杭州宠物平板探测器技术指导

    平板探测器对kV、mAs（或mA、s）的响应特性是不同的。平板探测器对kV的响应特性呈阶段性：当kV小于100kV时，呈准线性响应，影像的原始灰度值随着kV的增加近乎呈线性增加；当kV大于100kV时，其响应性明显变弱，影像的灰度值随着kV的增加而增加的幅度明显下降。平板探测器对mAs（或mA、s）的响应几近线性。这一特性指导我们对较厚肢体照射时，在满足被照肢体穿透力（kV大于100kV后）的情况下，比较好不要*靠调节kV来增加曝光量，反之只会增加受检者和放射技师的辐射剂量，而不能获取比较好信息，所以此时应适当增加mAs（或加大mA或延长曝光时间或二者都相应加大），增加曝光量以增加图像灰度值；而对较薄肢体部位照射时，其穿透kV远远小于100kV，此时应适当提高kV，降低mAs（或减小mA或缩短曝光时间或二者都相应减少），这样选取曝光条件既能获取质量X线诊断信息，又降低了受检者和放射技师的辐射剂量。 线阵与平板相似，不过只有一行像素，因此要形成二维图像，需要使用如传送装置增加时间维度。杭州宠物平板探测器技术指导

    非晶硒(a-Se)为直接式平板探测器结构，主要由集电矩阵、硒层、电介层、顶层电极和保护层等构成。集电矩阵由按阵元方式排列的薄膜晶体管(TFT)组成。非晶硒半导体材料在薄膜晶体管阵列上方通过真空蒸镀生成约、38mm×45mm见方的薄膜，它对X线很敏感，并有很高的图像解析能力。顶层电极接高压电源，当有X线入射时，由于高压电源在非晶硒表面形成的电场，它们只能沿电场方向垂直穿过绝缘层、X射线半导体、电子封闭层，到达非晶硒，不会出现横向偏离从而出现光的散射。非晶硒阵列直接将X射线转变成电信号，记忆在存储电容器里，脉冲控制门电路使薄膜晶体管导通，把记忆在存储电容器里的电荷送达电荷放大器输出，完成光电信号的转换，再经数字转换器转换，形成数字图像输入计算机，并由计算机将该影像还原在监视器上由医生观察监视器直接诊断。合肥工业平板探测器厂家现货拍摄数字化X线影像(DR)要比普通影像辐射量减少30％--70％。

    影像质量是由清晰度、对比度这两个关键要素体现出来的。清晰度主要由X射线球管焦点尺寸和数字平板探测器的空间分辨率决定，空间分辨率是由像素尺寸决定的，相同面积内像素尺寸越小，像素数量就越多，对图像细节的分辨能力就越大。图像的对比度层次主要由数字平板探测器（FPD）和图像处理算法决定。对比度分辨率是由AD转化的位数决定的，位数越大，图像灰阶度越高，对比度层次分辨能力越强，可以观察的宠物内部的各个组织***的黑白亮度差异越明显。

    高压发生器的主要作用是供给X射线管阴、阳两极直流高压和灯丝加热电压。其主要由电源电路、高压电路、灯丝电路、控制电路、应用设备电路及封装以上电路的箱体等组成。电源电路主要起到将电源与高压发生器其他电路隔离、给其他电路供电的作用。高压电路主要将交流低电压（220V/380V）升压至直流高电压（150kV），从而给X射线管供电。灯丝电路主要将低电压（220V/380V）降压至电压（12V），从而给灯丝供电，加热灯丝产生自由电子。控制电路主要用于控制高压发生器的输出电压、输出灯丝电流和加载时间，同时与其他X射线设备影像链部件通讯，保证曝光的准确性。应用设备电路：高压发生器除了给X射线管供电，同时留有给其他设备供电的电路，如平板探测器、限束器等。 动态平板探测器主流应用场景为术中******成像、动态影像诊断及医疗辅助定位。

    非晶硅平板探测器为间接数字化X线成像，其基本结构为表面是一层闪烁体材料(碘化铯或硫氧化钆)，再下一层是以非晶体硅为材料的光电二极管电路，底层为电荷读出电路。位于探测器表面的闪烁体将透过人体后衰减的X线转换为可见光，闪烁体下的非晶硅光电二极管阵列又将可见光转换为电信号，在光电二极管自身的电容上形成存储电荷，每个像素的存储电荷量与入射X线强度成正比，在控制电路的作用下，扫描读出各个像素的存储电荷，经A/D转换后输出数字信号，传送给计算机进行图像处理从而形成X线数字影像。搭载AED后，可以搭配任意高压发生器，更加方便地实现平板的分享功能。南京工业平板探测器厂家电话

数字化X线影像(DR)的平板探测器的灵敏度远高于普通X线片，所以它只需要比较小的能量就可获得满意的图像。杭州宠物平板探测器技术指导

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