上海工业平板探测器技术参数

噪声是指非输入信号造成的输出信号。主要来源：探测器的电子噪声、射线图像量子噪声。信噪比：探测器获得图像信号平均值与图像信号标准偏差之比，用SNR表示。信噪比越高，图像质量越好。比较不同探测器的信噪比，必须在同样的探测器单元尺寸下进行。计算公式：SNRn=SNRm×88.6/P。SNRn归一化信噪比，SNRm测量信噪比，P探测器像素尺寸（um）。线性度:是探测器产生的信号在比较大剂量射线强度范围内与入射强度成正比的能力。稳定性：是随着工作时间的增加探测器处理信号产生一致性的能力，线性度和稳定性直接影响探测器精度。响应时间：是探测器从接收射线光子到获得稳定的探测器信号所需要的时间，它是影响采样的速率及数据质量的关键。由探测器预备时间，曝光等待时间，曝光窗口，图像读出时间四部分构成。 平板探测器按接受材料分有三种：非晶硅（a-Si）、非晶硒（a-Se）、CMOS。上海工业平板探测器技术参数

在通常的读取方式中，由于像素读取规模的差异，不同的分辨率对应不同的帧率。在通道带宽固定的前提下，想要提高帧率就要考虑是否需要缩小视野（外圈裁切）。若不希望视野缩小，需要减少采样的分辨率。常用的减少分辨率的两种方式是下采样，即Skipping（跳采样）和Binning（合并读出）。通过选取视野中的像素点，抽取指定像素点来降低分辨率。在Skipping模式中，并不会对所有行列的像素点进行采样，这样才能获取非原始分辨率的图像（降低的分辨率图像），而行列数据是成对读取的。 宁波静态平板探测器技术参数非晶硒平板检测器主要由非晶硒层TFT组成。

非晶硅、IGZO、CMOS、柔性基板、非晶硒等五种技术适合于不同的应用场景：1）非晶硅探测器，因具有出色的成本优势，短时间内仍会是平板探测器的主流技术平台。2）IGZO探测器，因采集时间短，信噪比高等特点，在动态平板上有很大优势。未来随着技术更趋成熟，IGZO替代非晶硅(至少在动态平板领域)，应该是大势所趋。3）CMOS探测器，虽然主要应用在中小尺寸动态成像领域，但因其高分辨率、高帧速率和低剂量性能，在牙科、乳腺、外科及介入等场合，CMOS平板也是主流技术平台。4）柔性基板探测器，具有超窄边框、轻便、抗冲撞、不易破损等特点。不过目前成本较高，随着工艺不断改善，未来在部分特殊应用场景将取代传统的非晶硅探测器。5）非晶硒探测器，因为更高的性能和成本，非晶硒在很长时间内仍会继续统治乳腺机，直到光子计数探测器普及。

平板探测器（简称FPD）成像时会受到暗场飘移、响应不一致和坏点等因素影响，因此必须对平板探测器进行一下几种校正。1、暗场校正（OFFSETcorrection），就是在开启射线源进行检测工作时，为了正确反映出透照物体内部结构与图像灰度值之间的对应关系，去除叠加在实际输出响应上的暗场图像值。2、虽然在线性曝光剂量范围内，平板探测器的每个探测单元对X射线响应是线性的，但不同探测单元的X射线响应系数并不完全一致，即响应不一致性。它带来的后果是相同的入射射线强度，但输出不同。因此必须对平板探测器做增益校正（GAINcorrection）。3、平板探测器（FPD）使用过程中，元器件老化、辐射额碰撞损伤都会产生新的坏点，所以定期更新坏点位置图（坏像素校正））是十分重要的。非晶硒的X射线效率比较低，因此在剂量较低的情况下，**终的成像质量不是很好。

铸件的缺陷中有一些暴露在表面，比较容易甄别出来。麻烦的是内部缺陷，它可能存在也可能没有，可能很微小不足为惧也可能严重到会随时报废引起更大的连锁反应。我们现在使用的很多产品都比以前的小巧美观，这一切多多少少会归功于X射线无损检测技术的保驾护航。X射线检测的原理是利用X射线穿透能力强并且稳定可控，射线穿透检材后被平板探测器收集，根据射线的衰减差异经过软件处理生成检测图像。因为检材中的缺陷和检材自身的密度是不同的，通过缺陷的射线和别处的射线衰减情况一定会不同，在成像上缺陷也会特别的明显。 便携DR检测系统由射线机、数字探测器阵列、计算机、软件等组成。无锡乳腺平板探测器技术指导

常见方法是使用X射线成像来创建一个设备内部元件的详细图像，然后使用计算机软件来分析该并计算数量。上海工业平板探测器技术参数

X光机是一种将电能转化为X光的设备，主要由控制台、高压发生器、机头、工作台及各种机械装置组成。这种装置是通过X光管实现的，所以X光管成为X光机的内核部件。因为每根X射线管的材料和结构都已经确定，所以极间绝缘强度和阳极热容量是有限的。工作时管电压、管电流和施加管电压的时间的任何组合都不能超过X射线管的公差，否则有立即损坏X射线管的危险。X射线机的高压部分、控制部分、灯丝加热部分、过载保护部分和限时部分均设置好，以保证X射线管的正常工作。 上海工业平板探测器技术参数

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