青岛静态平板探测器技术参数

CMOS，即互补金属氧化物半导体，是组成芯片的基本单元。CMOS离我们很近，几乎所有手机的摄像头都是基于CMOS图像传感器芯片，与CMOS平板异曲同工。与非晶硅/IGZO探测器的玻璃衬底不同，CMOS探测器的衬底是单晶硅，其电子迁移率是1400cm^2/VS，这是制作晶圆的重要材料。所谓CMOS平板探测器，是指在一块晶圆上集成光电二极管、寻址电路，以及更重要的放大器(这是与非晶硅/IGZO探测器的比较大区别)，将信号放大后再传输到外面。因此，具有明显优于非晶硅探测器的低剂量DQE和更高的采集速度。 不开射线情况下，对平板探测器进行数据采集，仍有信号输出，此时采集到的图像称为暗场图像。青岛静态平板探测器技术参数

动态范围是指探测器能够线性地探测出X射线入射剂量的变化，是比较低剂量与比较高剂量之比。动态范围大，密度分辨率高，是DR系统优于传统放射影像系统重要的特点，它可以得到更多的影像细节，检出能力高于传统影像。要正确表达探测器的动态范围，必须具有足够位数的深度。以往12位影像只能记录4096等级灰度，不能满足DR影像信号的完整记录。所以目前大多数DR系统采用16位，灰度可达到65536，可以反映很小密度的层次变化。灰阶差异越明显，对比度越大，分辨得就越清楚。 青岛安防平板探测器技术参数局部放电：在电场作用下，导体间绝缘部分区域被击穿（没有贯穿施加电压的导体之间）的电气放电现象。

直接式平板探测器主要由集电矩阵、硒层、电介层、顶层电极和保护层等构成。集电矩阵由按阵元方式排列的薄膜晶体管(TFT)组成。非晶硒半导体材料在薄膜晶体管阵列上方通过真空蒸镀生成约、38mm×45mm见方的薄膜，它对X线很敏感，并有很高的图像解析能力。顶层电极接高压电源，当有X线入射时，由于高压电源在非晶硒表面形成的电场，它们只能沿电场方向垂直穿过绝缘层、X射线半导体、电子封闭层，到达非晶硒，不会出现横向偏离从而出现光的散射。

使用Xray清点物料的优点：
1、准确性。X射线计数器可以比其他的元件计数方法更准确，因为它们可以“看到“元件内部，并检测到任何使用其他方法可能看不到的隐藏元件。
2、速度：X射线计数器可以比人更快地计数部件，这可以节省时间并提高制造过程的效率。
3、非破坏性。X射线计数器不会损坏被计数的部件，因此它们可用于计数对处理敏感的部件或需要保存以便进一步测试的部件。
4、多功能性。X射线计数器可用于计数各种部件，包括由不同材料制成的部件以及具有不同形状和尺寸的部件。
5、易于使用。X射线计数器通常易于使用，不需要专门培训。它们可以由一个人操作，这可以减少制造过程中计算部件所需的人员数量。 当X射线穿过物质时，它会把物质中的电子撞出来，从而产生一种叫做暗场的效应。

关于分辨率，有一下几种，他们意义不同，请不要混淆。A、分辨率：两个相邻细节间**小距离的分辨能力。B、系统分辨率：在无被检工件的情况下，当透照几何放大倍数接近于1时，检测系统所能分辨的单位长度上两个相邻细节间**小距离的能力。反映了检测系统本身的特性，也称为系统基本空间分辨率。C、图像分辨率：检测系统所能分辨的被检工件图像中单位长度上两个相邻细节间**小距离的能力，也被称为空间分辨率。D、极限分辨率：在无物理（几何）放大的条件下，检测系统的最大分辨率。像素尺寸太小，会增加图像噪声；像素尺寸太大，会降低图像分辨率。所以在选择探测器像素尺寸时要根据具体的检测需求选择，不能过分追求小像素尺寸的探测器。 常见方法是使用X射线成像来创建一个设备内部元件的详细图像，然后使用计算机软件来分析该并计算数量。宁波平板探测器技术指导

Binning劣势：降低输出图像解析力，只能输出单色图像。青岛静态平板探测器技术参数

平板探测器（简称FPD）是一种半导体检测器，是数字化摄影的主要部件。目前平板探测器可分间接式的CsI（a-Si）（碘化铯，非晶硅）平板探测器和直接式的a—Se（非晶硒）平板探测器，其作用是将X线的光量子信号转换成数字信号。机房环境对平板探测器的影响很大，适当的温湿度是维持探测器正常运行的必要条件。首先要保持设备环境温度的恒定，不要将探测器置于30℃以上的环境中；其次要经常观察探测器内部温度的变化，确保其稳定性，通常床上探测器为（40±3）℃，壁装支架探测器为（38±3）℃。平板探测器如果置于温度过高的环境，可致信息读出错误，并可能损坏探测器。环境湿度高会降低元器件的绝缘性能；灰尘多会影响成像效果，并可能遮盖探测器冷却设备的入口，导致探测器散热不良。平板探测器是精密电子设备，在使用过程中会出现探测器矩阵的某一行或某一列的像素失效，在图像上表现为点状或细线状伪影，其原因是在电场作用下导体中的电子发生定向运动出现了空洞，丧失了原有的成像功能。平板探测器的定时校准可以将失效的像素屏蔽。 青岛静态平板探测器技术参数

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