平板探测器(简称FPD)是一种半导体检测器,是数字化摄影的主要部件。目前平板探测器可分间接式的CsI(a-Si)(碘化铯,非晶硅)平板探测器和直接式的a—Se(非晶硒)平板探测器,其作用是将X线的光量子信号转换成数字信号。机房环境对平板探测器的影响很大,适当的温湿度是维持探测器正常运行的必要条件。首先要保持设备环境温度的恒定,不要将探测器置于30℃以上的环境中;其次要经常观察探测器内部温度的变化,确保其稳定性,通常床上探测器为(40±3)℃,壁装支架探测器为(38±3)℃。平板探测器如果置于温度过高的环境,可致信息读出错误,并可能损坏探测器。环境湿度高会降低元器件的绝缘性能;灰尘多会影响成像效果,并可能遮盖探测器冷却设备的入口,导致探测器散热不良。平板探测器是精密电子设备,在使用过程中会出现探测器矩阵的某一行或某一列的像素失效,在图像上表现为点状或细线状伪影,其原因是在电场作用下导体中的电子发生定向运动出现了空洞,丧失了原有的成像功能。平板探测器的定时校准可以将失效的像素屏蔽。 Short-term memory effect 60s:一次曝光60S后探测器短期记忆效应。无线平板探测器技术指导
铸件的缺陷中有一些暴露在表面,比较容易甄别出来。麻烦的是内部缺陷,它可能存在也可能没有,可能很微小不足为惧也可能严重到会随时报废引起更大的连锁反应。我们现在使用的很多产品都比以前的小巧美观,这一切多多少少会归功于X射线无损检测技术的保驾护航。X射线检测的原理是利用X射线穿透能力强并且稳定可控,射线穿透检材后被平板探测器收集,根据射线的衰减差异经过软件处理生成检测图像。因为检材中的缺陷和检材自身的密度是不同的,通过缺陷的射线和别处的射线衰减情况一定会不同,在成像上缺陷也会特别的明显。 上海医疗平板探测器技术指导AED是自动感应曝光技术,可以让平板探测器自动探测X射线,自动进入曝光窗口,把图像输出至计算机。
通常来说,屏幕上人们肉眼所见的一个点,即一个像素,它是由红、绿、蓝(RGB)三原色组成的。每一个基色,其背后的光源都可以显现出不同的亮度级别。而灰阶**了由**暗到**亮之间不同亮度的层次级别。把三基色每一个颜色从纯色(如纯红)不断变暗到黑的过程中的变化级别划分成为色彩的灰阶,并用数字表示,就是**常见的色彩存储原理。这中间层级越多,所能够呈现的画面效果也就越细腻。例如8bit我们就称之为256灰阶。在数字信息存贮中,计算设备用2进制数来表示,每个0或1就是一个位(bit)。假设1**黑、0**白,在黑白双色系统中**少有2bit。单基色为nbit,画面位数就为2ⁿbit,位数越大,灰度越多。
较高的管电压可以发出较高能量的X射线光子,能够穿透较厚的样品。所以管电压越高,X射线的穿透能力越强。X射线线源的焦点尺寸越小,图像的分辨率越高,图片也越清晰。管电流越大,单位时间内照射到样品上的X射线光子就越多(可以类比为电灯越亮);成像的信噪比越好,所需的曝光时间也越短。综上所述,样品厚可以考虑调高管电压;样品的结构精细可以选择较小的焦点尺寸;希望缩短成像时间,则可以尝试增加管电流。实验中需要不断变化参数进行尝试,取得较好质量的图像。 平板探测器为面阵结构,主要用于医疗、工业无损检测和安检等领域。
CMOS,即互补金属氧化物半导体,是组成芯片的基本单元。CMOS离我们很近,几乎所有手机的摄像头都是基于CMOS图像传感器芯片,与CMOS平板异曲同工。与非晶硅/IGZO探测器的玻璃衬底不同,CMOS探测器的衬底是单晶硅,其电子迁移率是1400cm^2/VS,这是制作晶圆的重要材料。所谓CMOS平板探测器,是指在一块晶圆上集成光电二极管、寻址电路,以及更重要的放大器(这是与非晶硅/IGZO探测器的比较大区别),将信号放大后再传输到外面。因此,具有明显优于非晶硅探测器的低剂量DQE和更高的采集速度。 局部放电:在电场作用下,导体间绝缘部分区域被击穿(没有贯穿施加电压的导体之间)的电气放电现象。北京平板探测器
X射线自动检测是利用X射线成像技术代替人眼,对产品进行自动检测。无线平板探测器技术指导
闪烁体除了材料区别,还有工艺区分,主要分为直接生长型和贴膜型。1.直接生长型主要为闪烁体晶体通过专业设备蒸镀在非晶硅TFT上,大致形式为将非晶硅TFT倒置在专业蒸镀设备上,可以精确到微米级的晶体生长。约10小时后,晶体直接生长在TFT上,再通过惰性化学物质将晶体长期封装在TFT上。该工艺十分复杂,设备高昂,但直接生长的碘化铯工艺和材料可以确保在低剂量下图像效果为比较好效果。2.除了直接蒸镀就为贴膜工艺,将晶体放到膜上然后通过贴合到TFT表面,该种工艺多了一层中间的转换层降低了转换效率,另外贴合分为全自动覆膜机贴合和人工贴合。该工艺对胶水要求高,要求比例均匀和贴合工艺正确,不然会出现脱落和不均匀影响图像效果。 无线平板探测器技术指导
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