若用于交流开关、交流调压、交流电动机线性调速、灯具线性调光及固态继电器、固态接触器等电路中,应选用双向晶闸管。若用于交流电动机变频调速、斩波器、逆变电源及各种电子开关电路等,可选用门极关断晶闸管。若用于锯齿波发生器、长时间延时器、过电压保护器及大功率晶体管触发电路等,可选用BTG晶闸管。若用于电磁灶、电子镇流器、超声波电路、超导磁能储存系统及开关电源等电路,可选用逆导晶闸管。若用于光电耦合器、光探测器、光报警器、光计数器、光电逻辑电路及自动生产线的运行监控电路,可选用光控晶闸管。2.选择晶闸管的主要参数:晶闸管的主要参数应根据应用电路的具体要求而定。所选晶闸管应留有一定的功率裕量,其额定峰值电压和额定电流(通态平均电流)均应高于受控电路的大工作电压和大工作电流1.5~2倍。晶闸管的正向压降、门极触发电流及触发电压等参数应符合应用电路(指门极的控制电路)的各项要求,不能偏高或偏低,否则会影响晶闸管的正常工作。单向检测/晶闸管编辑(1)判别各电极:根据普通晶闸管的结构可知,其门极G与阴极K极之间为一个PN结,具有单向导电特性,而阳极A与门极之间有两个反极性串联的PN结。因此。 晶闸管的工作特性可以概括为∶正向阻断,触发导通,反向阻断。湖北进口Infineon英飞凌晶闸管工厂直销
影响串联运行电压分配不均匀的因素主要有以下几个:1、静态伏安特性对静态均压的影响。不同元件的伏安特性差异较大,串联使用时会使电压分配不均衡。同时,半导体器件的伏安特性容易受温度的影响,不同的结温也会使均压性能受到影响。[1]2、关断电荷和开通时间等动态特性对动态均压的影响。晶闸管串联运行,延迟时间不同,门极触发脉冲的大小不同,都会导致阀片的开通适度不同。阀片的开通速度不同,会引起动态电压的不均衡。同时关断时间的差异也会造成各晶闸管不同时关断的现象。关断电荷少,则易关断,关断时间也短,先关断的元件必然承受高的动态电压。[1]晶闸管串联技术的根本目的的是保证动、静态特性不同的晶闸管在串联后能够安全稳定运行且都得到充分的利用。这就涉及到串联晶闸管的元件保护、动态和静态均压、触发一致性、反向恢复过电压的抑制、开通关断缓冲等一系列问题。[1]主要参数/晶闸管编辑为了正确选用晶闸管元件,必须要了解它的主要参数,一般在产品的目录上都给出了参数的平均值或极限值,产品合格证上标有元件的实测数据。(1)断态重复峰值电压UDRM在控制极断路和晶闸管正向阻断的条件下,可以重复加在晶闸管两端的正向峰值电压。 河北Infineon英飞凌晶闸管服务电话晶闸管承受反向阳极电压时,不管门极承受何种电压,晶闸管都处于反向阻断状态。
1]维持电流I:是指晶闸管维持导通所必需的小电流,一般为几十到几百毫安。IH与结温有关,结温越高,则I越小。擎住电流I:是晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后,能维持导通所需的小电流。对同一晶闸管来说,通常I约为I的2~4倍。[1]浪涌电流I:浪涌电流是指由于电路异常情况引起的使结温超过额定结温的不重复性大正向过载电流。断态电压临界上升率du/dt:是指在额定结温、门极开路的情况下,不能使晶闸管从断态到通态转换的外加电压大上升率。通态电流临界上升率di/dt:指在规定条件下,晶闸管能承受的大通态电流上升率。如果di/dt过大,在晶闸管刚开通时会有很大的电流集中在门极附近的小区域内,从而造成局部过热而使晶闸管损坏。[1]触发技术晶闸管触发电路的作用是产生符合要求的门极触发脉冲,使得晶闸管在需要时正常开通。晶闸管触发电路必须满足以下几点要求:①触发脉冲的宽度应足够宽使得晶闸管可靠导通;②触发脉冲应有足够的幅度,对一些温度较低的场合,脉冲电流的幅度应增大为器件大触发电流的3~5倍,脉冲的陡度也需要增加,一般需达1~2A/μs;③所提供的触发脉冲应不超过晶闸管门极的电压、电流和功率定额,且在门极伏安特性的可靠触发区域之内。
