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英飞凌infineon整流桥模块基本参数
  • 品牌
  • 英飞凌
  • 型号
  • 整流桥模块
英飞凌infineon整流桥模块企业商机

铝基导热底板:其功能为陶瓷覆铝板(DBC基板)提供联结支撑和导热通道,并作为整个模块的结构基础。因此,它必须具有高导热性和易焊性。由于它要与DBC基板进行高温焊接,又因它们之间热线性膨胀系数铝为16.7×10-6/℃,DBC约不5.6×10-6/℃)相差较大,为此,除需采用掺磷、镁的铜银合金外,并在焊接前对铜底板要进行一定弧度的预弯,这种存在s一定弧度的焊成品,能在模块装置到散热器上时,使它们之间有充分的接触,从而降低模块的接触热阻,保证模块的出力。2、DBC基板:它是在高温下将氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)基片与铜箔直接双面键合而成,它具有优良的导热性、绝缘性和易焊性,并有与硅材料较接近的热线性膨胀系数(硅为4.2×10-6/℃,DBC为5.6×10-6/℃),因而可以与硅芯片直接焊接,从而简化模块焊接工艺和降低热阻。同时,DBC基板可按功率电路单元要求刻蚀出各式各样的图形,以用作主电路端子和控制端子的焊接支架,并将铜底板和电力半导体芯片相互电气绝缘,使模块具有有效值为2.5kV以上的绝缘耐压。流桥的构造如,可以将输入的含有负电压的波形转换成正电压。黑龙江进口英飞凌infineon整流桥模块销售

1、铝基导热底板:其功能为陶瓷覆铝板(DBC基板)提供联结支撑和导热通道,并作为整个模块的结构基础。因此,它必须具有高导热性和易焊性。由于它要与DBC基板进行高温焊接,又因它们之间热线性膨胀系数铝为16.7×10-6/℃,DBC约不5.6×10-6/℃)相差较大,为此,除需采用掺磷、镁的铜银合金外,并在焊接前对铜底板要进行一定弧度的预弯,这种存在s一定弧度的焊成品,能在模块装置到散热器上时,使它们之间有充分的接触,从而降低模块的接触热阻,保证模块的出力。2、DBC基板:它是在高温下将氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)基片与铜箔直接双面键合而成,它具有优良的导热性、绝缘性和易焊性,并有与硅材料较接近的热线性膨胀系数(硅为4.2×10-6/℃,DBC为5.6×10-6/℃),因而可以与硅芯片直接焊接,从而简化模块焊接工艺和降低热阻。同时,DBC基板可按功率电路单元要求刻蚀出各式各样的图形,以用作主电路端子和控制端子的焊接支架,并将铜底板和电力半导体芯片相互电气绝缘,使模块具有有效值为2.5kV以上的绝缘耐压。黑龙江进口英飞凌infineon整流桥模块销售整流桥就是将整流管封在一个壳内了。

所述变压器的第二线圈一端经由所述二极管d及所述第五电容c5连接所述第二线圈的另一端。如图6所示,所述二极管d的正极连接所述变压器的第二线圈,负极连接所述第五电容c5。如图6所示,所述负载连接于所述第五电容c5的两端。具体地,在本实施例中,所述负载为led灯串,所述led灯串的正极连接所述二极管d的负极,负极连接所述第五电容c5与所述变压器的连接节点。如图6所示,所述第三采样电阻rcs3的一端连接所述合封整流桥的封装结构1的采样管脚cs,另一端接地。本实施例的电源模组为隔离场合的小功率led驱动电源应用,适用于两绕组flyback(3w~25w)。实施例四本实施例提供一种合封整流桥的封装结构,与实施例一~三的不同之处在于,所述合封整流桥的封装结构1还包括电源地管脚bgnd,所述整流桥的第二输出端不连接所述信号地管脚gnd,而连接所述电源地管脚bgnd,相应地,所述整流桥的设置方式也做适应性修改,在此不一一赘述。如图7所示,本实施例还提供一种电源模组,所述电源模组与实施例二的不同之处在于,所述电源模组中的合封整流桥的封装结构1采用本实施例的合封整流桥的封装结构1,还包括第六电容c6及第二电感l2。

