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    稳压源，放大器以及电子仪器的保护电路等瞬态电压抑制二极管又称瞬变电压抑制二极管，双向击穿二极管，简称TVS。瞬态抑制二极管不会被击穿，它能够在电压极高时降低电阻，使电流分流或控制其流向，从而保护电路元件在瞬间电压过高的情况下不被烧毁。双向触发二极管又称二端交流器件DIAC或双向二极管。常用来出发双向晶闸管，还可构成过压保护电路等。变阻二极管变阻二极管是利用PN结之间等效电阻可变的原理制成的，主要应用于10-1000MHz高频电路或开关电源等电路，做可调衰减器，起限幅，保护等作用。隧道二极管又称江崎二极管，它是以隧道效应电流为主要电流分量的二极管，结构简单，变化速度快，功耗小。在高速脉冲计数中有广泛应用。可用隧道二极管构成双稳电路，单稳电路，多谐振荡器，以及用作整形和分频。双基极二极管又称单节晶体管，是具有一个PN结的三端负阻器件。广泛应用于各种振荡器，定时器和控制器电路中磁敏二极管磁敏二极管可以在较弱的磁场作用下，产生较高的输出电压，并随着磁场方向的改变同步输出变化的正、负电压。在磁力探测，电流测量，无触点开关，位移测量，转速测量，无刷直流电机的自动控制等方面得到广泛应用。温敏二极管在一定偏置电流下。 它们的结构为点接触型。其结电容较小，工作频率较高，一般都采用锗材料制成。内蒙古进口西门康SEMIKRON二极管货源充足

    所以依据这一点可以确定这一电路是为了稳定电路中A点的直流工作电压。3）电路中有多只元器件时，一定要设法搞清楚实现电路功能的主要元器件，然后围绕它进行展开分析。分析中运用该元器件主要特性，进行合理解释。二极管温度补偿电路及故障处理众所周知，PN结导通后有一个约为（指硅材料PN结）的压降，同时PN结还有一个与温度相关的特性：PN结导通后的压降基本不变，但不是不变，PN结两端的压降随温度升高而略有下降，温度愈高其下降的量愈多，当然PN结两端电压下降量的值对于，利用这一特性可以构成温度补偿电路。如图9-42所示是利用二极管温度特性构成的温度补偿电路。图9-42二极管温度补偿电路对于初学者来讲，看不懂电路中VT1等元器件构成的是一种放大器，这对分析这一电路工作原理不利。在电路分析中，熟悉VT1等元器件所构成的单元电路功能，对分析VD1工作原理有着积极意义。了解了单元电路的功能，一切电路分析就可以围绕它进行展开，做到有的放矢、事半功倍。1．需要了解的深层次电路工作原理分析这一电路工作原理需要了解下列两个深层次的电路原理。1）VT1等构成一种放大器电路，对于放大器而言要求它的工作稳定性好。 重庆哪里有西门康SEMIKRON二极管销售厂家检波二极管的主要作用是把高频信号中的低频信号检出。

    而它的负极通过R2与地线相连，这样VD1在直流工作电压+V的作用下处于导通状态。理解二极管导通的要点是：正极上电压高于负极上电压。2）利用二极管导通后有一个，因为通过调整R1和R2的阻值大小可以达到VT1基极所需要的直流工作电压，根本没有必要通过串入二极管VD1来调整VT1基极电压大小。3）利用二极管的管压降温度特性可以正确解释VD1在电路中的作用。假设温度升高，根据三极管特性可知，VT1的基极电流会增大一些。当温度升高时，二极管VD1的管压降会下降一些，VD1管压降的下降导致VT1基极电压下降一些，结果使VT1基极电流下降。由上述分析可知，加入二极管VD1后，原来温度升高使VT1基极电流增大的，现在通过VD1电路可以使VT1基极电流减小一些，这样起到稳定三极管VT1基极电流的作用，所以VD1可以起温度补偿的作用。4）三极管的温度稳定性能不良还表现为温度下降的过程中。在温度降低时，三极管VT1基极电流要减小，这也是温度稳定性能不好的表现。接入二极管VD1后，温度下降时，它的管压降稍有升高，使VT1基极直流工作电压升高，结果VT1基极电流增大，这样也能补偿三极管VT1温度下降时的不稳定。4．电路分析细节说明电路分析的细节说明如下。1）在电路分析中。

