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艾赛斯IXYS二极管模块基本参数
  • 品牌
  • 艾赛斯IXYS
  • 型号
  • 二极管模块
艾赛斯IXYS二极管模块企业商机

    肖特基,肖特基二极管,肖特基模块一、知识点肖特基SBD是肖特基势垒二极管(SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD)的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的,而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的,因此,SBD也称为金属-半导体(接触)二极管或表面势垒二极管,它是一种热载流子二极管。SBD的主要优点包括两个方面:1)由于肖特基势垒高度低于PN结势垒高度,故其正向导通门限电压和正向压降都比PN结二极管低(约低)。2)由于SBD是一种多数载流子导电器件,不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。SBD的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间,完全不同于PN结二极管的反向恢复时间。故开关速度非常快,开关损耗也特别小,尤其适合于高频应用。SBD具有开关频率高和正向压降低等优点,但其反向击穿电压比较低,比较高约100V,以致于限制了其应用范围。二、产品介绍1.规格本公司引进美国onsem(安森美)公司的质量芯片,采用特殊的封装工艺生产出YF系列共阴肖特基二极管模块,具有损耗、超高速、多子导电、大电流、均流效果好等优点。特别适合6V~24V高频电镀电源,同等通态条件下比采用快恢复二极管模块,底板温度低14℃以上。 二极管重要的特性就是单方向导电性。在电路中,电流只能从二极管的正极流入,负极流出。广东艾赛斯IXYS二极管模块联系方式

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    所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然,金属A中没有空穴,也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A,B表面电子浓度逐渐降低,表面电中性被破坏,于是就形成势垒,其电场方向为B→A。但在该电场作用之下,A中的电子也会产生从A→B的漂移运动,从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后,电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡,便形成了肖特基势垒。特基二极管和整流二极管的区别肖特基(Schottky)二极管是一种快恢复二极管,它属一种低功耗、超高速半导体器件。其明显的特点为反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),正向导通压降。肖特基(Schottky)二极管多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管,也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。常用在彩电的二次电源整流,高频电源整流中。肖特基二极管与一般整流二极管有什么区别呢?肖特基二极管与一般整流二极管相比特别之处在于哪里?就让我们一起学习一下。肖特基二极管是利用金属-半导体接面作为肖特基势垒,以产生整流的效果,和一般二极管中由半导体-半导体接面产生的P-N接面不同。 福建艾赛斯IXYS二极管模块推荐货源键型二极管是在锗或硅的单晶片上熔接或银的细丝而形成的。

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    用于消除感性负载断电时产生的反向电动势。在感性的驱动电路都会用到此类二极管,如4148用于继电器驱动的电路,直流马达的驱动电路,电磁式蜂鸣器驱动电路。还可以用于限幅、钳位电路中去。4148用于继电器驱动的电路直流马达的驱动电路电磁式蜂鸣器驱动电路钳位电路稳压二极管又叫齐纳二极管,顾名思义就是用于稳压,稳压二极管有一个反向击穿特性,当二极管被反向电流击穿后,电流在很大范围内变化时,它的电压也会稳定在一定的范围内。此类二极管经常应用于稳压电路,如下图的D5,特别注意的是,反向电流值要达到一定大小,反向击穿后才会有稳压特性哦。很多工程师在设计电路时,发现明明用了稳压管了,怎么电压不对呢?这时候就要检查一下反向电流是不是已经达到规格要求了。稳压管应用电路一些低端的电源、功耗要求不高场合也经常用稳压管做稳压电路肖特基二极管此类二极管主要的特性是开频频率高,正向压降低,但它的反向耐压比较低,反向漏电流也比较大。经常用于续流电路和高频低压大电流的整流电路中,也常用作保护二极管。保护电路瞬变抑制二极管(TVS)由于其受大能量冲击时,内阻会瞬间变小,此类二极管常用于防止瞬间冲击、吸收浪涌、静电保护的保护电路中去。

