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    可得如下图(b)所示二极管反向电流、电压关系特性。在上图(b)所示反向特性中，当反向电压不超过一定范围(曲线OB段)时，反向电流十分微小并随电压增加而基本不变。小功率硅二极管的反向电流一般小于0．1m左右，通常可以忽略不计。当反向电压增加到一定数值时，反向电流将急剧增加，称为反向击穿，此时的电压称为反向击穿电压。普通二极管被击穿后，PN结不能恢复原有的性能，造成长久性损坏。综上所述，二极管具有在正向偏置电压下导通，反向偏置电压下截止的特性，这个特性称为单向导电性。[编辑]二极管的主要参数二极管的参数是评价二极管性能的重要指标，是正确选择和使用二极管的依据，主要参数有：(1)大整流电流IFM指二极管长期工作时，允许通过二极管的大正向电流的平均值。当实际电流超过该值时，二极管会因过热而损坏。(2)高反向工作电压URM指保证二极管不被击穿所允许施加的大反向电压。实际使用中二极管反向电压不应超过此电压值，以防发生反向击穿。(3)反向电流IR指二极管加反向电压而未击穿时的反向电流。如果该值较大，是不能正常使用的。反向电流愈小，二极管单向导电性愈好。 导通后二极管两端的电压基本上保持不变（锗管约为0.3V，硅管约为0.7V），称为二极管的“正向压降”。福建进口艾赛斯IXYS二极管模块销售

    或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。2、肖特基二极管的结构肖特基二极管在结构原理上与PN结二极管有很大区别，它的内部是由阳极金属（用钼或铝等材料制成的阻挡层）、二氧化硅（SiO2）电场消除材料、N外延层（砷材料）、N型硅基片、N阴极层及阴极金属等构成。在N型基片和阳极金属之间形成肖特基势垒。当在肖特基势垒两端加上正向偏压（阳极金属接电源正极，N型基片接电源负极）时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小；反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。肖特基二极管分为有引线和表面安装（贴片式）两种封装形式。采用有引线式封装的肖特基二极管通常作为高频大电流整流二极管、续流二极管或保护二极管使用。它有单管式和对管（双二极管）式两种封装形式。肖特基对管又有：共阴（两管的负极相连）、共阳（两管的正极相连）和串联（一只二极管的正极接另一只二极管的负极）三种管脚引出方式。采用表面封装的肖特基二极管有单管型、双管型和三管型等多种封装形式，有A~19种管脚引出方式。3、常用的肖特基二极管常用的有引线式肖特基二极管，1N5817、1N5819、MBR1045、MBR20200等型号。也就是常说的插件封装。 湖北代理艾赛斯IXYS二极管模块工厂直销产品扩充到大功率的盘状可控硅二极管,压接式IGBT,固态继电器,电源管理IC,RFMOSFET及其驱动。

    Schottky）二极管的大特点是正向压降VF比较小。在同样电流的情况下，它的正向压降要小许多。另外它的恢复时间短。它也有一些缺点：耐压比较低，漏电流稍大些。选用时要全考虑。肖特基二极管的作用及其接法肖特基二极管的作用及其接法,肖特基二极管肖特基（Schottky）二极管，又称肖特基势垒二极管（简称SBD），它属一种低功耗、超高速半导体器件。1、肖特基二极管的作用及其接法-整流利用肖特基二极管单向导电性，可以把方向交替变化的交流电变换成单一方向的脉冲直流电。在电路中，电流只能从肖特基二极管的正极流入，负极流出。P区的载流子是空穴,N区的载流子是电子，在P区和N区间形成一定的位垒。外加电压使P区相对N区为正的电压时，位垒降低，位垒两侧附近产生储存载流子，能通过大电流，具有低的电压降（典型值为）,称为正向导通状态。若加相反的电压,使位垒增加，可承受高的反向电压，流过很小的反向电流（称反向漏电流），称为反向阻断状态。肖特基二极管主要用于各种低频半波整流电路，全波整流。整流桥就是将整流管封在一个壳内了。分全桥和半桥。全桥是将连接好的桥式整流电路的四个肖特基二极管封在一起。半桥是将四个肖特基二极管桥式整流的一半封在一起。

    二极管的反向饱和电流受温度影响很大。[4]一般硅管的反向电流比锗管小得多，小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级，小功率锗管在μA数量级。温度升高时，半导体受热激发，少数载流子数目增加，反向饱和电流也随之增加。[4]二极管击穿特性外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被长久破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。[5]反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，破坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，不容易产生齐纳击穿。[5]另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时，外加电场使电子漂移速度加快，从而与共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子。 二极管的作用有整流电路，检波电路，稳压电路，各种调制电路。

    [4]二极管大整流电流大整流电流是指二极管长期连续工作时，允许通过的大正向平均电流值，其值与PN结面积及外部散热条件等有关。因为电流通过管子时会使管芯发热，温度上升，温度超过容许限度（硅管为141℃左右，锗管为90℃左右）时，就会使管芯过热而损坏。所以在规定散热条件下，二极管使用中不要超过二极管大整流电流值。[4]二极管高反向工作电压加在二极管两端的反向电压高到一定值时，会将管子击穿，失去单向导电能力。为了保证使用安全，规定了高反向工作电压值。[4]二极管检测方法编辑二极管小功率晶体二极管1.判别正、负电极（1）观察外壳上的符号标记。通常在二极管的外壳上标有二极管的符号，带有三角形箭头的一端为正极，另一端是负极。[7]（2）观察外壳上的色点。在点接触二极管的外壳上，通常标有极性色点(白色或红色)。一般标有色点的一端即为正极。还有的二极管上标有色环，带色环的一端则为负极。[7]（3）以阻值较小的一次测量为准，黑表笔所接的一端为正极，红表笔所接的一端则为负极。(d)观察二极管外壳，带有银色带一端为负极。[7]2.检测高反向击穿电压。对于交流电来说，因为不断变化，因此高反向工作电压也就是二极管承受的交流峰值电压。 面接触型或称面积型二极管的PN结是用合金法或扩散法做成的。西藏代理艾赛斯IXYS二极管模块哪家好

在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管会导通，这连接方式，称为正向偏置。福建进口艾赛斯IXYS二极管模块销售

    二极管的两根引脚分别称为阳极和阴极，由P型半导体一侧引出的电极称为阳极，由N型半导体一侧引出的电极称为阴极。在二极管符号中，三角形底边一端为阳极，另一端为阴极。符号形象地表示了二极管电流流动的方向，即电流只能从阳极流向阴极，而不允许反方向流动。二极管是将PN结封装起来，并分别引出电极制成的。所谓PN结是将半导体材料(硅或锗)利用特殊工艺制成P型半导体和N型半导体，并将这两块半导体用专门技术结合起来，在它们的交界面上就会形成一个称为PN结的特殊结构。这个PN结对来自两个方向的电流呈现不同的性质，在外加电压足够大时(一般约0．3～0．6V)，电流只能从阳极(P型半导体一侧)流向阴极(N型半导体一侧)，反方向是不能导通的。二极管的电流、电压关系是指管内流过的电流与其两端所加电压之间的关系。对二极管施加正向电压和反向电压两种情况时，对应有二极管的导通状态和截止状态。1．正向偏置与导通状态二极管阳极接高电位，阴极接低电位，连接电路如图(a)所示，这种连接称为二极管的正向偏置。此时调节串联在电路中的电阻大小可以发现，当二极管VD两端正向电压较低时(小于0．5V)，电路中几乎没有电流，灯泡也不发光；当二极管两端正向电压大于0．5V后。 福建进口艾赛斯IXYS二极管模块销售