正向阻断峰值电压UDRM是指晶闸管正向阻断时所允许重复施加的正向的峰值,反向峰值电压URRM是指允许重复加在晶闸管两端的反向电压的峰值。使用中电路施加在品闸管上的电压必须小于UDRM与URRM并留有一定余量,以免造成击穿损坏。(3)触发电压和电流控制极触发电压UG和控制极触发电流I(G,是指使晶闸管从阻断状态转变为导通状态时,所需要的小控制极直流电压和直流电流。使用中应使实际触发电压和电流大于UG和IG,以保证可靠触发。(4)维持电流维持电流IH是指保持晶闸管肆通所需要的小正向电流。当通过晶闸管的电流小于IH时,品闸管将退出导通状态而关断。晶闸管有哪些用途晶体闸流管具有以小电流控制大电流、以低电压控制高电压的作用,具有体积小、重量轻、功耗低、效率高、开关速度快等优点,在无触点开关,可控整流、直流逆变、凋压、调光和调速等方面得到的应用。(1)直流无触点开关晶体闸流管主要的用途是作无触点开关。如图4-49所示为报警器控制电路,单向晶闸管VS就是一个直流无触点井关。平时VS阻断,报警器不报警。当探头检测到异常情况时,输出一正脉冲至VS的控制极G,晶闸管VS导通使报警器报警,直至有关人员到场并切断开关s才停止报警。。 晶闸管按电流容量可分为大功率晶闸管、率晶闸管和小功率晶闸管三种。云南哪里有Infineon英飞凌晶闸管模块厂家电话
测量任意两脚间的电阻,当黑表笔接G极,红表笔接K极时,电阻呈低阻值,对其它情况电阻值均为无穷大。由此可迅速判定G、K极,剩下的就是A极。(此处指的模拟表,电子式万用表红表笔与电池正极相连,模拟表红表笔与电池负极相连)光控晶闸管晶闸管光控晶闸管(LightTriggeredThyristor——LTT),又称光触发晶闸管。国内也称GK型光开关管,是一种光敏器件。1.光控晶闸管的结构通常晶闸管有三个电极:控制极G、阳极A和阴极K。而光控晶闸管由于其控制信号来自光的照射,没有必要再引出控制极,所以只有两个电极(阳极A和阴极K)。但它的结构与普通可控硅一样,是由四层PNPN器件构成。从外形上看,光控晶闸管亦有受光窗口,还有两条管脚和壳体,酷似光电二极管。2.光控晶闸管的工作原理当在光控晶闸管的阳极加上正向电压,阴极加上负向电压时,控晶闸管可以等效成的电路。可推算出下式:Ia=Il/[1-(a1+a2)]式中,Il为光电二极管的光电流;Ia为光控晶闸管阳极电流,即光控晶闸管的输出电流;a1、a2分别为BGl、BG2的电流放大系数。由上式可知,Ia与Il成正比,即当光电二极管的光电流增大时,光控晶闸管的输出电流也相应增大,同时Il的增大。 辽宁进口Infineon英飞凌晶闸管模块销售体闸流管简称为品闸管,也叫做可控硅,是一种具有三个PN结的功率型半导体器件。
高可承受电流上升率di/dt为20kA/us。门极可承受触发电流大值为2000A,触发电流上升率di/dt大为1000A/us。但是此种开关所能承受的反向电压较低,因此还只能在特定的脉冲电源中使用。[1]但晶闸管本身存在两个制约其继续发展的重要因素。一是控制功能上的欠缺,普通的晶闸管属于半控型器件,通过门极(控制极)只能控制其开通而不能控制其关断,导通后控制极即不再起作用,要关断必须切断电源,即令流过晶闸管的正向电流小于维持电流。由于晶闸管的关断不可控的特性,必须另外配以由电感、电容及辅助开关器件等组成的强迫换流电路,从而使装置体积增大,成本增加,而且系统更为复杂、可靠性降低。二是因为此类器件立足于分立元件结构,开通损耗大,工作频率难以提高,限制了其应用范围。1970年代末,随着可关断晶闸管(GTO)日趋成熟,成功克服了普通晶闸管的缺陷,标志着电力电子器件已经从半控型器件发展到全控型器件。