    包括但不限于高压供电基岛13或漏极基岛15)或不同基岛(包括但不限于高压供电基岛13及漏极基岛15),在此不一一赘述。作为本实施例的一种实现方式,如图5所示,所述整流桥设置于火线基岛16及零线基岛17上。具体地,所述整流桥采用两个n型二极管及两个p型二极管实现,其中,第五整流二极管dz5及第六整流二极管dz6为n型二极管,所述第七整流二极管dz7及第八整流二极管dz8为p型二极管。所述第五整流二极管dz5的负极通过导电胶或锡膏粘接于所述火线基岛16上,正极通过金属引线连接所述信号地管脚gnd。所述第六整流二极管dz6的负极通过导电胶或锡膏粘接于所述零线基岛17上,正极通过金属引线连接所述信号地管脚gnd。所述第七整流二极管dz7的正极通过导电胶或锡膏粘接于所述火线基岛16上,负极通过金属引线连接所述高压供电管脚hv。所述第八整流二极管dz8的正极通过导电胶或锡膏粘接于所述零线基岛17上,负极通过金属引线连接所述高压供电管脚hv。作为本实施例的一种实现方式,如图5所示,所述控制芯片12包括功率开关管及逻辑电路。所述功率开关管的漏极作为所述控制芯片12的漏极端口d,源极连接所述逻辑电路的采样端口,栅极连接所述逻辑电路的控制信号输出端(输出逻辑控制信号)。 在直流输出引脚铜板间有两块连接铜板,他们分别与输入引**流输入导线)相连。

所述负载连接于所述第三电容的两端;所述第二采样电阻的一端连接所述合封整流桥的封装结构的采样管脚,另一端接地。为实现上述目的及其他相关目的,本实用新型还提供一种电源模组,所述电源模组至少包括:上述合封整流桥的封装结构,第四电容,变压器,二极管,第五电容,负载及第三采样电阻;所述合封整流桥的封装结构的火线管脚连接火线,零线管脚连接零线,信号地管脚接地;所述第四电容的一端连接所述合封整流桥的封装结构的高压供电管脚,另一端接地;所述变压器的圈一端连接所述合封整流桥的封装结构的高压供电管脚,另一端连接所述合封整流桥的封装结构的漏极管脚;所述变压器的第二线圈一端经由所述二极管及所述第五电容连接所述第二线圈的另一端;所述二极管的正极连接所述变压器的第二线圈,负极连接所述第五电容;所述负载连接于所述第五电容的两端;所述第三采样电阻的一端连接所述合封整流桥的封装结构的采样管脚,另一端接地。更可选地,所述合封整流桥的封装结构还包括电源地管脚,所述整流桥的第二输出端通过基岛或引线连接所述电源地管脚;所述电源地管脚与所述信号地管脚通过第二电感连接,所述电源地管脚与所述高压供电管脚通过第六电容连接。整流桥堆一般用在全波整流电路中,它又分为全桥与半桥。黑龙江进口英飞凌infineon整流桥模块销售

对于单相桥式全波整流器,在整流桥的每个工作周期内,同一时间只有两个二极管进行工作。黑龙江进口英飞凌infineon整流桥模块销售

    所述逻辑电路的采样端口作为所述控制芯片12的采样端口cs,高压端口作为所述控制芯片12的高压端口hv,接地端口作为所述控制芯片12的接地端口gnd。所述控制芯片12设置于所述采样基岛18上,接地端口gnd连接所述信号地管脚gnd,漏极端口d经由所述漏极基岛15连接所述漏极管脚drain,采样端口cs经由所述采样基岛18连接所述采样管脚cs,高压端口hv连接所述高压供电管脚hv。本实施例的合封整流桥的封装结构采用四基岛架构,将整流桥、功率开关管、逻辑电路、高压续流二极管及瞬态二极管集成在一个引线框架内,由此降低封装成本。如图6所示,本实施例还提供一种电源模组,所述电源模组包括:本实施例的合封整流桥的封装结构1,第四电容c4,变压器,二极管d,第五电容c5,负载及第三采样电阻rcs3。如图6所示,所述合封整流桥的封装结构1的火线管脚l连接火线,零线管脚n连接零线,信号地管脚gnd接地。如图6所示,所述第四电容c4的一端连接所述合封整流桥的封装结构1的高压供电管脚hv,另一端接地。如图6所示,所述变压器的圈一端连接所述合封整流桥的封装结构1的高压供电管脚hv,另一端连接所述合封整流桥的封装结构1的漏极管脚drain。 黑龙江进口英飞凌infineon整流桥模块销售

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