET)、绝缘栅双极型晶体管、(lGBT)、Mos栅控可控硅等等。可控硅模块;是根据不同的用途与技术要求,将单向可控进行组合。两只单向可控硅的串联(一只的阳极A与另一只的阴极K相接)这样就组成了一个可控硅模块。常用于大功率三相桥式、单相桥式整流电路之中。两只单相可控硅反向并联(就是一只的阳极A与另一只的阴极K联接,另一端点一只阴极k与一只阳极A相接)组成一只双向可控硅模块。常用于大功率三相或单相交流调压电路中。例如软启动器中改变电压控制电动机启动的电路中。无论是什么结构,它们的控制端都是由阴极K与门极G有二根线引出来控制的。下面简述一下GT0门极可关断可控硅的组成。见下面图门极可关断晶闸管简称可关断晶闸管,用GTO表示。它是一种耐高电压大电流全控器件。它属全控型三端器件。GT0可控硅的基本结构与普通可控硅ScR类似,它的三个极也是阳极A、阴极k、门极G。其内部结构及符号如上图所示。其阳极伏安特性如下图所示。当阳极加有正电压、阴极加有负电压时。 普通可控硅的三个电极可以用万用表欧姆挡R×100挡位来测。代理西门康SEMIKRON可控硅货源充足
不管可控硅的外形如何,它们的管芯都是由P型硅和N型硅组成的四层P1N1P2N2结构。黑龙江西门康SEMIKRON可控硅服务电话
早是在1970年由西门康公司率先将模块原理引入电力电子技术领域,是采用模块封装形式,具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。中文名可控硅模块外文名semiconductormodule别名功率半导体模块时间1970年目录1分类2优点3规格型号可控硅模块分类编辑可控硅模块从内部封装芯片上可以分为可控模块和整流模块两大类;从具体的用途上区分,可以分为:普通晶闸管模块(MTC\MTX\MTK\MTA)、普通整流管模块(MDC)、普通晶闸管、整流管混合模块(MFC)、快速晶闸管、整流管及混合模块(MKC\MZC)、非绝缘型晶闸管、整流管及混合模块(也就是通常所说的电焊机模块MTG\MDG)、三相整流桥输出可控硅模块(MDS)、单相(三相)整流桥模块(MDQ)、单相半控桥(三相全控桥)模块(MTS)以及肖特基模块等。可控硅模块优点编辑体积小、重量轻、结构紧凑、可靠性高、外接线简单、互换性好、便于维修和安装;结构重复性好,装置的机械设计可以简化,价格比分立器件低等诸多优点,因而在一诞生就受到了各大电力半导体厂家的热捧,并因此得到长足发展。 黑龙江西门康SEMIKRON可控硅服务电话