光控晶闸管又称光触发晶闸管,是利用一定波长的光照信号来代替电信号对器件进行触发。光控晶闸管的伏安特性和普通晶闸管一样,只是随着光照信号变强其正向转折电压逐渐变低。[1]中文名光控晶闸管外文名LightTriggeredThyristor简称LTT别称光触发晶闸管特点以光信号代替电信号进行触发导通学科电子技术目录1简述2结构3工作原理4特性光控晶闸管简述编辑光控晶闸管又称光触发晶闸管,它是一种以光信号代替电信号来进行触发导通的特殊触发型晶闸管,其伏安特性曲线与普通晶闸管完全一样,只是触发方式不同。而由于它采用光信号触发,避免了主回路对控制回路的干扰,适用于要求信号源与主回路高度绝缘的大功率高压装置,如高压直流输电装置、高压核聚变装置等。[2]光控晶闸管是利用一定波长的光照信号控制的开关器件,其结构也是由四层半导体(PNPN)构成。小功率光控晶闸管只有两个电极(阳极A和阴极K),而大功率光控晶闸管除阳极和阴极之外,还带有光缆,光缆上装有发光二极管或半导体激光器作为触发光源。光控晶闸管结构编辑光控晶闸管也称GK型光开关管,是一种光敏器件。通常晶闸管有3个电极,控制极G、阳极A和阴极K。由于图1光控晶闸管光控晶闸管的控制信号来自光的照射。 晶闸管是PNPN四层半导体结构,它有三个极:阳极,阴极和门极。
1957年又开发了全球用于功率转换和控制的可控硅整流器(SCR)。由于它们具有体积小、重量轻、效率高、寿命长的优势,尤其是SCR能以微小的电流控制较大的功率,令半导体电力电子器件成功从弱电控制领域进入了强电控制领域、大功率控制领域。在整流器的应用上,晶闸管迅速取代了整流器(引燃管),实现整流器的固体化、静止化和无触点化,并获得巨大的节能效果。从1960年代开始,由普通晶闸管相继衍生出了快速晶闸管、光控晶闸管、不对称晶闸管及双向晶闸管等各种特性的晶闸管,形成一个庞大的晶闸管家族。晶闸管在应用中有效率高、控制特性好、寿命长、体积小、功能强等优点,其能承受的电压和电流容量是目前电力电子器件中高的,而且工作可靠。因晶闸管的上述优点,国外对晶闸管在脉冲功率源领域内应用的研究做了大量的工作,很多脉冲功率能源模块已经使用晶闸管作为主开关。而国内的大功率晶闸管主要应用在高压直流输电的工频环境下,其工频工作条件下的技术参数指标不足以准确反映其在脉冲电源这种高电压、大电流、高陡度的环境下的使用情况,对其在脉冲脉冲功率电源领域中的应用研究很少,尚处于试验探索阶段。[1]在大功率半导体开关器件中。 金属封装晶闸管又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种。湖北哪里有Infineon英飞凌晶闸管服务电话
晶闸管在导通情况下,当主回路电压(或电流)减小到接近于零时,晶闸管关断。湖北进口Infineon英飞凌晶闸管工厂直销
产生波形失真和噪声。可关断晶闸管克服了上述缺陷,它既保留了普通晶闸管耐压高、电流大等优点,以具有自关断能力,使用方便,是理想的高压、大电流开关器件。GTO的容量及使用寿命均超过巨型晶体管(GTR),只是工作频率比GTR低。目前,GTO已达到3000A、4500V的容量。大功率可关断晶闸管已用于斩波调速、变频调速、逆变电源等领域,显示出强大的生命力。可关断晶闸管也属于PNPN四层三端器件,其结构及等效电路和普通晶闸管相同,因此图1绘出GTO典型产品的外形及符号。大功率GTO大都制成模块形式。尽管GTO与SCR的触发导通原理相同,但二者的关断原理及关断方式截然不同。这是由于普通晶闸管在导通之后即处于深度饱和状态,而GTO在导通后只能达到临界饱和,所以GTO门极上加负向触发信号即可关断。GTO的一个重要参数就是关断增益,βoff,它等于阳极大可关断电流IATM与门极大负向电流IGM之比,有公式βoff=IATM/IGMβoff一般为几倍至几十倍。βoff值愈大,说明门极电流对阳极电流的控制能力愈强。很显然,βoff与昌盛的hFE参数颇有相似之处。下面分别介绍利用万用表判定GTO电极、检查GTO的触发能力和关断能力、估测关断增益βoff的方法。判定GTO的电极将万用表拨至R×1档。 湖北进口Infineon英飞凌晶闸管工厂直销