    外加电场使电子漂移速度加快,从而与共价键中的价电子相碰撞,把价电子撞出共价键,产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子,载流子雪崩式地增加,致使电流急剧增加,这种击穿称为雪崩击穿。无论哪种击穿,若对其电流不加限制,都可能造成PN结长久性损坏。[1]二极管原理应用编辑1.整流整流二极管主要用于整流电路,即把交流电变换成脉动的直流电。整流二极管都是面结型,因此结电容较大,使其工作频率较低,一般为3kHZ以下。2.开关二极管在正向电压作用下电阻很小,处于导通状态,相当于一只接通的开关;在反向电压作用下,电阻很大,处于截止状态,如同一只断开的开关。利用二极管的开关特性,可以组成各种逻辑电路。3.限幅二极管正向导通后,它的正向压降基本保持不变(硅管为,锗管为)。利用这一特性,在电路中作为限幅元件,可以把信号幅度限制在一定范围内。4.续流在开关电源的电感中和继电器等感性负载中起续流作用。5.检波检波二极管的主要作用是把高频信号中的低频信号检出。它们的结构为点接触型。其结电容较小,工作频率较高,一般都采用锗材料制成。6.阻尼阻尼二极管多用在高频电压电路中。 在电子电路中,将二极管的正极接在高电位端,负极接在低电位端,二极管会导通,这连接方式,称为正向偏置。

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    几安到几十安),主要用于把交流电变换成直流电的“整流”电路中。平面型二极管是一种特制的硅二极管,它不能通过较大的电流,而且性能稳定可靠,多用于开关、脉冲及高频电路中。二极管的导电特性二极管重要的特性就是单方向导电性。在电路中,电流只能从二极管的正极流入,负极流出。下面通过简单的实验说明二极管的正向特性和反向特性。正向特性在电子电路中,将二极管的正极接在高电位端,负极接在低电位端,二极管就会导通,这种连接方式,称为正向偏置。必须说明,当加在二极管两端的正向电压很小时,二极管仍然不能导通,流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门槛电压”,锗管约为,硅管约为)以后,二极管才能直正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变(锗管约为,硅管约为),称为二极管的“正向压降”。反向特性在电子电路中,二极管的正极接在低电位端,负极接在高电位端,此时二极管中几乎没有电流流过,此时二极管处于截止状态,这种连接方式,称为反向偏置。二极管处于反向偏置时,仍然会有微弱的反向电流流过二极管,称为漏电流。当二极管两端的反向电压增大到某一数值,反向电流会急剧增大。 正向电压降小,适于大电流整流。因其PN结反向时静电容量大,所以不适于高频检波和高频整流。海南代理艾赛斯IXYS二极管模块厂家供应

贴片稳压二极管是电源电路中常用的元件之一,有别于普通二极管,工作在PN结的反向击穿区。广东艾赛斯IXYS二极管模块联系方式

    二极管的反向饱和电流受温度影响很大。[4]一般硅管的反向电流比锗管小得多,小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级,小功率锗管在μA数量级。温度升高时,半导体受热激发,少数载流子数目增加,反向饱和电流也随之增加。[4]二极管击穿特性外加反向电压超过某一数值时,反向电流会突然增大,这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热,则单向导电性不一定会被长久破坏,在撤除外加电压后,其性能仍可恢复,否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。[5]反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下,因势垒区宽度很小,反向电压较大时,破坏了势垒区内共价键结构,使价电子脱离共价键束缚,产生电子-空穴对,致使电流急剧增大,这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低,势垒区宽度较宽,不容易产生齐纳击穿。[5]另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时,外加电场使电子漂移速度加快,从而与共价键中的价电子相碰撞,把价电子撞出共价键,产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子。 广东艾赛斯IXYS二极管模块联系方式

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详解肖特基二极管的作用及接法-肖特基二极管的应用肖特基二极管肖特基二极管是以其发明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基势垒二极管(SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD)的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的,而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。因此,SBD也称为金属-半导体(接触)二极管或表面势垒二极管,它是一种热载流子二极管。肖特基二极管的作用肖特基二极管的作用如下:肖特基二极管肖特基(Schottky)二极管,又称肖特基势垒二极管(简称SBD),它属一种低功耗、超高速半导体器件。明显的特点为反...

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