苏州动态平板探测器

灵敏度：探测器输出可检测信号时所需要的至少输入信号强度。非晶硅探测器的灵敏度由四个方面的因素决定：X射线吸收率，X射线-可见光转换系数，填充系数和光电二极管可见光-电子转换系数。通常用X射线灵敏度S表示。如可标注某探测器X射线灵敏度S为：S～1000e-/nGy/pelDN-5Beam。表示该探测器在标准DN-5X射线下每nGy在单个像素上产生的电荷数为1000个。由于X射线灵敏度S与线质有关通常同时给出线质标准如：DN-5Beam。探测器灵敏度精度越高越好，好的探测器灵敏度能达到1个光子。 平板探测器按接受材料分有三种：非晶硅（a-Si）、非晶硒（a-Se）、CMOS。苏州动态平板探测器

量子探测效率(DQE)是一种对成像系统信号和噪声从输入到输出的传输能力的表达，以百分比表示。DQE反映的是平板探测器的灵敏度、噪声、X线剂量和密度分辨率。在非晶硅平板探测器中，影响DQE的因素主要有两个方面：闪烁体涂层和将可见光转换成电信号的晶体管。 闪烁体涂层的材料和工艺影响了X线转换成可见光的能力，所以对DQE会产生影响。闪烁体涂层材料有两种：碘化铯和硫氧化钆。碘化铯将X线转换成可见光的能力比硫氧化钆强但成本比较高；将碘化铯加工成柱状结构，可以进一步提高捕获X线的能力，减少散射光。使用硫氧化钆做涂层的探测器成像速率快，性能稳定，成本较低，但是转换效率不如碘化铯涂层高。 青岛DR成像平板探测器DR平板探测器可分为两种：非晶硒平板探测器和非晶硅平板探测器。

将闪烁体产生的可见光转换成电信号的方式也会对DQE产生影响。在碘化铯(或者硫氧化钆)薄膜晶体管这种结构的平板探测器中，因为TFT的阵列可以做成与闪烁体涂层的面积一样大，所以可见光不需要经过透镜折射就可以投射到TFT上，没有光子损失，所以DQE也比较高。在非晶硒平板探测器中，X线转换成电信号完全依赖于非晶硒层产生的电子空穴对，DQE的高低取决于非晶硒层产生电荷能力。总的说来，CsI TFT这种结构的间接转换平板探测器的极限DQE高于a-Se直接转换平板探测器的极限DQE。

CMOS，即互补金属氧化物半导体，是组成芯片的基本单元。CMOS离我们很近，几乎所有手机的摄像头都是基于CMOS图像传感器芯片，与CMOS平板异曲同工。与非晶硅/IGZO探测器的玻璃衬底不同，CMOS探测器的衬底是单晶硅，其电子迁移率是1400cm^2/VS，这是制作晶圆的重要材料。所谓CMOS平板探测器，是指在一块晶圆上集成光电二极管、寻址电路，以及更重要的放大器(这是与非晶硅/IGZO探测器的比较大区别)，将信号放大后再传输到外面。因此，具有明显优于非晶硅探测器的低剂量DQE和更高的采集速度。 便携DR检测系统由射线机、数字探测器阵列、计算机、软件等组成。

常用无损探伤方法：1、超声波探伤：利用超声能透入金属材料的深处，并由一截面进入另一截面时，在界面边缘发生反射的特点来检查零件缺陷的一种方法，当超声波束自零件表面由探头通至金属内部，遇到缺陷与零件底面时就分别发生反射波来，在荧光屏上形成脉冲波形，根据这些脉冲波形来判断缺陷位置和大小。2、射线探伤(X射线、γ射线)：利用射线穿透物体来发现物体内部缺陷的探伤方法。3、磁粉探伤：是用来检测铁磁性材料表面和近表面缺陷的一种检测方法。当工件磁化时，若工件表面有缺陷存在，由于缺陷处的磁阻增大而产生漏磁，形成局部磁场，磁粉便在此处显示缺陷的形状和位置，从而判断缺陷的存在。X射线是管道焊缝无损检测技术中的一种，它以检测图像的形式可以直观的反映管道焊缝处的缺陷。宁波手提平板探测器

平板探测器是数字化X线影像系统主要部件之一。苏州动态平板探测器

X射线检测技术可以分为CR和DR技术，CR就是计算机X射线成像系统，使用成像板IP作为图像载体来代替传统的X射线胶片，并使用与传统X射线摄影相同的投影技术来曝光成像X射线检查板，并记录X射线图像信息，对该信息进行读取和处理之后，可以获得数字X射线图像信号；DR则是数字化X射线摄影系统，是指在计算机的控制下直接读取感应介质记录的X射线图像信息，并以数字图像模式复制或记录图像的技术方法。它由检测板，扫描控制器，系统控制器和图像显示器组成，它们通过电缆串联在一起，使用方法更简洁。 苏州动态平板探测器

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