    正向导电，反向不导电）晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成了空间电荷层，并且建有自建电场，当不存在外加电压时，因为p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当产生正向电压偏置时，外界电场与自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流（也就是导电的原因）。当产生反向电压偏置时，外界电场与自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围中与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0（这也就是不导电的原因）。当外加的反向电压高到一定程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。二极管原理反向击穿编辑反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，破坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，不容易产生齐纳击穿。雪崩击穿另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时。 二极管就是由一个PN结加上相应的电极引线及管壳封装而成的。

    送到后级电路中进一步处理。图9-50检波电路输出端信号波形示意图2）检波电路输出信号的平均值是直流成分，它的大小表示了检波电路输出信号的平均幅值大小，检波电路输出信号幅度大，其平均值大，这一直流电压值就大，反之则小。这一直流成分在收音机电路中用来控制一种称为中频放大器的放大倍数（也可以称为增益），称为AGC（自动增益控制）电压。AGC电压被检波电路输出端耦合电容隔离，不能与音频信号一起加到后级放大器电路中，而是专门加到AGC电路中。3）检波电路输出信号中还有高频载波信号，这一信号无用，通过接在检波电路输出端的高频滤波电容C1，被滤波到地端。一般检波电路中不给检波二极管加入直流电压，但在一些小信号检波电路中，由于调幅信号的幅度比较小，不足以使检波二极管导通，所以给检波二极管加入较小的正向直流偏置电压，如图所示，使检波二极管处于微导通状态。从检波电路中可以看出，高频滤波电容C1接在检波电路输出端与地线之间，由于检波电路输出端的三种信号其频率不同，加上高频滤波电容C1的容量取得很小，这样C1对三种信号的处理过程不同。1）对于直流电压而言，电容的隔直特性使C1开路，所以检波电路输出端的直流电压不能被C1旁路到地线。 整流二极管模块是利用二极管正向导通，反向截止的原理，将交流电能转变为质量电能的半导体器件。吉林代理西门康SEMIKRON二极管联系方式

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    把交流电变成脉动直流电。整流二极管漏电流较大,多数采用面接触性料封装的二极管。整流二极管的外形如图1所示，另外，整流二极管的参数除前面介绍的几个外，还有大整流电流，是指整流二极管长时间的工作所允许通过的大电流值。它是整流二极管的主要参数，是选项用整流二极管的主要依据。二极管特性曲线整流二极管常用参数编辑（1）大平均整流电流IF：指二极管长期工作时允许通过的大正向平均电流。该电流由PN结的结面积和散热条件决定。使用时应注意通过二极管的平均电流不能大于此值，并要满足散热条件。例如1N4000系列二极管的IF为1A。（2）高反向工作电压VR：指二极管两端允许施加的大反向电压。若大于此值，则反向电流(IR)剧增，二极管的单向导电性被破坏，从而引起反向击穿。通常取反向击穿电压(VB)的一半作为(VR)。例如1N4001的VR为50V，1N4002-1n4006分别为100V、200V、400V、600V和800V，1N4007的VR为1000V（3）大反向电流IR：它是二极管在高反向工作电压下允许流过的反向电流，此参数反映了二极管单向导电性能的好坏。因此这个电流值越小，表明二极管质量越好。（4）击穿电压VB：指二极管反向伏安特性曲线急剧弯曲点的电压值。反向为软特性时。 内蒙古进口西门康SEMIKRON二极管货源充足