武汉轻便平板探测器

间接转换的平板探测器中，影响DQE的因素主要有两个方面：闪烁体的涂层和将可见光转换成电信号的晶体管。首先闪烁体涂层的材料和工艺影响了X线转换成可见光的能力，因此对DQE会产生影响。常见的闪烁体涂层材料有两种：碘化铯(CsI)和硫氧化钆(Gd2O2S)。碘化铯将X线转换成可见光的能力比硫氧化钆强，但成本比较高；将碘化铯加工成柱状结构，可以进一步提高捕获X线的能力，并减少散射光。使用硫氧化钆做涂层的探测器成像速度快，性能稳定，成本较低，但是转换效率不如碘化铯涂层高。 平板探测器的灵敏度远高于普通X线片，只需要比较小的能量就可获得满意的图像。武汉轻便平板探测器

    Binning是一种图像读出模式，将相邻的像元中感应的电荷被加在一起，以一个像素的模式读出。Binning分为水平方向Binning和垂直方向Binning，水平方向Binning是将相邻的行的电荷加在一起读出；垂直方向Binning是将相邻的列的电荷加在一起读出，Binning这一技术的优点是能将几个像素联合起来作为一个像素使用，在高速摄像机的应用中，BinningMode采用的是2x的Binning，即长宽缩短为原本一般，输出分辨率降低为原本的1/4。优势：能够在视野面积和比例不变的前提下提高帧数，同时也可以提高暗处对光感应的灵敏度。劣势：降低输出图像解析力，只能输出单色图像。 武汉轻便平板探测器Binning是一种图像读出模式，将相邻像元感应的电荷加在一起，以一个像素的模式读出。

直接式平板探测器主要由集电矩阵、硒层、电介层、顶层电极和保护层等构成。集电矩阵由按阵元方式排列的薄膜晶体管(TFT)组成。非晶硒半导体材料在薄膜晶体管阵列上方通过真空蒸镀生成约、38mm×45mm见方的薄膜，它对X线很敏感，并有很高的图像解析能力。顶层电极接高压电源，当有X线入射时，由于高压电源在非晶硒表面形成的电场，它们只能沿电场方向垂直穿过绝缘层、X射线半导体、电子封闭层，到达非晶硒，不会出现横向偏离从而出现光的散射。

由于采用了直接数字化，拍摄的X光片信息量丰富，可以根据临床需要进行各种图像后处理，如各种图像滤波、窗宽窗位调节、放大漫游、图像拼接以及距离、面积、密度测量等丰富的功能，为影像诊断中的细节观察、前后对比、定量分析提供技术支持，改变了以往X光平片固定影像的局限性，提供了大量临床诊断信息。由于其大尺寸、多像素成像板的贡献，提高了X光胶片的清晰度及细节分辨率，成像综合水平远远超过普通X光平片；同时有助于实现普通X线摄影图像的数字化存储和远距离调阅、交流等方便应用。 AED是自动感应曝光技术，可以让平板探测器自动探测X射线，自动进入曝光窗口，把图像输出至计算机。

数字化X线摄影主要基于二维解剖平面成像，在诸多部位的成像上受到重叠影像影响，难以对病灶进行精细的定位与评估。以胸片为例，由于胸部纵膈心影重叠以及膈下肋骨重叠，极易导致漏诊与误诊的发生。由此，一种新的数字化X线摄影技术开始出现：动态数字化X线摄影技术，简称为动态DR。动态DR相较于常规数字化X线摄影，能极大地提升X线影像质量控制效果，同时对于诸多部位的摄片诊断能提供运功功能的视角和评估参考，进一步提升筛查与诊断的精细性。动态DR作为X线摄影技术，在临床中具备大范围的应用价值与优势。在压力管道无损检测技术的应用中，射线检测是一种常见的检测技术。青岛无线平板探测器

静态平板探测器侧重分辨率和感光效率，在图像性能上体现单帧大动态范围。武汉轻便平板探测器

CMOS，即互补金属氧化物半导体，是组成芯片的基本单元。CMOS离我们很近，几乎所有手机的摄像头都是基于CMOS图像传感器芯片，与CMOS平板异曲同工。与非晶硅/IGZO探测器的玻璃衬底不同，CMOS探测器的衬底是单晶硅，其电子迁移率是1400cm^2/VS，这是制作晶圆的重要材料。所谓CMOS平板探测器，是指在一块晶圆上集成光电二极管、寻址电路，以及更重要的放大器(这是与非晶硅/IGZO探测器的比较大区别)，将信号放大后再传输到外面。因此，具有明显优于非晶硅探测器的低剂量DQE和更高的采集速度。 武汉轻便平板探测器

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