影响串联运行电压分配不均匀的因素主要有以下几个:1、静态伏安特性对静态均压的影响。不同元件的伏安特性差异较大,串联使用时会使电压分配不均衡。同时,半导体器件的伏安特性容易受温度的影响,不同的结温也会使均压性能受到影响。[1]2、关断电荷和开通时间等动态特性对动态均压的影响。晶闸管串联运行,延迟时间不同,门极触发脉冲的大小不同,都会导致阀片的开通适度不同。阀片的开通速度不同,会引起动态电压的不均衡。同时关断时间的差异也会造成各晶闸管不同时关断的现象。关断电荷少,则易关断,关断时间也短,先关断的元件必然承受高的动态电压。[1]晶闸管串联技术的根本目的的是保证动、静态特性不同的晶闸管在串联后能够安全稳定运行且都得到充分的利用。这就涉及到串联晶闸管的元件保护、动态和静态均压、触发一致性、反向恢复过电压的抑制、开通关断缓冲等一系列问题。[1]主要参数/晶闸管编辑为了正确选用晶闸管元件,必须要了解它的主要参数,一般在产品的目录上都给出了参数的平均值或极限值,产品合格证上标有元件的实测数据。(1)断态重复峰值电压UDRM在控制极断路和晶闸管正向阻断的条件下,可以重复加在晶闸管两端的正向峰值电压。 由于这种特殊电路结构,使之具有耐高压、耐高温、关断时间短、通态电压低等优良性能。
dv/dt)晶闸管是由三个P—N结组成的。每个结相当于一个电容器。结电压急剧变化时,就有很大的位移电流流过元件,它等效于控制极触发电流的作用。可能使晶闸管误导通。这就是普通晶闸管不能耐高电压上升率的原因。为了有效防止上述误导通现象发生,快速晶闸管采取了短路发射结结构。把阴极和控制极按一定几何形状短路。这样一来,即使电压上升率较高,晶闸管的电流放大系数仍几乎为零,不致使晶闸管误导通。只是在电压上升率进一步提高,结电容位移电流进一步增大,在短路点上产生电压降足够大时,晶闸管才能导通。具有短路发射结结构的晶闸管,用控制极电流触发时,控制极电流首先也是从短路点流向阴极。只是当控制极电流足够大,在短路点电阻上的电压降足够大,PN结正偏导通电流时,才同没有短路发射结的元件一样,可被触发导通。因此,快速晶闸管的抗干扰能力较好。快速晶闸管的生产和应用都进展很快。目前,已有了电流几百安培、耐压1千余伏,关断时间为20微妙的大功率快速晶闸管,同时还做出了工作频率可达几十千赫兹供高频逆变用的元件。其产品应用于大功率直流开关、大功率中频感应加热电源、超声波电源、激光电源、雷达调制器及直流电动车辆调速等领域。 晶闸管承受反向阳极电压时,不管门极承受何种电压,晶闸管都处于关断状态。浙江进口Infineon英飞凌晶闸管模块代理商
普通晶闸管是一种半可控大功率半导体器件,出现于70年代。云南哪里有Infineon英飞凌晶闸管模块厂家电话
在工作中还应注意管壳温度不超过相应电流下的允许值。2、使用可控硅之前,应该用万用表检查可控硅是否良好。发现有短路或断路现象时,应立即更换。3、严禁用兆欧表(即摇表)检查元件的绝缘情况。4、电流为5A以上的可控硅要装散热器,并且保证所规定的冷却条件。为保证散热器与可控硅管心接触良好,它们之间应涂上一薄层有机硅油或硅脂,以帮于良好的散热。5、按规定对主电路中的可控硅采用过压及过流保护装置。6、要防止可控硅控制极的正向过载和反向击穿。损坏原因判别/晶闸管编辑当晶闸管损坏后需要检查分析其原因时,可把管芯从冷却套中取出,打开芯盒再取出芯片,观察其损坏后的痕迹,以判断是何原因。下面介绍几种常见现象分析。1、电压击穿。晶闸管因不能承受电压而损坏,其芯片中有一个光洁的小孔,有时需用扩大镜才能看见。其原因可能是管子本身耐压下降或被电路断开时产生的高电压击穿。2、电流损坏。电流损坏的痕迹特征是芯片被烧成一个凹坑,且粗糙,其位置在远离控制极上。3、电流上升率损坏。其痕迹与电流损坏相同,而其位置在控制极附近或就在控制极上。4、边缘损坏。他发生在芯片外圆倒角处,有细小光洁小孔。用放大镜可看到倒角面上有细细金属物划痕。 云南哪里有Infineon英飞凌晶闸管模块厂家电话