苏州乳腺平板探测器应用范围

    数字化X线探测器有多重分类。按照传感器阵列形状的不同，可分为平板探测器和线阵探测器。按照光子信号的转换方式的不同，可分为积分式探测器和单光子计数式探测器。此外，光学传感面板一般都由光电转化层和TFT阵列开关等寻址电路组成，按照这两部分的组成材料，可分为：非晶硅探测器、CMOS/单晶硅探测器、IGZO探测器、非晶硒探测器和CdTe/CZT（碲化镉/碲锌镉）探测器等。非晶硅、IGZO、CMOS和柔性基板四大传感器技术均有其特定的终端应用场景。但非晶硅是目前**主流的X线探测器传感器技术，具有大面积、工艺成熟稳定、普通放射的能谱范围响应好、材料稳定可靠、环境适应性好等特点，可同时满足静态和动态探测器的需求。全球主流医学影像**设备厂商如GE医疗、飞利浦、西门子等的主要产品均采用此技术。 密度分辨率高、获取更多影像细节是数字化X线影像(DR)优于普通放射影像**重要的特点。苏州乳腺平板探测器应用范围

    从X射线的本质和特性看，它是一种不可见光，具有光的一切特性。光是一种电磁波，且有波、粒两象性。这是光的本质，也是X射线的本质。在电磁波谱中，X射线是介于紫外线和γ射线之间的电磁波，同时具有波动性和微粒性。前者的特征是具有波长和频率；后者的特征是具有能量、动量和质量。二象性是统一的。同时，它还具有与其他电磁波不同的特殊性质，如物理效应、化学效应和生物效应等。所谓生物效应，就是结构分析X射线管发射的X射线对生物组织细胞具有破坏和瓦解的作用。凡生长力强和分解活动快的组织细胞，对X射线特别敏感，容易被破坏；X射线停照后，恢复也慢。而软组织对X射线敏感性较差，破坏性也相对小一些。 南京静态平板探测器厂家现货便携DR检测系统一般由射线机、数字探测器阵列、计算机、软件、电缆、电源线、网线等组成。

    间接转换平板探测器由碘化铯等闪烁晶体涂层与薄膜晶体管(ThinFilmTransistor,TFT)或电荷耦合器件(ChargeCoupledDevice,CCD)或互补型金属氧化物半导体(ComplementaryMetalOxideSemiconductor,CMOS)构成。间接转换平板探测器的工作过程一般分为两步，首先闪烁晶体涂层将X线的能量转换成可见光；其次TFT或者CCD,或CMOS将可见光转换成电信号。由于在这过程中可见光会发生散射，对空间分辨率产生一定的影响。虽然新工艺中将闪烁体加工成柱状以提高对X线的利用及降低散射，但散射光对空间分辨率的影响不能完全消除。

    非晶硅平板探测器为间接数字化X线成像，其基本结构为表面是一层闪烁体材料(碘化铯或硫氧化钆)，再下一层是以非晶体硅为材料的光电二极管电路，底层为电荷读出电路。位于探测器表面的闪烁体将透过人体后衰减的X线转换为可见光，闪烁体下的非晶硅光电二极管阵列又将可见光转换为电信号，在光电二极管自身的电容上形成存储电荷，每个像素的存储电荷量与入射X线强度成正比，在控制电路的作用下，扫描读出各个像素的存储电荷，经A/D转换后输出数字信号，传送给计算机进行图像处理从而形成X线数字影像。像素尺寸太小，会增加图像噪声；像素尺寸太大，会降低图像分辨率。

    CMOS，即互补金属氧化物半导体，是组成芯片的基本单元。CMOS技术听着很高级，其实离我们很近，几乎所有手机的摄像头都是基于CMOS图像传感器芯片，与CMOS平板异曲同工。与非晶硅/IGZO探测器的玻璃衬底不同，CMOS探测器的衬底是单晶硅，其电子迁移率是1400cm^2/VS，这是制作晶圆的重要材料。所谓CMOS平板探测器，是指在一块晶圆上集成光电二极管、寻址电路，以及更重要的放大器(这是与非晶硅/IGZO探测器的比较大区别)，将信号放大后再传输到外面。因此，具有明显优于非晶硅探测器的低剂量DQE和更高的采集速度。 无线平板探测器，内置5G模块，超高清晰度的图像从形成到传输到电脑只需3-5秒，速度更快，运行更加稳定。上海宠物平板探测器技术参数

AED是自动感应曝光技术，该技术可以让平板探测器自动探测X射线，自动进入曝光窗口，把图像输出至计算机。苏州乳腺平板探测器应用范围

    平板探测器对kV、mAs（或mA、s）的响应特性是不同的。平板探测器对kV的响应特性呈阶段性：当kV小于100kV时，呈准线性响应，影像的原始灰度值随着kV的增加近乎呈线性增加；当kV大于100kV时，其响应性明显变弱，影像的灰度值随着kV的增加而增加的幅度明显下降。平板探测器对mAs（或mA、s）的响应几近线性。这一特性指导我们对较厚肢体照射时，在满足被照肢体穿透力（kV大于100kV后）的情况下，比较好不要*靠调节kV来增加曝光量，反之只会增加受检者和放射技师的辐射剂量，而不能获取比较好信息，所以此时应适当增加mAs（或加大mA或延长曝光时间或二者都相应加大），增加曝光量以增加图像灰度值；而对较薄肢体部位照射时，其穿透kV远远小于100kV，此时应适当提高kV，降低mAs（或减小mA或缩短曝光时间或二者都相应减少），这样选取曝光条件既能获取质量X线诊断信息，又降低了受检者和放射技师的辐射剂量。 苏州乳腺平板探测器应用范围

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