非晶硅、IGZO、CMOS、柔性基板、非晶硒等五种技术适合于不同的应用场景:1)非晶硅探测器,因具有出色的成本优势,短时间内仍会是平板探测器的主流技术平台。2)IGZO探测器,因采集时间短,信噪比高等特点,在动态平板上有很大优势。未来随着技术更趋成熟,IGZO替代非晶硅(至少在动态平板领域),应该是大势所趋。3)CMOS探测器,虽然主要应用在中小尺寸动态成像领域,但因其高分辨率、高帧速率和低剂量性能,在牙科、乳腺、外科及介入等场合,CMOS平板也是主流技术平台。4)柔性基板探测器,具有超窄边框、轻便、抗冲撞、不易破损等特点。不过目前成本较高,随着工艺不断改善,未来在部分特殊应用场景将取代传统的非晶硅探测器。5)非晶硒探测器,因为更高的性能和成本,非晶硒在很长时间内仍会继续统治乳腺机,直到光子计数探测器普及。 数字化X线影像系统因成像质量高、曝光时间短,成为工业无损检测优先。无线平板探测器应用范围
像素是一个面积单位,相当于每个薄膜晶体管单元为139微米×139微米,整块43厘米×43厘米的面积布满了944万像素单元,清晰度非常高。像素太大,则无法看到病灶点的细节,而像素太小,则需要提高每个像素的入射光子数量,则提高了X光的剂量,对被照体产生伤害。139微米的比较好设计即保障了清晰度,同时也充分利用了入射剂量,减少了对被照体的伤害。除了薄膜晶体管阵列对应的单元,芯片设计的是否直接bonding在TFT上也是一个**工艺,一般分为直接bonding在TFT上,该技术为CHIPONGLASS。该技术无中间层,提高了转换率无中间层衰减。其它技术则通过软性电路板中间层连接,提高了损耗。总结来看,直接生长工艺的碘化铯非晶硅TFT平板、具备毫秒级反应的工作流、139微米的像素单元设计和芯片直接bonding在TFT上,为目前平板的**设计和比较好设计。 青岛手提平板探测器相比常规射线检测,数字射线检测(DR)更高效、快捷,有更高的动态范围,存储、调用和传输都很方便。
因为DQE影响了图像的相比较度,空间分辨率影响图像对细节的分辨能力。在摄片中应根据不同的检查部位来选择配置不同类型平板探测器的DR。对于胸部这样的检查,重点在于观察和区别不同组织的密度,所以对密度分辨率的要求比较高,宜使用非晶硅平板探测器的DR,这样DQE比较高,容易获得较高相比较度的图像,更有助于诊断。对于四肢关节、乳腺这些部位的检查,需要对细节有较高的显像,对空间分辨率的要求很高,宜采用非晶硒平板探测器的DR,以获得高空间分辨率的图像。
X射线是一种不可见光,具有光的一切特性。光是一种电磁波,且有波、粒两像性。这是光的本质,也是X射线的本质。在电磁波谱中,X射线是介于紫外线和γ射线之间的电磁波,同时具有波动性和微粒性。前者的特征是具有波长和频率;后者的特征是具有能量、动量和质量。两像性是统一的。同时,它还具有与其他电磁波不同的特殊性质,如物理效应、化学效应和生物效应等。所谓生物效应,就是结构分析X射线管发射的X射线对生物组织细胞具有破坏和瓦解的作用。凡生长力强和分解活动快的组织细胞,对X射线特别敏感,容易被破坏;X射线停照后,恢复也慢。而软组织对X射线敏感性较差,破坏性也相对小一些。 简单的X射线图像,可以使得许多造成次品的原因一目了然。
平板探测器(简称FPD)成像时会受到暗场飘移、响应不一致和坏点等因素影响,因此必须对平板探测器进行一下几种校正。1、暗场校正(OFFSETcorrection),就是在开启射线源进行检测工作时,为了正确反映出透照物体内部结构与图像灰度值之间的对应关系,去除叠加在实际输出响应上的暗场图像值。2、虽然在线性曝光剂量范围内,平板探测器的每个探测单元对X射线响应是线性的,但不同探测单元的X射线响应系数并不完全一致,即响应不一致性。它带来的后果是相同的入射射线强度,但输出不同。因此必须对平板探测器做增益校正(GAINcorrection)。3、平板探测器(FPD)使用过程中,元器件老化、辐射额碰撞损伤都会产生新的坏点,所以定期更新坏点位置图(坏像素校正))是十分重要的。平板探测器在安检领域的应用包括公共场所安检、车辆集装箱检查、可疑包裹排查等。济南医疗平板探测器
DR平板探测器可分为两种:非晶硒平板探测器和非晶硅平板探测器。无线平板探测器应用范围
直接式平板探测器主要由集电矩阵、硒层、电介层、顶层电极和保护层等构成。集电矩阵由按阵元方式排列的薄膜晶体管(TFT)组成。非晶硒半导体材料在薄膜晶体管阵列上方通过真空蒸镀生成约、38mm×45mm见方的薄膜,它对X线很敏感,并有很高的图像解析能力。顶层电极接高压电源,当有X线入射时,由于高压电源在非晶硒表面形成的电场,它们只能沿电场方向垂直穿过绝缘层、X射线半导体、电子封闭层,到达非晶硒,不会出现横向偏离从而出现光的散射。 无线平板探测器应用范围
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